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陈克金

作品数：29 被引量：26H指数：3
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 29篇中文期刊文章

领域

  • 28篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 17篇GAAS
  • 12篇单片
  • 12篇砷化镓
  • 9篇放大器
  • 8篇C波段
  • 7篇电路
  • 6篇单片集成
  • 6篇集成电路
  • 5篇功率放大
  • 5篇功率放大器
  • 5篇MESFET
  • 4篇离子注入
  • 3篇单片集成电路
  • 3篇行波放大器
  • 3篇微波
  • 3篇晶体管
  • 3篇功率
  • 3篇KU波段
  • 3篇场效应
  • 3篇场效应晶体管

机构

  • 29篇南京电子器件...
  • 4篇西安交通大学

作者

  • 29篇陈克金
  • 16篇林金庭
  • 9篇陈堂胜
  • 4篇蒋幼泉
  • 4篇陈继义
  • 4篇罗晋生
  • 4篇李祖华
  • 4篇曹昕
  • 3篇宋山松
  • 3篇莫火石
  • 2篇岑元飞
  • 2篇王福臣
  • 2篇盛文伟
  • 2篇顾炯
  • 2篇李毅
  • 2篇沈亚
  • 2篇陈雪军
  • 1篇吴庆芳
  • 1篇孙玉芳
  • 1篇毛昆纯

传媒

  • 27篇固体电子学研...
  • 2篇Journa...

