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高昆

作品数：2 被引量：3H指数：1
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家大学生创新性实验计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氧化物薄膜
  • 1篇原位掺杂
  • 1篇烧蚀
  • 1篇微波放电
  • 1篇稀土
  • 1篇稀土掺杂
  • 1篇介电
  • 1篇介电常数
  • 1篇金属氧化物薄...
  • 1篇激光
  • 1篇激光烧蚀
  • 1篇硅表面
  • 1篇硅衬底
  • 1篇高介电常数
  • 1篇GAN薄膜
  • 1篇材料制备技术
  • 1篇掺杂
  • 1篇衬底

机构

  • 2篇复旦大学

作者

  • 2篇孙剑
  • 2篇吴嘉达
  • 2篇高昆
  • 1篇卢意飞
  • 1篇施立群
  • 1篇许宁
  • 1篇干洁

传媒

  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种在硅衬底上制备高介电常数金属氧化物薄膜的方法
本发明属于材料制备技术领域，具体为一种在硅衬底上制备高介电常数金属氧化物薄膜的方法。本发明用物理气相沉积法在硅衬底表面沉积IIIA、IIIB或IVB族金属薄膜，然后用ECR微波放电产生的氧等离子体束流对沉积在硅表面的金属...
吴嘉达孙剑高昆干洁
文献传递
等离子体辅助脉冲激光沉积和原位掺杂方法制备稀土掺杂GaN薄膜被引量：3
2009年
利用基于双激光束双靶共烧蚀的等离子体辅助脉冲激光沉积的化合物薄膜沉积和原位掺杂方法，制备了稀土Er掺杂和Pr掺杂的GaN薄膜。基质膜层中的Ga和N化合成键形成GaN，其组织结构为六角GaN相，膜层具有良好的可见光至近红外的透光性能。改变两激光束的重复频率比可以获得0．2％～5％不等的Er或Pr的掺杂浓度，CaN基质的化学成键、组织结构和透光性能没有因稀土的掺入而发生明显的变化。
高昆卢意飞施立群孙剑许宁吴嘉达
关键词：原位掺杂激光烧蚀
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