邢金柱
- 作品数：10 被引量：13H指数：2
- 供职机构：河北大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金教育部基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 用于Cu互连阻挡层的非晶Ni-Al薄膜研究被引量：3
- 2008年
- 以非晶Ni-Al薄膜作为Cu互连的阻挡层材料,采用射频磁控溅射法构架了Cu/Ni-Al/Si的异质结。利用原子力显微镜、X射线衍射仪和四探针测试仪研究了不同温度下高真空退火样品的表面形貌、微观结构与输运性质。实验发现非晶Ni-Al薄膜在高达750℃的退火温度仍能保持非晶结构,各膜层之间没有明显的反应和互扩散存在,表明了非晶Ni-Al薄膜具有良好的阻挡效果,可以用作Cu互连的阻挡层材料。
- 霍骥川刘保亭邢金柱周阳李晓红李丽张湘义王凤青王侠彭英才
- 关键词：CU互连扩散阻挡层
- 用于Cu互连的Ta/Ti-Al集成薄膜的结构和阻挡性能被引量：2
- 2012年
- 应用射频磁控溅射法在(001)Si衬底上制备了Cu(120nm)/Ta(5nm)/Ti-Al(5nm)/Si异质结,借助原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)和四探针测试仪(FPP)等方法研究了Ta(5nm)/Ti-Al(5nm)集成薄膜用作Cu和Si之间阻挡层的结构和性能。研究发现,Cu/Ta/Ti-Al/Si异质结即使经受850℃高温退火后,样品的XRD图中也没有出现杂峰,表明样品各层之间没有发生明显的化学反应。相对于800℃退火的样品,850℃退火样品的表面均方根粗糙度急剧增大,同时方块电阻也增加了一个数量级,表明Ta(5nm)/Ti-Al(5nm)集成薄膜在850℃时,阻挡性能完全失效。由于Ta和Cu之间存在良好粘附性以及Ti-Al强的化学稳定性,Ta(5nm)/Ti-Al(5nm)集成薄膜在800℃以下具有良好的阻挡性能。
- 任国强邢金柱李晓红郭建新代秀红杨保柱赵庆勋
- 关键词：CU互连阻挡层射频磁控溅射
- FePt薄膜/Si基片之间的界面反应对薄膜L10有序化转变影响的研究
- 李晓红任国强李丽霍骥川邢金柱
- 课题对FePt薄膜L10有序化转变的原子输运、有序畴成核和生长动力学以及FePt薄膜有序化温度降低的新技术等进行了深入研究。研究建立了纳米晶相变过程中激活体积的测定技术，采用该技术测定了FePt薄膜L10有序化转变的激活...
- 关键词：
- 关键词：生长动力学纳米晶材料
- 蓝宝石衬底上磁控溅射法室温制备外延ZnO薄膜被引量：8
- 2009年
- 在室温条件下,采用磁控溅射方法在蓝宝石(0001)衬底上制备了外延的ZnO薄膜。采用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、可见-紫外分光光度计系统研究了ZnO薄膜微观结构和光学特性。AFM测量结果表明ZnO薄膜具有较为均匀的ZnO晶粒,表面平整,具有较小的均方根粗糙度(0.9 nm);X射线衍射结果表明制备的ZnO薄膜为具有六角纤锌矿结构的外延薄膜;光学透射谱显示样品在可见光范围内具有较高的透过性,并在370 nm附近出现一个较陡的吸收边,表明在室温下制备出了具有较高质量的ZnO薄膜。
- 周阳仇满德付跃举邢金柱霍骥川彭英才刘保亭
- 关键词：ZNO薄膜射频磁控溅射
- 磁控溅射法制备用作铜互连阻挡层的钛-铝薄膜被引量：1
- 2009年
- 采用射频磁控溅射法在Si（100）基片上首先沉积了厚度40nm的非晶钛-铝薄膜，然后在其上又原位生长了厚度100nm的铜薄膜，制备了铜膜／钛-铝膜／硅试样；对试样分别在400～800℃内进行真空退火处理，用原子力显微镜、X射线衍射仪、四探针测试仪对试样的表面形貌、结晶状态及方块电阻进行了分析。结果表明：当退火温度低于750℃时，试样表面平整，表面粗糙度和方块电阻均较小且基本不随退火温度的升高而改变，此时，非晶钛-铝薄膜能够起到阻挡铜向硅中扩散的作用；当退火温度在800℃时，试样的表面粗糙度和方块电阻急剧增大，此时，非晶钛-铝薄膜已经不能起到阻挡层的作用。
- 邢金柱刘保亭霍骥川周阳李晓红李丽张湘义彭英才王侠
- 关键词：铜互连阻挡层射频磁控溅射
- 一种用于铜互连的导电阻挡层材料及制备方法
- 本发明提供一种用于铜互连的导电阻挡层材料，由硅衬底、导电阻挡层组成，其特征在于导电阻挡层材料是采用磁控溅射法在硅衬底基体上生长非晶态Ti-Al二元合金薄膜，然后在Ti-Al二元合金薄膜上原位生长Cu薄膜制成。本发明利用T...
- 刘保亭马良邢金柱霍骥川边芳赵庆勋郭庆林王英龙
- 文献传递
- 一种用于铜互连的导电阻挡层材料及制备方法
- 本发明提供一种用于铜互连的导电阻挡层材料，由硅衬底、导电阻挡层组成，其特征在于：导电阻挡层材料是采用磁控溅射法在硅衬底基体上生长非晶态Ti－Al二元合金薄膜，然后在Ti－Al二元合金薄膜上原位生长Cu薄膜制成。本发明利用...
- 刘保亭马良邢金柱霍骥川边芳赵庆勋郭庆林王英龙
- 文献传递
- 用于硅基含铜铁电电容器集成的Ti-Al阻挡层
- 磁控溅射法制备了Ti-A1(40nm)、超薄Ti-A1(4nm)薄膜，分别采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、四探针检测仪(Four-PointProbe)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对阻挡层性能...
- 邢金柱
- 关键词：铜互连铁电电容器磁控溅射法溶胶-凝胶法
- 文献传递
- 一种用于铜互连的导电阻挡层材料及制备方法
- 本发明提供一种用于铜互连的导电阻挡层材料，由硅衬底、导电阻挡层组成，其特征在于导电阻挡层材料是采用磁控溅射法在硅衬底基体上生长非晶态Ni-Al二元合金薄膜，然后在Ni-Al二元合金薄膜上原位生长Cu薄膜制成。本发明利用N...
- 刘保亭马良霍骥川邢金柱边芳赵庆勋郭庆林王英龙
- 文献传递
- 一种用于铜互连的导电阻挡层材料及制备方法
- 本发明提供一种用于铜互连的导电阻挡层材料，由硅衬底、导电阻挡层组成，其特征在于：导电阻挡层材料是采用磁控溅射法在硅衬底基体上生长非晶态Ni－Al二元合金薄膜，然后在Ni－Al二元合金薄膜上原位生长Cu薄膜制成。本发明利用...
- 刘保亭马良霍骥川邢金柱边芳赵庆勋郭庆林王英龙
- 文献传递
