赵宪庚
- 作品数：16 被引量：17H指数：3
- 供职机构：北京应用物理与计算数学研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家攀登计划中国工程物理研究院发展基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺电气工程更多>>
- 高应变率拉伸下纳米空洞的成核与早期生长被引量：4
- 2012年
- 利用分子动力学方法研究了单晶铜中纳米空洞的成核与早期生长过程.研究结果表明:高应变率拉伸作用下,在缺陷原子或空位密集区首先启动(111)-[211],(111)-[211],(111)-[211],(111)-[211]4个滑移系的位错.空洞在特定滑移系层错交叠,即(111)-[211]和(111)-[211]滑移系的层错交叠以及(111)-[211]和(111)-[211]滑移系的层错交叠形成的空穴串处成核.这些空穴串分别沿[011]和[011]方向,与加载方向垂直.相对于其他的滑移系交叠,这种滑移系交叠形成的空穴串的截面积最大.此后,空洞通过发射位错长大,形状类似长条形;伴随其他类型位错的生长,空洞逐渐演化为柱形-椭球形-类球形.对于含双空洞的单晶铜体系,受已存空洞周围应力分布的影响,多个滑移体系同时启动,空洞在3个滑移系的层错交汇点的空穴处成核,其形状受交汇处位错线运动方向的影响,类似扁三角形,并在位错的滑移和攀移作用下逐渐演化为类球形.我们根据畸变场计算了3个层错面交叠处的空穴体积,发现108个不同交叠构型中,只有4种构型的交叠引起的空穴体积最大,空洞成核容易,其他情况不能使空洞成核.
- 庞卫卫张平张广财许爱国赵宪庚
- 高密度流体He+H_2混合物物态方程研究被引量：4
- 2003年
- 选择高密度流体He +H2 混合物作为研究对象 ,用Ree混合规则和vanderWaals单组分流体变分微扰理论加量子力学一级修正模型编制计算程序。作为对计算模型及其程序的检验 ,首先用已有的α exp 6优化势参数 ,计算了T =30 0K的He +H2 混合物的等温相平衡线 ,得到了与实验值和分子动力学 (MD)数值模拟一致的结果 ,然后进一步计算了 0～ 60GPa和 5 0～ 70 0 0K压力温度范围内的流体He+H2 混合物 (He∶H2 分别为 1∶1、1∶3、3∶1摩尔比 )的高压物态方程。与Monte Carlo模拟数据所进行的比较表明 ,在低温下 。
- 陈其峰蔡灵仓陈栋泉经福谦赵宪庚
- 关键词：高温物理学
- HgBa_2 CaCu_2 O_(6+δ)的内层电子激发能的密度泛函理论研究(英文)
- 2001年
- 运用相对论的自旋极化局域密度函数方法计算了HgBa2 CaCu2 O6+δ 的电子结构。得到的内层电子激发能基本上与X光电子谱一致 ,其中自旋
- 吕劲张爽章立源李俊张信威赵宪庚
- 关键词：高温超导体电子结构密度泛函理论
- 方波电场驱动下的Rabi振荡(英文)
- 2006年
- 研究了方波电场驱动下的双Bloch带的紧束缚模型.借助Fourier分析,得到了在弱耦合极限下Rabi振荡及Rabi频率的解析解;这些结果均由电子的数值演化所证实.
- 宫建平邵建立段素青赵宪庚
- 关键词：RABI振荡
- Bloch电子在外场中的动力学
- 赵宪庚
- 关键词：电场电动力学
- 掺杂C_(60)超导体的电子结构、物理性质及其超导机制被引量：1
- 1999年
- 由足球型状的Ｃ６０分子构成的Ｃ６０固体是碳元素的一种新的存在形式，掺杂Ｃ６０固体是一种新型的有机超导体，其中ＲｂＣｓ２Ｃ６０的Ｔｃ创下了有机超导体超导转变温度的最高纪录。文中将就掺杂Ｃ６０超导体的电子结构、物理性质、超导机制作一概括的介绍。
- 吕劲章立源张信威张信威
- 关键词：电子结构物理性质超导机制
- Dyon-Fermion系统束缚态能级的具体计算
- 1991年
- 本文详细计算和讨论了荷电费米子与固定狄拉克双荷子(Dyon-Fermion)相互作用系统的束缚能量,给出了最低角动量j=|q|-1/2≥0和总角动量j≥|q|+1/2的全部能级的具体表达式。
- 张学龙赵宪庚
- 关键词：束缚态费米子
- 原子氢在Be(100)薄膜上吸附的第一性原理计算被引量：1
- 2006年
- 对原子氢在Be(1010)薄膜表面的吸附性质做了第一性原理计算研究.根据原子面间距的不同,可把Be(1010)表面分为两种.计算结果表明,原子氢在这两种表面上的吸附性质显著不同.为阐明和分析这些不同,系统计算和分析了Be(1010)薄膜的表面电子结构、电子功函数、平均静电势和局域电荷密度.这些物理量都自洽地表明,吸附过程中原子氢和表面铍原子间的电荷转移过程对于两种表面是完全不同的.对于L型表面来说,电荷由吸附原子氢向表面Be原子层转移,而对于S型表面而言,电荷转移过程恰恰相反.
- 宋红州张平赵宪庚
- 关键词：表面能功函数
- Stark阶梯的非线性修正
- 1994年
- 本文借助SU(2)对称性求得了跳跃积分随格点变化时电子在外电场作用下的能谱和局域态的封闭解,结果发现,电子能谱除含有耦合的Stark阶梯外,还明显地依赖于电场势的非线性项,在弱场区域,非线性项将起主导作用,只有在强场区域,激发谱才呈现较为明显的Stark阶梯,其临界场强对半导体超晶格为200kV/m,这一结论与实验观测高度吻合。
- 赵宪庚
- 关键词：非线性修正
- Mo的高压熔化研究
- 张弓木刘海风宋海峰段素青赵宪庚
