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黄旋

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：重庆理工大学更多>>
相关领域：电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇电气工程

主题

  • 6篇二极管
  • 4篇氧化镓
  • 4篇异质结
  • 4篇异质结二极管
  • 2篇单级
  • 2篇氧化镍
  • 2篇势垒
  • 2篇双级
  • 2篇漂移区
  • 2篇重掺杂
  • 2篇外延层
  • 2篇肖特基
  • 2篇肖特基接触
  • 2篇肖特基势垒
  • 2篇肖特基势垒二...
  • 2篇漏电
  • 2篇耐压
  • 2篇高耐压
  • 2篇衬底
  • 2篇衬底材料

机构

  • 7篇重庆理工大学

作者

  • 7篇黄旋
  • 6篇廖飞
  • 2篇龚恒翔
  • 2篇梁霄
  • 1篇李辉
  • 1篇杨涛

年份

  • 1篇2024
  • 3篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2011
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
基于整个圆片的氧化镍/氧化镓异质结二极管及制备方法
本发明公开了基于整个圆片的氧化镍/氧化镓异质结二极管及制备方法，包括位于底部的阴极电极和位于顶部的阳极电极，以及位于阴极电极和阳极电极之间的半导体层，所述半导体层由底部至顶部包括n型高掺Ga<Sub>2</Sub>O<S...
何建锋黄旋廖飞
一种高耐压低漏电的Ga2O3肖特基势垒二极管
本发明公开了一种高耐压低漏电的Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>肖特基势垒二极管，包括位于底部的阴极电极，位于所述阴极电极上部的衬底，位于所述衬底上部的漂移层，其特征在于：在所述漂移层的背离衬底面设置...
廖飞黄旋龚恒翔梁霄张超群
文献传递
基于整片晶圆的氧化镍/氧化镓异质结二极管及制备方法
本发明公开了一种氧化镍/氧化镓异质结二极管及制备方法，包括位于底部的阴极电极和位于顶部的阳极电极，以及位于阴极电极和阳极电极之间的半导体层，所述半导体层由底部至顶部包括n型高掺Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3<...
何建锋黄旋廖飞
一种氧化镓pn异质结二极管
本发明公开了一种氧化镓pn异质结二极管，由下至上为阴极欧姆电极、Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底区、Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>漂移区、双层NiO<Sub>X</Sub...
廖飞黄旋张小寒
一种高耐压低漏电的Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>肖特基势垒二极管
本发明公开了一种高耐压低漏电的Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>肖特基势垒二极管，包括位于底部的阴极电极，位于所述阴极电极上部的衬底，位于所述衬底上部的漂移层，其特征在于：在所述漂移层的背离衬底面设置...
廖飞黄旋龚恒翔梁霄张超群
文献传递
一种氧化镓pn异质结二极管
本发明公开了一种氧化镓pn异质结二极管，由下至上为阴极欧姆电极、Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底区、Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>漂移区、双层NiO<Sub>X</Sub...
廖飞黄旋张小寒
自调速式高楼逃生器
本实用新型公开了一种自调速式高楼逃生器，在主轴上套设有滚筒，滚筒上缠绕有逃生绳。在滚筒至少一端设有摩擦制动机构，摩擦制动机构主要由主动摩擦片、从动摩擦片和离心块组成，从动摩擦片套在主轴上并与滚筒固定，主动摩擦片空套在主轴...
杨涛黄旋李辉
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