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何悦

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
相关领域：电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文专利

领域

  • 2篇电气工程

主题

  • 7篇电池
  • 7篇太阳电池
  • 7篇晶体硅
  • 7篇晶体硅太阳电...
  • 7篇硅太阳电池
  • 5篇抗反射
  • 3篇点接触
  • 3篇双层膜
  • 3篇光电转换
  • 3篇光电转换效率
  • 2篇电极接触
  • 2篇异质结
  • 2篇酸处理
  • 2篇体硅
  • 2篇微晶
  • 2篇硅薄膜
  • 2篇硅基
  • 2篇硅基底
  • 2篇发射极
  • 2篇长波

机构

  • 7篇中国科学院

作者

  • 7篇窦亚楠
  • 7篇何悦
  • 7篇褚君浩
  • 5篇王建禄
  • 4篇马晓光
  • 3篇江作
  • 3篇王涛
  • 2篇王永谦

年份

  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 3篇2011
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种带有本征层的异质结结构的晶体硅太阳电池
本专利公开了一种带有本征层的异质结结构的晶体硅太阳电池，该晶体硅太阳电池包括晶体硅基底和上下非晶氧化铝钝化介质层，上表面非晶氧化铝钝化介质层之上为p型掺杂非晶硅碳薄膜和TCO层，下表面非晶氧化铝钝化介质层之下为n型掺杂非...
褚君浩窦亚楠何悦王永谦马晓光
文献传递
一种背面点接触晶体硅太阳电池
本专利公开了一种背面点接触晶体硅太阳电池，该电池采用氮化硅/氧化铝双层膜钝化前表面，采用氧化铝/氮化硅双层膜钝化背表面，背面采用点接触导出电流。其制备方法包括氮化硅的制备和氧化铝的制备，背面氧化铝/氮化硅的开孔及损伤层的...
窦亚楠何悦王涛江作王建禄褚君浩
文献传递
一种晶体硅太阳电池及其制备方法
本发明公开了一种晶体硅太阳电池及制备方法，该晶体硅太阳电池包括pn+结硅基底，n+发射极表面有第一非晶氧化铝层和非晶氮化硅层，银电极穿过非晶氮化硅层和第一非晶氧化铝层与n+发射极连接，p型基底表面有复合钝化介质层，包括氧...
褚君浩窦亚楠何悦王建禄马晓光
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带有本征层的异质结结构的晶体硅太阳电池及制备方法
本发明公开了一种带有本征层的异质结结构的晶体硅太阳电池及制备方法，该晶体硅太阳电池包括晶体硅基底和上下非晶氧化铝钝化介质层，上表面非晶氧化铝钝化介质层之上为p型掺杂非晶硅碳薄膜和TCO层，下表面非晶氧化铝钝化介质层之下为...
褚君浩窦亚楠何悦王永谦马晓光
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一种背面点接触晶体硅太阳电池及制备方法
本发明公开了一种背面点接触晶体硅太阳电池及制备方法，该电池采用氮化硅/氧化铝双层膜钝化前表面，采用氧化铝/氮化硅双层膜钝化背表面，背面采用点接触导出电流。其制备方法包括氮化硅的制备和氧化铝的制备，背面氧化铝/氮化硅的开孔...
窦亚楠何悦王涛江作王建禄褚君浩
一种晶体硅太阳电池及其制备方法
本发明公开了一种晶体硅太阳电池及制备方法，该晶体硅太阳电池包括pn+结硅基底，n+发射极表面有第一非晶氧化铝层和非晶氮化硅层，银电极穿过非晶氮化硅层和第一非晶氧化铝层与n+发射极连接，p型基底表面有复合钝化介质层，包括氧...
褚君浩窦亚楠何悦王建禄马晓光
一种背面点接触晶体硅太阳电池及制备方法
本发明公开了一种背面点接触晶体硅太阳电池及制备方法，该电池采用氮化硅/氧化铝双层膜钝化前表面，采用氧化铝/氮化硅双层膜钝化背表面，背面采用点接触导出电流。其制备方法包括氮化硅的制备和氧化铝的制备，背面氧化铝/氮化硅的开孔...
窦亚楠何悦王涛江作王建禄褚君浩
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