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中子辐照SiC_f/SiC复合材料的反冲能谱及空间分布: 2004年; 分析了中子与靶原子的相互作用过程,提出了结合中子输运和核反应耦合模型,采用由蒙特卡罗方法编写的RDSNC程序计算了聚变堆第一壁候选材料SiCf,/SiC在14 MeV和1 MeV中子辐照后的反冲核(初级离位原子)、碎片(核反应发射粒子)、嬗变产物和它们的能谱。表明两者具有完全不同的反冲核、碎片和嬗变产物的能谱,14 MeV中子产生的辐照损伤远远大于1 MeV中子的辐照损伤,并具有大量的嬗变产物。; 郁刚李晓强沙建军郁金南许淑艳蔡崇海; 关键词：中子辐照 SICF/SIC复合材料弹性散射非弹性散射

Y-211与Y_2O_3掺杂的熔融织构YBCO的超导钉扎效应及微结构研究: 2002年; 采用顶部籽晶熔融织构法,结合Y_2O_3和Y-211掺杂制备了高质量的准单畴YBCO块材.Jc测量结果表明,对于Y_2O_3掺杂的YBCO块材,其临界电流密度Jc在10K温度和0.6T磁场下达到1.60×10~6A/cm^2,用合作钉扎理论可推得,其在70K温度和2T磁场下为1.24×10~4/cm^2。扫描电镜观察结果表明,掺杂Y_2O_3所形成的Y-211粒子是柱状的,而掺杂Y-211在母体材料中是球形的,其尺寸接近纳米粒子。掺杂Y_20_3比Y-211更能增强磁通钉扎效应并有效地改善样品的生长状况。Y-211粒子与超导母体材料之间的界面对磁通钉扎起主要作用,Y-211粒子作为强钉扎中心属于界面钉扎。; 沙建军杨晓莉郁刚; 关键词：熔融织构微结构掺杂临界电流密度

空间带电粒子能谱和通量分布探测的研究: 2002年; 采用金硅面垒探测器、CsI闪烁体和改进的快响应电子学系统 ,设计了一套空间带电粒子谱探测系统 ,包括ΔE E望远镜系统和数据的获取及处理系统。根据该空间粒子探测谱仪系统 ,提出了可同时或分别探测空间带电粒子能谱和通量的方法。可探测粒子的种类和能量分别如下 :质子 ,能量范围为1～ 2 0 0MeV ;α粒子 ,能量范围为 1～ 2 0 0MeV u ;氧离子 ,能量范围为 1 7～ 4 96MeV u ;铁离子 ,能量范围为 2 5MeV～ 1 0GeV u。; 沙建军郁刚郁金南张伟国向宏文吴中祥蔡震波朱文明; 关键词：空间带电粒子能谱望远镜系统空间辐射环境

CMOS器件p、γ、β辐照损伤等效剂量分析计算被引量：1: 2000年; 建立了CMOS电子元器件中质子、电子和光子辐照损伤 (电子空穴对和离位原子浓度 )计算模型。利用微机化的电子光子簇射过程模拟程序EGS4和TRIM程序分别计算了电子 ( β)、光子 (γ)和质子 ( p)辐照在CMOS器件各层中产生的电子空穴对和离位原子浓度。计算结果表明 ,在CMOS器件桥结绝缘层中 ,电子产生的电子空穴对和离位原子浓度最高 ,光子次之 ,质子最低 ,这表明电子辐照损伤最高 ,光子次之 ,质子最小。; 郁金南杨文郁刚陈伊轫许淑艳; 关键词：CMOS器件辐照损伤等效剂量航天器计算程序

准单畴YBCO超导体工艺性能研究和微观分析被引量：2: 2001年; 采用熔融织构生长法 (MTG)结合顶部籽晶工艺 (TSP)制备了不同Y 2 11粒子含量的准单畴熔融织构的YBCO块材 ,样品致密度高 ,机械强度好。VSM测量结果表明 :样品在 30K、0 6T下 ,临界电流密度JC 达到 1 2 3× 10 6A/cm2 ;在 70K、2T下 ,JC 为 1 35× 10 4 A/cm2 ,且JC 对磁场不敏感。SEM分析结果表明 :Y 2 11相的掺杂能够改善织构样品的生长状况 ,同时 ,掺杂的Y 2 11粒子又能作为强的钉扎中心 ;所制备的样品中Y 2 11粒子分布越均匀 ,尺寸越小。; 沙建军郁金南郁刚韩华罗金汉; 关键词：熔融织构 YBCO超导体临界电流密度聚变堆材料

