介伟伟
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：四川师范大学物理与电子工程学院更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 六方GaN空位缺陷的电子结构被引量：2
- 2010年
- 用基于密度泛函理论平面波超软赝势法对六方GaN空位型本征点缺陷进行了理论研究.计算了GaN、Ga0.875N,Ga0.750N,GaN0.875和GaN0.750等5种模型(Ga和N不同比例情况下的空位型GaN)的能带结构、差分电子密度、电子态密度,详细讨论了各种空位缺陷对GaN性能的影响.结果显示,带隙宽度随着Ga空位或N空位的增加而不断增大,Ga空位是一种受主缺陷,N空位是施主缺陷;N空位的增加导致GaN电导率的下降.
- 介伟伟杨春
- 关键词：第一性原理态密度
- GaN表面缺陷及其扩散的理论研究
- 本论文选择基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对GaN晶体和极性表面的缺陷结构进行了模拟计算。所有的计算均采用Materials Studio 4.0中的CASTEP软件包。
首先,计算了六方GaN、Ga0...
- 介伟伟
- 关键词：GAN密度泛函理论点缺陷扩散
- 文献传递
- GaN基SrTiO_3薄膜的生长偏转模型和模拟研究
- 2010年
- 构建了SrTiO_3(STO)薄膜在GaN基底(0001)表面沿不同方向偏转10°、20°、30°、40°和50°具有不同界面结构的生长模型,采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法对GaN(0001)表面外延生长不同方向的STO进行了总能量模拟计算。结果表明,在晶格失配小的理想外延方向即[1-10]SrTiO_3//[10-10]GaN的能量最高,结构不稳定;而随着STO[1-10]沿GaN[10-10]方向角度的偏转,能量迅速降低,偏转角度为30°时能量最低,即外延关系为[1-10]SrTiO_3//[11-20]GaN时最稳定,与实验结果一致.能量计算结果表明,STO/GaN磁电薄膜有利于形成STO-Ti-GaN的界面结构。
- 黄平杨春介伟伟
- 关键词：材料表面与界面密度泛函理论
