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陈唏

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：北京大学物理学院技术物理系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 3篇晶格
  • 3篇MN
  • 3篇超晶格
  • 2篇导体
  • 2篇稀磁半导体
  • 2篇半导体
  • 2篇ZN
  • 1篇散射
  • 1篇碲化锌
  • 1篇喇曼
  • 1篇喇曼散射
  • 1篇光谱
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇光致发光谱
  • 1篇发光
  • 1篇ZNSE
  • 1篇ZNTE
  • 1篇DMS
  • 1篇MBE

机构

  • 3篇复旦大学
  • 3篇北京大学
  • 3篇中国科学院长...
  • 2篇中国科学院长...
  • 1篇中国科学院

作者

  • 3篇陈辰嘉
  • 3篇王迅
  • 3篇王学忠
  • 3篇凌震
  • 3篇陈唏
  • 3篇刘继周
  • 3篇李晓莅
  • 1篇吕少哲
  • 1篇周赫田
  • 1篇王杰
  • 1篇孔祥贵
  • 1篇王晶晶
  • 1篇李海涛

传媒

  • 2篇光谱学与光谱...
  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 1篇1998
  • 2篇1997
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
ZnTe/Zn_(1-x)Mn_xTe超晶格的喇曼散射被引量：2
1997年
在１３～３００Ｋ温度下研究了稀磁半导体ＺｎＴｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＴｅ超晶格的喇曼散射，观测到多个声子喇曼峰．在近共振条件下，峰的强度增强，线宽显著变窄，并观测到更多不同声子组合的喇曼散射峰．计算和分析了超晶格中应力引起的声子频移，与实验结果一致．
陈唏李晓莅刘继周刘继周周赫田王晶晶周赫田王学忠陈辰嘉凌震王杰
关键词：超晶格喇曼散射碲化锌
Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe/Cd_(1-y)Mn_yTe超晶格的光调制反射谱的研究
1998年
本文报道用分子束外延（ＭＢＥ）技术生长的Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ／Ｃｄ１－ｙＭｎｙＴｅ超晶格样品在８０Ｋ下的光调制反射谱实验结果。观测到１１Ｈ、２２Ｈ、３３Ｈ和１１Ｌ等激子跃迁结构。计及晶格失配导致的应力效应，对子能级结构进行了理论计算。实验结果与理论计算符合较好。
李海涛李晓莅陈唏陈唏陈辰嘉刘继周韩一龙陈辰嘉凌震王学忠
关键词：稀磁半导体超晶格MBEDMS
Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体ZnSe/Zn_(1-x)Mn_xSe超晶格中的应力效应
1997年
本文通过Ⅱ－Ⅵ族稀磁半导体超晶格ＺｎＳｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ的光致发光谱的测量，对其应力效应进行了讨论。样品的组分ｘ＝０．２，０．３，０．４，测量温度为Ｔ＝１１～３００Ｋ。结果表明：由于应力效应，ＺｎＳｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ超晶格中的激子能量随ｘ值增加而发生红移。在相同组分下，不同阱、垒宽度比使应力的分布产生明显变化，从而影响超晶格中激子能量，实验与理论计算结果相一致。超晶格中光致发光峰随温度的变化主要由其阱中ＺｎＳｅ能隙的变化所决定。
李晓莅陈唏刘继周刘继周王学忠陈辰嘉王学忠凌震
关键词：超晶格光致发光谱稀磁半导体
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