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侯育东

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：北京工业大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 2篇电子源
  • 2篇膜层
  • 2篇厚度
  • 2篇发射电流
  • 2篇层膜
  • 2篇场发射阴极
  • 1篇陶瓷靶材
  • 1篇退火
  • 1篇退火时间
  • 1篇热压
  • 1篇热压法
  • 1篇工作气压
  • 1篇靶材
  • 1篇SUB
  • 1篇衬底
  • 1篇衬底温度

机构

  • 3篇北京工业大学

作者

  • 3篇严辉
  • 3篇宋雪梅
  • 3篇王波
  • 3篇侯育东
  • 3篇汪浩
  • 3篇王如志
  • 2篇朱满康
  • 1篇李杨超
  • 1篇赵学平
  • 1篇张铭
  • 1篇董国波

年份

  • 2篇2009
  • 1篇2005
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
多层超薄膜结构增强场发射阴极制备方法
本发明涉及一种电子发射阴极结构的制备，适用于平面显示器件或电子源阴极材阴极。本发明步骤：选定金属或n掺杂半导体，作为电子供给层；选择多层膜构成组分，选择原则为：组分材料的电子亲和势应存在差异；设计多层膜，层数至少两层，且...
王如志严辉王波朱满康侯育东宋雪梅汪浩
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多层超薄膜结构增强场发射阴极制备方法
本发明涉及一种电子发射阴极结构的制备，适用于平面显示器件或电子源阴极材阴极。本发明步骤：选定金属或n掺杂半导体，作为电子供给层；选择多层膜构成组分，选择原则为：组分材料的电子亲和势应存在差异；设计多层膜，层数至少两层，且...
王如志严辉王波朱满康侯育东宋雪梅汪浩
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p型透明氧化物半导体CuCrO<Sub>2</Sub>薄膜材料的制备方法
本发明涉及一种p型透明氧化物半导体CuCrO<Sub>2</Sub>薄膜材料的制备方法。该方法是将纯度均为99.9％的Cu<Sub>2</Sub>O粉体和Cr<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>粉体按Cu与...
张铭赵学平董国波李杨超严辉王波宋雪梅王如志侯育东汪浩
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