马德伟
- 作品数：12 被引量：4H指数：1
- 供职机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术化学工程更多>>
- ZnO基异质结发光二极管
- 本实用新型的ZnO基异质结发光二极管在衬底上自下而上依次由第一电极层、n－ZnO薄膜层、Cd<Sub>x</Sub>Zn<Sub>1－x</Sub>O基层、p－ZnO薄膜层、第二电极层沉积而成。本实用新型的ZnO基异质结...
- 叶志镇黄靖云马德伟赵炳辉
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- 退火对Zn<,1-x>Cd<,x>O薄膜结晶质量的影响
- 研究了退火对溅射沉积Zn<,1-x>Cd<,x>O薄膜(0≤x≤1.0)薄膜结晶质量的影响.结果发现:500℃下退火的薄膜具有最高的XRD衍射强度,但Cd组分含量较高(x≥0.6)的薄膜易发生CdO晶相的再蒸发现象.退火...
- 马德伟叶志镇黄靖云赵炳辉朱丽萍
- 关键词：退火溅射沉积
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- 直流反应磁控溅射Zn_(1-x)Cd)_xO薄膜的研究被引量：4
- 2003年
- 用直流反应磁控溅射法在n Si(111)和玻璃衬底上生长高度择优取向的Zn1-xCdxO合金晶体薄膜 ,最佳生长温度为 45 0℃ (x=0 2 ) .当x≤ 0 6时 ,Zn1-xCdxO薄膜具有纯ZnO的六角结构 ,x =0 8时 ,薄膜是由ZnO六角结构晶体和CdO立方结构晶体组成的混合物 .透射光谱测试表明 ,通过改变合金薄膜中Cd的含量 ,可以调节Zn1-x CdxO薄膜的禁带宽度 .
- 马德伟叶志镇黄靖云赵炳辉
- 关键词：磁控溅射禁带宽度
- 一种ZnO基发光二极管及其制备方法
- 本发明的ZnO基发光二极管在衬底上依次沉积n－ZnO薄膜，Cd<Sub>x</Sub>Zn<Sub>1－x</Sub>O基层，p－ZnO薄膜层，然后进行第一、第二、第三、第四次光刻，分别得到分割出的pn结单元，n－ZnO...
- 叶志镇袁国栋黄靖云曾昱嘉吕建国马德伟
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- 一种用于发蓝光器件的晶体薄膜的制备方法
- 本发明公开了用于发蓝光器件的Zn<Sub>1-x</Sub>Cd<Sub>x</Sub>O晶体薄膜(薄膜中Cd的含量为0＜x＜0.5)的制备方法，采用直流反应磁控溅射法，根据实际需要通过调节Cd的含量，可以调节Zn<Su...
- 叶志镇马德伟黄靖云赵炳辉
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- Ar/O<,2>比对Zn<,1-x>Cd<,x>O合金薄膜带隙的影响
- 研究了Ar/O<,2>比对溅射沉积Zn<,1-x>Cd<,x>O(x=0.1、0.2)薄膜带隙的影响.本实验所得的Zn<,1-x>Cd<,x>O薄膜全是(002)择优取向的,没有CdO分相发生.其它条件不变,随着Ar/O...
- 陈兰兰叶志镇赵炳辉马德伟林朝通
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- 一种ZnO基发光二极管
- 本设计的ZnO基发光二极管的结构是在衬底上依次沉积n－ZnO薄膜，Cd<Sub>x</Sub>Zn<Sub>1－x</Sub>O基层，p－ZnO薄膜层，形成n－ZnO/Cd<Sub>x</Sub>Zn<Sub>1－x</...
- 叶志镇袁国栋黄靖云曾昱嘉吕建国马德伟
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- Al—N共掺N<,2>O—O<,2>气氛中制备p型ZnO薄膜
- 本文采用Al·N共掺的方法在N<,2>O-O<,2>气氛中制备p型ZnO薄膜,并讨论了薄膜的电学性能随靶材中铝含量以及气氛中N<,2>O分压比的变化情况.在靶材中铝含量为0.04wt﹪,N<,2>O分压较低以及铝含量0....
- 诸葛飞朱丽萍叶志镇马德伟赵炳辉张正海吕建国
- 关键词：ZNO薄膜磁控溅射
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- ZnO基发光二极管
- 本发明的ZnO基发光二极管在衬底上自下而上依次由第一电极层、n－ZnO薄膜层、CdxZn<Sub>1－x</Sub>O基层、p－ZnO薄膜层、第二电极层沉积而成。ZnO基发光二极管的优点是：1)利用Cd掺杂对发光层禁带的...
- 叶志镇黄靖云马德伟赵炳辉
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- 一种用于发蓝光器件的晶体薄膜及其制备方法
- 本发明公开了用于发蓝光器件的Zn<Sub>1－x</Sub>Cd<Sub>x</Sub>O晶体薄膜，薄膜中Cd的含量为0＜x＜0.5，其制备采用采用直流反应磁控溅射法，根据实际需要通过调节Cd的含量，可以调节Zn<Sub...
- 叶志镇马德伟黄靖云赵炳辉
- 文献传递
