边楠
- 作品数：5 被引量：7H指数：2
- 供职机构：南开大学更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国际科技合作与交流专项项目博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：理学电气工程电子电信更多>>
- 用超声喷雾热分解法制备p型Zn_(1-x)Mg_xO薄膜
- 2009年
- 利用超声喷雾热分解(USP)技术,采用N-Al共掺法,在eagle2000衬底上制备出了电学特性较好的p型Zn0.93Mg0.07O薄膜:电阻率为18.43Ω.cm、迁移率是0.362 cm2/(V.s)、载流子浓度为1.24×1018cm-3。系统分析了前驱溶液中Al掺杂量或Mg掺杂量变化时对p型Zn1-xMgxO薄膜电学特性和结构特性的影响。紫外可见光透射测试表明:Zn1-xMgxO薄膜在紫外-可见光范围内的透过率达到了80%。
- 边楠张晓丹张霞赵颖杨瑞霞
- 关键词：透过率
- 宽带隙化合物半导体Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的制备被引量：2
- 2008年
- 利用超声雾化热分解技术,在玻璃衬底上生长出宽带隙的Zn1-xMgxO薄膜。所有样品在可见光范围内的透过率可达到85%以上。X射线衍射的测试结果表明所有样品都具有c轴择优生长特性,并且随薄膜中Mg含量的不同出现规律性变化。光致发光谱表明Mg掺入后ZnO薄膜的紫外发射峰出现了蓝移,实现了对禁带宽度的调节。
- 边楠张晓丹张霞赵颖杨瑞霞
- 关键词：宽带隙半导体禁带宽度
- USP法制备p型Zn1-xMgxO薄膜的初步研究
- 利用超声雾化热分解技术(USP),在eagle2000衬底上采用用N-Al共掺法获得了p型ZnMgO薄膜,在Al掺入比例为0.05时获得了最优的p型ZnMgO薄膜,其电学特性为电阻率为18.43Ω.cm、迁移率是0.36...
- 边楠张晓丹张霞孙福和杨瑞霞赵颖
- 文献传递
- ZnMgO薄膜及P型ZnMgO薄膜的制备
- 宽带隙半导体Zn1-xMgxO合金在光电应用方面具有的潜力使其受到广泛的关注。由于Mg含量不同可以实现Zn1-xMgxO禁带宽度在3.3～4.0eV范围内的调节，因此Zn1-xMgxO合金被视为理想的异质结势垒层材料。目...
- 边楠
- 关键词：ZNMGO薄膜结构特性薄膜太阳电池
- 文献传递
- 衬底温度对ZnO纳米结构的影响被引量：5
- 2009年
- 利用超声喷雾热解(USP)技术,以普通玻璃为衬底,制备了不同衬底温度下的系列ZnO薄膜。用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)研究了衬底温度对ZnO结构的影响。结果表明,薄膜的微观结构随衬底温度变化显著。在410℃获得了ZnO纳米棒,纳米棒直径在50 nm左右,沿c轴择优生长,结晶质量较好。
- 张霞张晓丹边楠杨瑞霞赵颖
- 关键词：ZNO纳米棒衬底温度
