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陈克金
作品数:
29
被引量:26
H指数:3
供职机构:
南京电子器件研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
“八五”国家科技攻关计划
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相关领域:
电子电信
电气工程
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合作作者
林金庭
南京电子器件研究所
陈堂胜
南京电子器件研究所
曹昕
西安交通大学
罗晋生
西安交通大学
李祖华
南京电子器件研究所
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单片
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砷化镓
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功率放大
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场效应
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场效应晶体管
机构
29篇
南京电子器件...
4篇
西安交通大学
作者
29篇
陈克金
16篇
林金庭
9篇
陈堂胜
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年份
2篇
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1998
4篇
1997
4篇
1996
2篇
1995
5篇
1994
3篇
1993
3篇
1991
1篇
1990
2篇
1989
共
29
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C波段4W砷化镓功率场效应晶体管
被引量:1
1995年
介绍了C波段4W砷化镓功率场效应晶体管的设计考虑、器件结构和制作,讨论了所采用的一些新工艺,给出器件性能。在5.3GHZ下,器件1dB压缩点的输出功率≥4W,增益为6.5~7.5dB,功率附加效率≥35%。这种FET的多芯片运用具有优良的功率合成效率。
蒋幼泉
陈堂胜
李祖华
陈克金
盛文伟
关键词:
砷化镓
离子注入
功率
场效应晶体管
12GHz GaAs单片混频器
1995年
分析研究了一种新型12GHzGaAsMESFET单片混频器,这种混频器采用级联FET作为混频元件。射频(RF)和本振(LO)信号分别通过各自的匹配网络进入混频电路,在中频输出端用中频缓冲放大器代替通常的中频匹配电路。电路在厚0.2mm,面积1.5mm×1.2mm的GaAs基片上实现。设计的MMIC混频器在本振11GHz,射频11.7~12.2GHZ频率范围内的最大变频增益1.8dB。这一结果使进一步研究单片微波接收机成为可能。
钟慧卿
林金庭
陈克金
莫火石
关键词:
混频器
微波
单片集成电路
MESFET
砷化镓
用于GaAs贯穿注入和包封退火的AIN薄膜
1998年
用直流反应溅射淀积的AIN薄膜作包封介质对GaAs进行了贯穿注入和包封退火。用电化学C-V法测量了载流子的分布。实验结果与TRIM模拟结果符合得很好。用50nm的AIN包封进行贯穿注入和退火,得到了较小的标准偏差,较陡峭的载流子分布和较高的激活率。应用AIN包封层后,当注入能量180keV,注入剂量7.5×10~13cm~-2时,所得到的最高载流子浓度为1.84×10~18cm~-3,样品方块电阻为118Ω/□。
曹昕
罗晋生
陈堂胜
陈克金
关键词:
快速热退火
热退火
ALN薄膜
砷化镓
C波段GaAs单片有源环行器
1994年
C波段GaAs单片有源环行器岑元飞,林金庭,陈克金,樊晓龙(南京电子器件研究所,210016)AC-BandGaAsMonolithicActiveCirculator¥CenYuanfei;LinJinting;ChenKejin;FanXiaol...
岑元飞
林金庭
陈克金
樊晓龙
关键词:
C波段
砷化镓
有源
环行器
单片行波功率放大器
被引量:2
1996年
单片行波功率放大器陈雪军,林金庭,陈克金(南京电子器件研究所,210016)AMonolithicTravelingWavePowerAmplifier¥ChenXuejun;LinJiming;ChenKejin(NanjingElectronic...
陈雪军
林金庭
陈克金
关键词:
单片
行波放大器
功率放大器
用于GaAs功率MESFET的新型钝化膜
被引量:3
1998年
用直流反应溅射淀积的AlN薄膜对GaAs功率MESFET进行了钝化。给出了钝化后器件的直流特性。器件的直流参数BVGD、IDSS和Vp在钝化后几乎没有改变。还给出了器件的微波特性。实验证明,AlN钝化的器件性能较好,它是一种很有前途的GaAs钝化材料。
曹昕
罗晋生
陈堂胜
陈克金
关键词:
功率MESFET
钝化
ALN薄膜
砷化镓
GaAs单片集成C波段低噪声FET放大器
1989年
南京电子器件研究所于1988年研制成功砷化镓单片集成C波段单级低噪声FET放大器。采用全集总电路结构,包含全部匹配电路,芯片尺寸0.63×0.84×0.2mm。在3.7~4.2GHz频率下测试,带内增益大于10dB,噪声系数小于2.5dB。
陈克金
关键词:
GAAS
C波段
单片集成
全离子注入C波段功率单片放大器及内匹配功率单片放大器
1997年
报道了全平面C波段功率单片放大器及四单片合成放大器研究结果。单片放大器采用全离子注入工艺,均匀性好,平均成品率40%,可靠性高。工作频率4.7—5.2GHZ,中心频率5.0GHz处输出功率2.5W,增益15dB,功率附加效率31.5%。单片放大器芯片面积2.8mm×2.0mm,四路合成的4×MMIC频率范围不变,中心频率4.95GHz处输出功率8.2W,增益13dB,功率附加效率26%,四路合成效率接近80%。实验结果与理论预测基本吻合。
宋山松
王福臣
陈克金
陈堂胜
蒋幼泉
林金庭
关键词:
微波集成电路
功率FET
内匹配
功率放大器
C波段单片矢量调制器
被引量:1
1994年
报道了C波段单片矢量调制器的设计和制作。采用双栅场效应晶体管(DGFET)放大器作为控制器。偏置电路在芯片内。采用集总薄膜电容、电感、电阻作为匹配元件。采用离子注入、背面通孔接地、空气桥跨接等先进工艺技术。描述了DGFET器件S参数的提取步骤。两路放大器和90°相移网络制作在3.15mm×2.5mm×0.1mm的芯片上,同相功分器制作在1.6(1.8)mm×2.9mm×0.1mm的芯片上。电路可获得在0~87°内连续变化的相移量,输出幅度可控。
沈亚
过常宁
林金庭
陈克金
关键词:
微波元件
集成电路
矢量调制器
移相器
2~12GHz GaAs单片行波放大器
被引量:1
1994年
报道了一个全平面超宽带GaAs单片行波放大器的研究结果。该单片电路的核心部件是四个300μm栅宽的MESFET,整个电路拓扑结构简单,芯片面积为3.0mm×1.8mm。电路经优化设计后在2~12GHz范围内,小信号增益为5±1dB,输入输出电压驻波比≤1.75。上述频率范围内输出功率≥16dBm,噪声系数≤8dB。采用全离子注入、全平面工艺,均匀性、一致性良好。实验结果与设计预计值十分一致。
宋山松
林金庭
过常宁
陈克金
关键词:
微波元件
行波放大器
带宽
电子器件
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