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钱隽

作品数：17 被引量：0H指数：0
供职机构：上海大学更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇中文专利

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇多晶
  • 5篇退火
  • 4篇铜锌
  • 4篇纳米
  • 4篇金刚石薄膜
  • 4篇金属
  • 4篇晶粒
  • 4篇CDTE薄膜
  • 3篇电池
  • 3篇太阳能
  • 3篇金属诱导
  • 3篇金属诱导晶化
  • 3篇晶粒大小
  • 3篇厚膜
  • 3篇硫
  • 3篇衬底
  • 2篇电极
  • 2篇多晶硅
  • 2篇多晶硅薄膜
  • 2篇修饰

机构

  • 17篇上海大学

作者

  • 17篇史伟民
  • 17篇钱隽
  • 13篇廖阳
  • 13篇李季戎
  • 9篇王国华
  • 7篇周平生
  • 6篇李杰
  • 6篇袁安东
  • 4篇杨伟光
  • 4篇王林军
  • 4篇黄健
  • 4篇苏青峰
  • 3篇张月璐
  • 3篇刘功龙
  • 3篇许月阳
  • 3篇陆舒逸
  • 2篇马磊
  • 2篇陈振一
  • 2篇沈春夏
  • 2篇秦娟

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 12篇2013
  • 3篇2012
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
干法刻蚀两步法铝诱导非晶硅晶化薄膜的方法
本发明涉及一种干法刻蚀两步法铝诱导非晶硅晶化薄膜的方法，属于多晶硅薄膜制备技术领域。利用金属铝的催化作用，在低温下通过两步退火法，将非晶硅薄膜诱导晶化为多晶硅薄膜，以减少金属沾污。首先在玻璃上作为生长衬底，后续依次制备非...
钱隽史伟民廖阳李季戎王国华周平生
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一种ZnS包覆的ZnO纳米阵列核壳结构的制备方法
本发明涉及利用磁控溅射法制备ZnO晶种、利用水热法生长ZnO纳米阵列以及利用水热法硫化生长ZnS壳层结构的制备方法。生长出来的ZnOZnS纳米阵列核壳结构可作为铜锌锡硫（CZTS）太阳能电池的窗口层。属太阳能电池薄膜器件...
史伟民袁安东张月璐廖阳杨伟光李季戎钱隽王国华王晨韩洋沈心蔚陶媛
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一种基于金刚石薄膜上沉积CdTe薄膜的方法
本发明公开一种基于金刚石薄膜上沉积CdTe薄膜的方法。具有以下工艺步骤：首先，将硅衬底/金刚石薄膜进行清洗预处理；之后，将预处理后的金刚石薄膜放入紫外臭氧清洗机中进行表面修饰与改性，降低薄膜表面的带隙与表面态，提高薄膜结...
苏青峰史伟民王林军黄健周平生李杰袁安东钱隽
一种用金属铜在低温下诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法
本发明涉及一种多晶硅薄膜的制备方法，具体来说就是利用金属铜的催化作用在低温下通过循环退火将非晶硅薄膜诱导晶化为多晶硅薄膜。本发明的主要技术方案是首先在玻璃衬底上生长衬底/非晶硅/二氧化硅/铜膜的结构，然后进行循环式退火，...
史伟民周平生周平华李杰瞿晓雷廖阳钱隽李季戎张月璐许月阳
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一种铜锌锡硫薄膜材料的硒化方法
本发明涉及硒气氛下对铜锌锡硫薄膜进行硒化处理的方法。属太阳能电池薄膜器件制备工艺技术领域。本发明包括如下步骤:将硒粒和涂覆有铜锌锡硫薄膜的载玻片放入石英管中并抽高真空至5×10<Sup>-4</Sup>Pa，用氢氧焰加热...
史伟民李季戎廖阳钱隽王国华杨伟光沈春夏
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一种CdS/SiO<Sub>2</Sub>纳米透明复合薄膜的制备方法
本发明采用CdS/SiO<Sub>2</Sub>共溅射法，射频磁控溅射制备CdS量子点纳米复合薄膜，属于半导体纳米复合薄膜材料制备技术领域。溅射法与化学水浴法等比较，具有快速、低温，以功率及时间控制复合薄膜密度、厚度等优...
秦娟王国华陈振一廖阳李季戎钱隽史伟民孙纽一
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一种铜锌锡硫太阳电池窗口层的制备方法
本发明涉及一种铜锌锡硫太阳电池窗口层的制备方法，属太阳能电池薄膜器件制备工艺技术领域。利用磁控溅射法制备ZnO晶种、利用水热法生长ZnO纳米阵列以及利用水热法硫化生长ZnS壳层结构的制备方法。水热法制备的ZnOZnS纳米...
李季戎史伟民廖阳钱隽王国华杨伟光沈心蔚沈介圣何玲玲沈忠文
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铝在低温下诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法
本发明涉及一种铝在低温下诱导非晶硅制备多晶硅薄膜的方法，其属于多晶硅薄膜制备技术领域。利用金属铝的催化作用，在低温下通过两步退火法，将非晶硅薄膜诱导晶化为多晶硅薄膜，以减少金属沾污。其主要技术方案是：首先在玻璃上作为生长...
史伟民钱隽金晶李季戎廖阳王国华许月阳
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一种SiO<Sub>2</Sub>包覆的CdS量子点纳米复合薄膜的制备方法
本发明涉及用溶胶凝胶过程，制备SiO<Sub>2</Sub>包覆的CdS量子点纳米复合薄膜，属半导体纳米复合薄膜制备技术领域。主要解决了包覆后CdS量子点，具良好的分散性，改善发光效率及耐腐蚀性等。具体步骤是以硝酸镉，硫...
秦娟王国华陈振一廖阳李季戎钱隽史伟民孙纽一
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多晶碘化汞探测器金钯材料电极制备方法
本发明涉及一种多晶碘化汞探测器金钯材料电极制备方法，具体步骤如下：a.多晶碘化汞厚膜的生长，b.多晶碘化汞厚膜表面的处理，c.电极材料的制备，d.电极的热蒸发制备工艺。本发明工艺简单，易于操作，电极掩模板图形可变，可大面...
刘功龙马磊史伟民廖阳吕燕芳李季戎钱隽陶佳佳
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