Y_2BaCuO_5粒子掺杂的单畴熔融织构YBCO超导体工艺与性能研究被引量：10: 2000年; 采用人工掺杂Y 2 11相的方法以及熔融织构生长结合顶部籽晶工艺制备了不同 2 11粒子含量的准单畴熔融织构的YBCO块材料 ,样品致密度高 ,体密度大于 6 2g/cm3 ,机械强度好 ,振动样品磁强计测量结果表明 ,样品在温度 30K、磁场 0 6T下 ,其Jc 仍达到 1 2 3× 10 6A/cm2 .在温度 70K、磁场 2T条件下 ,Jc 仍高达 1 35× 10 4A/cm2 ,而且临界电流密度对磁场不敏感 .扫描电子显微镜分析也表明 ,Y 2 11相的人工掺杂 ,能改善织构样品的生长状况 ,减小微裂纹 ,同时 ,掺杂的Y 2 11粒子能作为强的钉扎中心 ,因此 ,这种工艺能精确地控制样品中Y 2 11粒子的含量 ,所制备的样品中Y 2 11粒子分布越均匀 ,尺寸越小 ,其钉扎效果越好 .从大量实验结果比较得出 ,1∶0 5是最佳的掺杂比例 .; 沙建军姚仲文郁金南郁刚罗金汉闻海虎杨万里李世亮; 关键词：熔融织构 YBCO

空间带电粒子谱仪性能测试及能量刻度被引量：1: 2004年; 采用金硅面垒探测器及CsI(Tl)探测器设计制作了一套△E-E型探测空间粒子的望远镜系统,利用α粒子、质子、氧离子、铁离子4种粒子对该望远镜系统和电子学系统进行性能测试和能量刻度。电子学的增益系统分为三挡,分别为1.0、1/3和1/12.75。实验结果表明:对于α粒子,采用1/3挡,在△E_1和△E_2探测器中每道能量分别是H_1=0.107 MeV和H_2=0.123 MeV。对质子能量的刻度,采用1挡,每道能量H值为0.016 7 MeV,这个H值几乎不随能量变化,在CsI探测器中,每道能量H为1.047 MeV。对氧离子的能量刻度采用1/12.75的挡别,刻度出每道能量是1.11 MeV。在探测器中,沉积能量高于50 MeV,电子学系统进入饱和状态。对铁离子的标定结果与氧离子的结果相同。; 郁刚李晓强沙建军郁金南张伟国向宏文吴中祥蔡震波朱文明; 关键词：能量刻度

Y-211粒子与Y_(2)O_(3)粉掺杂的熔融织构YBCO超导体性能及微观研究被引量：2: 2000年; 采用熔融织构法结合顶部籽晶技术 ,掺杂 Y2 O3粉和 Y- 2 1 1粒子制备了高质量的准单畴熔融织构的 YBCO块材。样品的 Jc测量表明 :临界电流密度 Jc在 1 0 K温度 0 .6T磁场下达到 1 .6×1 0 6 A/ cm2 ;在 70 K温度 2 T磁场下达到 1 .2 4× 1 0 4A/ cm2。扫描电镜观察表明 :掺杂 Y2 O3粉所形成的 Y- 2 1 1粒子是柱状的 ,而掺杂 Y- 2 1 1粒子在母体材料中形成的是球形的 Y- 2 1 1粒子 ,掺杂Y2 O3 粉比 Y- 2 1 1粒子能更有效地改善样品的生长状况。可见 ,Y- 2 1 1粒子与超导母体材料之间的界面对磁通钉扎起主要作用 ,Y- 2 1; 沙建军郁金南郁刚; 关键词：熔融织构磁通钉扎

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郁刚