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冯庆荣: 作品数：86 被引量：101H指数：6; 供职机构：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室更多>>; 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家基础科学人才培养基金更多>>; 相关领域：理学一般工业技术电气工程文化科学更多>>

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基于Mg(BH4)2前驱体制备MgB2超导材料的方法: 本发明公开了一种基于Mg(BH4)2前驱体制备MgB2超导材料的方法。以Mg(BH4)2为前驱体，在真空条件下...; 杨鋆智杜臻英张旋洲郑捷冯庆荣李星国

MgB2超薄膜的制备和性质研究被引量：2: 2011年; 利用混合物理化学气相沉积法在6H-SiC(001)衬底上制备干净的MgB2超导超薄膜.在本底气体压强、载气氢气流量等条件一定的情况下,改变B2H6流量及沉积时间,制备得到不同厚度的系列MgB2超薄膜样品,并研究了超导转变温度Tc、剩余电阻率ρ(42K)、上临界磁场Hc2等与膜厚的关系.该系列超薄膜沿c轴外延生长,随膜厚度的变小,Tc(0)降低,ρ(42K)升高.膜在衬底上的生长遵循Volmer-Weber岛状生长模式.对于厚度为7.5nm的MgB2超薄膜,Tc(0)=32.8K,ρ(42K)=118μΩcm,是迄今为止所观测到的厚度为7.5nm的MgB2超薄膜最高的Tc值;对于厚度为10nm的MgB2膜,Tc(0)=35.5K,ρ(42K)=17.7μΩcm,上临界磁场μ0Hc2估算为12T左右,零磁场、4K时的临界电流密度Jc=1.0×107A/cm2,是迄今为止10nm厚MgB2超薄膜的最高Jc值,且其表面连接性良好,均方根粗糙度为0.731nm.这预示MgB2超薄膜在超导纳米器件上具有广阔的应用前景.; 孙玄黄煦王亚洲冯庆荣; 关键词：薄膜生长

混合物理化学气相沉积法制备Al2O3衬底MgB2薄膜性质的研究: 本文用混合物理化学气相沉积(HybridPhysical-ChemicalVaporDeposition简称为HPCVD)法在Al2O3(00l)衬底上原位制备了MgB2超导薄膜样品.样品厚度约为1μm左右,最高的超导起...; 丁莉莉姚丹陈莉萍庄承钢张开诚陈晋平熊光成冯庆荣; 关键词：化学气相沉积法; 文献传递

MgB_2中的超导电性被引量：4: 2002年; 2001年1月发现的MgB_2超导体,其超导转变温度高达39K,是所有金属间化合物及合金超导体中最高的,它的结构简单,制造成本低,很有可能被发展成实用超导体,综述了有关研究进展,其中包括:电子结构,高Tc机理和超导参数(Debye温度、电子比热系数、临界磁场、相干长度、穿透深度、能隙、临界电流和磁通蠕动速率),进而讨论与输电应用相关的问题。; 戴闻冯庆荣高政祥; 关键词：MGB2 超导电性输电性能硼化镁超导转变温度

MgB2超导膜的厚度与其Jc(5K，0T)的关系: 2013年; 通过混合物理化学气相沉积法(hybrid physical-chemical vapor deposition,HPCVD),在(000l)SiC衬底上制得一系列从10 nm到8μm的MgB2超导膜样品,并对它们的形貌、超导转变温度Tc和临界电流密度Jc与膜厚度的关系进行了研究.观察到Tc随膜厚度增加上升到最大值后,尽管膜继续增厚,但Tc值保持近乎平稳,而Jc则先随膜厚度增加上升到最高值后,继而则随膜的厚度的增加而下降.MgB2膜的Tc(0)和Tc(onset)值与膜厚的关系基本一致,Tc(0)在膜厚为230 nm处达到最大值Tc(0)=41.4 K,而Jc(5K,0T)在膜厚为100 nm时达到最大值,Jc(5 K,0 T)=2.3×108A·cm-2,这也说明了我们能用HPCVD方法制备出高质量干净MgB2超导膜.本文研究的超导膜厚度变化跨度非常大,从10 nm级的超薄膜到100 nm级的薄膜,再到几微米的厚膜,如此Tc和Jc对膜厚度变化的依赖就有了较完整、成体系的研究.并且本文的工作对MgB2超导薄膜制备的厚度选取具有实际应用意义.; 陈艺灵张辰何法王达王越冯庆荣; 关键词：厚度临界电流密度

钛离子辐照对MgB_2超导薄膜的载流能力和磁通钉扎能力的影响被引量：1: 2012年; 利用混合物理化学气相沉积法(hybrid physical-chemical vapor deposition,HPCVD)可以制备出高性能的MgB2超导薄膜,再对薄膜进行钛(Ti)离子辐照处理.经过辐照处理后的样品被掺入了Ti元素,与未处理的干净MgB2样品相比,其超导转变温度没有出现大幅度的下降,而在外加磁场下的临界电流密度得到了明显的提高,同时样品的上临界磁场也得到了提高.在温度5 K,外加垂直磁场为4 T的情况下,Ti离子辐照剂量为1×10^(13)/cm^2的样品的临界电流密度达到了1.72×10~5A/cm^2,比干净的MgB_2要高出许多,而其超导转变温度仍能维持在39.9 K的较高水平.; 王银博薛驰冯庆荣; 关键词：MGB2超导薄膜

高质量的干净极限与脏极限MgB2超导薄膜: 2008年; 利用混合物理化学气相沉积法(hybrid physical-chemical vapor deposition),在0001取向的SiC和Al2O3上原位制备了高质量的c轴外延MgB2薄膜,样品具有高于41K的零转变温度,超导剩余电阻率ρ(42K)<0.5μΩcm,很好地吻合第一原理计算的干净极限行为。X射线相分析图谱上没有MgO的衍射峰出现说明这种方法极大程度上避免了MgB2制备过程最易出现的"氧污染"。较高的磁电阻和低温低场条件下不存在磁通跳跃都说明了样品非常干净。借助一种改进的双加热丝装置,我们在干净MgB2样品基础上实现了可控的碳掺杂,掺碳后的样品超导临界温度下降,剩余电阻率升高,电子平均自由程由于杂质散射作用的增强而得到显著抑制,为符合脏极限的超导样品。; 庄承钢孟胜张从尧杨欢贾颖闻海虎郗小星冯庆荣甘子钊; 关键词：碳掺杂