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脉冲激光烧蚀沉积ZnSe簿膜的研究: 我们用248nm 的KrF 准分子脉冲激光烧蚀ZnSe 靶材沉积ZnSe薄膜。靶采用多晶ZnSe片,衬底采用抛光GaAs(100)。衬底预处理采用化学刻蚀和高温处理。原子力显微镜(AFM)观察显示在GaAs(100)沉积...; 许宁杜元成应质峰凌浩李富铭; 关键词：激光烧蚀; 文献传递

一种薄膜材料非平衡原位掺杂的制备方法: 本发明是一种实施非平衡原位掺杂从而制备掺杂薄膜的新方法。即以一脉冲激光束烧蚀作为薄膜基质的源材料靶、在以脉冲激光沉积方法进行基质膜层沉积的同时，用另一脉冲激光束烧蚀作为掺杂元素的源材料靶，将杂质元素均匀掺入在沉积生长过程...; 吴嘉达孙剑凌浩; 文献传递

一种薄膜材料非平衡原位掺杂的制备方法: 本发明是一种实施非平衡原位掺杂从而制备掺杂薄膜的新方法。即以一脉冲激光束烧蚀作为薄膜基质的源材料靶、在以脉冲激光沉积方法进行基质膜层沉积的同时，用另一脉冲激光束烧蚀作为掺杂元素的源材料靶，将杂质元素均匀掺入在沉积生长过程...; 吴嘉达孙剑凌浩; 文献传递

以GaAs为原材料低温制备GaN薄膜: 以GaAs 为靶材料,用等离子体辅助反应脉冲激光沉积方法制备GaN 薄膜。我们在ECR 氮等离子体环境中用脉冲激光烧蚀多晶GaAs 靶进行GaN 薄膜的低温合成沉积。成分分析显示,得到的薄膜为富氮的GaN,各组份在膜层中...; 凌浩应质峰吴嘉达孙剑施维杜元成李富铭; 关键词：氮化镓砷化镓等离子体; 文献传递

激光诱导等离子体中铜原子和铜离子的时空行为被引量：4: 2002年; 通过光谱观察 ,考察了激光诱导铜等离子体的动力学过程和等离子体成分的时空行为 .不同能量的等离子体粒子 ,产生的机制不同 ,在时空演变过程中显示的行为不同 ,它们受背景气氛的影响也不同 .; 凌浩吴嘉达应质峰孙剑许宁李富铭; 关键词：铜离子激光烧蚀激光诱导等离子体电离

退火对CN_x薄膜光学性质的影响: 2003年; 报道了退火对电子回旋共振 (ECR)辅助脉冲激光溅射方法制备的CNx 薄膜样品光学性质的影响 .X射线衍射(XRD)结果显示CNx 薄膜基本为无定形结构 ,但存在微量的多晶结构 .拉曼散射谱显示所制备的CNx 薄膜样品主要由CN、少量的C—C和微量的CN组成 .随着退火温度的升高 ,拉曼散射谱不但在 135 7cm-1附近出现了一个新峰 (新峰对应无序的CN键 ) ,而且CN和CN的相对含量比随着退火温度的提高大致呈先减小后增大再减小的趋势 ,从而证实在退火过程中部分N原子发生了迁移 .椭偏仪所测量的CNx 薄膜的光学常数表明退火温度对ε1、ε2 、n、k的大小和谱线的形状均产生了显著影响 .结合拉曼散射谱可断定其原因为退火改变了CNx 薄膜样品的内部结构和键结构 .实验中得到的ε1、ε2 、n、k随光子能量的变化关系可用洛伦兹色散理论得到很好解释 .; 郜小勇张晋敏凌浩王松有吴嘉达杨月梅陈良尧; 关键词：椭偏光谱电子回旋共振反常色散拉曼散射 X射线衍射

常温下微波等离子体和激光联合处理材料表面的方法: 本发明是一种常温下用微波等离子体和激光束联合对材料表面实施改性处理的方法。现有技术尚未见该类报道。本项发明的方法是：对特定的工作气体进行电子回旋共振微波放电产生微波等离子体，将等离子体引入材料处理室，同时将激光束引入材料...; 吴嘉达孙剑凌浩; 文献传递

脉冲激光烧蚀沉积ZnSe薄膜的研究: 我们用248nm的KrF准分子脉冲激光烧蚀ZnSe靶材沉积ZnSe薄膜.靶采用多晶ZnSe片,衬底采用抛光GaAs(100).衬底预处理采用化学刻蚀和高温处理.原子力显微镜(AFM)观察显示在GaAs(100)沉积的Zn...; 许宁杜元成应质峰凌浩李富铭; 关键词：激光烧蚀; 文献传递

特定气氛中的脉冲激光烧蚀及其在薄膜制备上的应用: 该文的研究对象是真空和多种背景气氛中的PLA的过程和由此引发的PLA等离子体特性,以及以特定气氛中PLA为基础的、活性源辅助的脉冲激光沉积(pulsed laser deposition,PLD)的方法和机理,并尝试将此...; 凌浩; 关键词：脉冲激光烧蚀脉冲激光沉积 ECR等离子体

一种常温下制备化合物薄膜的方法: 本发明是一种在常温条件下合成制备化合物薄膜材料的方法。现有技术尚无把电子回旋共振微波放电技术和脉冲激光沉积技术结合起来制备薄膜材料的方法。本项发明的方法是：在电子回旋共振条件下对特定的工作气体进行微波放电产生微波等离子体...; 吴嘉达李富铭凌浩孙剑; 文献传递

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凌浩