年份

  • 2篇1999
  • 3篇1998
  • 4篇1997
  • 4篇1996
  • 2篇1995
  • 5篇1994
  • 3篇1993
  • 3篇1991
  • 1篇1990
  • 2篇1989
共 29 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
C波段4W砷化镓功率场效应晶体管被引量：1
1995年
介绍了Ｃ波段４Ｗ砷化镓功率场效应晶体管的设计考虑、器件结构和制作，讨论了所采用的一些新工艺，给出器件性能。在５．３ＧＨＺ下，器件１ｄＢ压缩点的输出功率≥４Ｗ，增益为６．５～７．５ｄＢ，功率附加效率≥３５％。这种ＦＥＴ的多芯片运用具有优良的功率合成效率。
蒋幼泉陈堂胜李祖华陈克金盛文伟
关键词：砷化镓离子注入功率场效应晶体管
12GHz　GaAs单片混频器
1995年
分析研究了一种新型１２ＧＨｚＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ单片混频器，这种混频器采用级联ＦＥＴ作为混频元件。射频（ＲＦ）和本振（ＬＯ）信号分别通过各自的匹配网络进入混频电路，在中频输出端用中频缓冲放大器代替通常的中频匹配电路。电路在厚０．２ｍｍ，面积１．５ｍｍ×１．２ｍｍ的ＧａＡｓ基片上实现。设计的ＭＭＩＣ混频器在本振１１ＧＨｚ，射频１１．７～１２．２ＧＨＺ频率范围内的最大变频增益１．８ｄＢ。这一结果使进一步研究单片微波接收机成为可能。
钟慧卿林金庭陈克金莫火石
关键词：混频器微波单片集成电路MESFET砷化镓
用于GaAs贯穿注入和包封退火的AIN薄膜
1998年
用直流反应溅射淀积的AIN薄膜作包封介质对GaAs进行了贯穿注入和包封退火。用电化学C－V法测量了载流子的分布。实验结果与TRIM模拟结果符合得很好。用50nm的AIN包封进行贯穿注入和退火，得到了较小的标准偏差，较陡峭的载流子分布和较高的激活率。应用AIN包封层后，当注入能量180keV，注入剂量7．5×10~13cm~－2时，所得到的最高载流子浓度为1．84×10~18cm~－3，样品方块电阻为118Ω／□。
曹昕罗晋生陈堂胜陈克金
关键词：快速热退火热退火ALN薄膜砷化镓
C波段GaAs单片有源环行器
1994年
Ｃ波段ＧａＡｓ单片有源环行器岑元飞，林金庭，陈克金，樊晓龙（南京电子器件研究所，２１００１６）ＡＣ－ＢａｎｄＧａＡｓＭｏｎｏｌｉｔｈｉｃＡｃｔｉｖｅＣｉｒｃｕｌａｔｏｒ￥ＣｅｎＹｕａｎｆｅｉ；ＬｉｎＪｉｎｔｉｎｇ；ＣｈｅｎＫｅｊｉｎ；ＦａｎＸｉａｏｌ...
岑元飞林金庭陈克金樊晓龙
关键词：C波段砷化镓有源环行器
单片行波功率放大器被引量：2
1996年
单片行波功率放大器陈雪军，林金庭，陈克金（南京电子器件研究所，２１００１６）ＡＭｏｎｏｌｉｔｈｉｃＴｒａｖｅｌｉｎｇＷａｖｅＰｏｗｅｒＡｍｐｌｉｆｉｅｒ￥ＣｈｅｎＸｕｅｊｕｎ；ＬｉｎＪｉｍｉｎｇ；ＣｈｅｎＫｅｊｉｎ（ＮａｎｊｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃ...
陈雪军林金庭陈克金
关键词：单片行波放大器功率放大器
用于GaAs功率MESFET的新型钝化膜被引量：3
1998年
用直流反应溅射淀积的AlN薄膜对GaAs功率MESFET进行了钝化。给出了钝化后器件的直流特性。器件的直流参数BVGD、IDSS和Vp在钝化后几乎没有改变。还给出了器件的微波特性。实验证明，AlN钝化的器件性能较好，它是一种很有前途的GaAs钝化材料。
曹昕罗晋生陈堂胜陈克金
关键词：功率MESFET钝化ALN薄膜砷化镓
GaAs单片集成C波段低噪声FET放大器
1989年
南京电子器件研究所于1988年研制成功砷化镓单片集成C波段单级低噪声FET放大器。采用全集总电路结构,包含全部匹配电路,芯片尺寸0.63×0.84×0.2mm。在3.7～4.2GHz频率下测试,带内增益大于10dB,噪声系数小于2.5dB。
陈克金
关键词：GAASC波段单片集成
全离子注入C波段功率单片放大器及内匹配功率单片放大器
1997年
报道了全平面C波段功率单片放大器及四单片合成放大器研究结果。单片放大器采用全离子注入工艺，均匀性好，平均成品率40％，可靠性高。工作频率4．7—5．2GHZ，中心频率5．0GHz处输出功率2．5W，增益15dB，功率附加效率31．5％。单片放大器芯片面积2．8mm×2．0mm，四路合成的4×MMIC频率范围不变，中心频率4．95GHz处输出功率8．2W，增益13dB，功率附加效率26％，四路合成效率接近80％。实验结果与理论预测基本吻合。
宋山松王福臣陈克金陈堂胜蒋幼泉林金庭
关键词：微波集成电路功率FET内匹配功率放大器
C波段单片矢量调制器被引量：1
1994年
报道了Ｃ波段单片矢量调制器的设计和制作。采用双栅场效应晶体管（ＤＧＦＥＴ）放大器作为控制器。偏置电路在芯片内。采用集总薄膜电容、电感、电阻作为匹配元件。采用离子注入、背面通孔接地、空气桥跨接等先进工艺技术。描述了ＤＧＦＥＴ器件Ｓ参数的提取步骤。两路放大器和９０°相移网络制作在３．１５ｍｍ×２．５ｍｍ×０．１ｍｍ的芯片上，同相功分器制作在１．６（１．８）ｍｍ×２．９ｍｍ×０．１ｍｍ的芯片上。电路可获得在０～８７°内连续变化的相移量，输出幅度可控。
沈亚过常宁林金庭陈克金
关键词：微波元件集成电路矢量调制器移相器
2～12GHz　GaAs单片行波放大器被引量：1
1994年
报道了一个全平面超宽带ＧａＡｓ单片行波放大器的研究结果。该单片电路的核心部件是四个３００μｍ栅宽的ＭＥＳＦＥＴ，整个电路拓扑结构简单，芯片面积为３．０ｍｍ×１．８ｍｍ。电路经优化设计后在２～１２ＧＨｚ范围内，小信号增益为５±１ｄＢ，输入输出电压驻波比≤１．７５。上述频率范围内输出功率≥１６ｄＢｍ，噪声系数≤８ｄＢ。采用全离子注入、全平面工艺，均匀性、一致性良好。实验结果与设计预计值十分一致。
宋山松林金庭过常宁陈克金
关键词：微波元件行波放大器带宽电子器件
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