邹泽亚
- 作品数：16 被引量：22H指数：3
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
- 发文基金：重庆市科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程机械工程更多>>
- Al_xGa_(1-x)N日盲紫外探测器及其焦平面阵列被引量：5
- 2009年
- 报道了320×256元AlxGa1-xN日盲型紫外探测器及其焦平面阵列探测器的研制情况，介绍了材料生长、器件制备工艺和器件的光电特性。器件的开启电压大于3．5V，-0．5V偏压时暗电流小于1．2×10^-12A（φ=300ttm台面），光谱响应范围260～280nm，268nm峰值波长的响应度大于0．095A／W。器件实现了日盲紫外成像演示。
- 赵文伯赵红叶嗣荣黄烈云唐遵烈罗木昌杨晓波廖秀英向勇军邹泽亚
- 关键词：ALXGA1-XNPIN光电二极管
- 高温AlN为模板的AlGaN基p-i-n背照式日光盲探测器(英文)
- 2008年
- 第一次报道了以高温AlN为模板层的AlGaN基p-i-n背照式日光盲探测器的制作和器件特性.利用MOCVD方法在(0001)面的蓝宝石衬底上生长了探测器的AlxGa1-xN多层外延材料.在无需核化层的高温AlN模板上生长了p-i-n背照式日光盲探测器的无裂纹高Al组分(0.7)AlGaN多层外延结构.利用在线反射监测仪、三轴X射线衍射及原子力显微镜表征了外延材料的晶体质量.在1.8V的反向偏压下,制作的探测器表现出了日光盲响应特性,在270nm处最大响应度为0.0864A/W.具有约3.5V的正向开启电压,大于20V的反向击穿电压,在2V的反向偏压下暗电流小于20pA.
- 邹泽亚杨谟华刘挺赵文伯赵红罗木昌王振
- 关键词：P-I-N
- 光电探测器组件辐照后性能退化的噪声表征
- 2011年
- 本文用爆裂噪声表征总剂量电离辐射(TID)对光电探测器组件的损伤情况。通过对辐照前后的光电探测器组件进行噪声测试,然后对比分析其结果。实验结果表明,总剂量辐照后,相对于辐照前,光电探测器组件内部明显出现了爆裂噪声,即组件内部出现了大量缺陷,导致组件的可靠性降低。
- 张兴王品红但伟曹飞陈春霞邹泽亚李祖安
- 关键词：爆裂噪声可靠性
- 二次退火对P型GaN的应变影响
- 2008年
- 采用LP-MOCVD在蓝宝石基片上外延生长了Mg掺杂p-GaN,并对样品进行了退火处理。利用高分辨X射线衍射(HRXRD)对经不同退火时间处理后的样品进行了测试分析,从应变的角度对p型GaN中的杂质和缺陷行为特性进行了分析和探讨。结果表明:p型GaN的应变状态与其退火过程中的杂质和缺陷行为及其最后的电学性能都有着一定的规律性。
- 周勋左长明邹泽亚廖秀英姬洪罗木昌刘挺赵红
- 关键词：GAN退火HRXRD
- 六角相GaN外延膜的高分辨X射线衍射分析研究
- 通过实例介绍运用高分辨 X 射线衍射分析技术对 GaN 异质外延薄膜材料的微结构进行研究,希望能获得不同缓冲层生长与优化工艺以及结构模型对其结构特性参数影响方面的信息,为 GaN 材料和器件制备者提供有用的参考．
- 姬洪周勋邹泽亚左长明
- 关键词：高分辨X射线衍射GAN材料
- 文献传递
- 高温AlN模板上p型GaN的生长研究
- 2008年
- 利用低压金属有机物化学气相沉积技术,采用均匀掺杂和渐变Mg-δ掺杂方法,分别在氮化镓(GaN)和高温氮化铝(HT-AlN)模板上,生长了p型GaN外延材料.生长后,双晶X射线衍射和霍尔测试结果表明:HT-AlN模板上采用渐变Mg-δ掺杂方法生长的p型GaN材料,具有最好的晶体质量和电学性能.该p型GaN样品的(0002)面半峰宽值小至178″,其空穴氧浓度为5.78×1017cm-3.在对Cp2Mg/TMGa进行了优化试验后,p型GaN的空穴氧浓度被提高到8.03×1017cm-3.
- 刘挺邹泽亚王振赵红赵文伯罗木昌周勋杨晓波廖秀英
- 关键词：金属有机物化学气相沉积P型GAN
- GaN基p-i-n紫外探测器研究
- 宽禁带半导体材料GaN及其三元合金AlGaN，由于其禁带宽度大、热稳定性和化学稳定性好，在光电子器件，尤其紫外探测器领域有着重要的应用价值。其中探测波段在240-280nm区间（日光盲区）的探测器可以广泛应用于导弹尾焰探...
- 邹泽亚
- 关键词：宽禁带半导体材料光谱响应电学特性
- 基于线性光耦器件的检测电路
- 本实用新型公开了一种基于线性光耦器件的检测电路，包括输入放大电路、驱动放大电路、线性光耦、输出放大电路和负反馈电路；输入放大电路的输出端与驱动放大电路的输入端连接，驱动放大电路的输出端与线性光耦的输入端连接，线性光耦的一...
- 徐道润龚磊陈春霞欧熠李冰邹泽亚肖清惠侯正军
- 文献传递
- 蓝宝石衬底上AlGaN外延材料的低压MOCVD生长被引量：1
- 2007年
- 采用低温AlN成核层在1180℃温度下在(0001)蓝宝石衬底上用低压MOCVD设备生长了AlGaN外延层。Al组分高达0.6、厚度大于1μm的AlGaN外延层表面光亮,晶体质量较好,(0002)X射线衍射回摆曲线半峰宽FWHM为853弧秒。当反应室气压从5×103Pa降到2×103Pa后,AlGaN外延层的生长速率和固相Al组分都显著提高。
- 赵红邹泽亚赵文伯杨晓波刘挺廖秀英王振周勇刘万清
- 关键词：MOCVDALGAN
- 光电探测器阵列组件
- 本实用新型公开了一种光电探测器阵列组件，它的各个部件及连接关系为：超长线阵的光电探测阵列实现光电转换并将转换后的信号送模拟开关电路、模拟开关电路实现512路到32路并行输出转换并送到放大电路、放大电路实现信号的放大输出、...
- 邹泽亚李应辉蒋城彭祖全曾铮谭千里张怡鲁卿
- 文献传递
