刘晓峰
- 作品数：5 被引量：20H指数：2
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- 低温AlN插入层降低硅基GaN膜微裂
- 2006年
- 为了降低MOCVD外延硅基GaN膜层中的应力、减少硅基厚GaN层的微裂;在高温GaN层中插入低温A lN。低温A lN插入层可平衡HT-GaN生长和降温过程引起的张应力,降低厚膜外延层的微裂,已研制出厚度超过1.8微米无微裂GaN外延层。本文重点研究了低温A lN生长温度对HT-GaN材料的影响,给出了较佳的LT-A lN生长温度。采用扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)和高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD),对样品进行了测试分析。试验和测试结果表明低温A lN的生长温度至关重要,生长温度过低影响GaN晶体质量,甚至不能形成晶体;生长温度过高同样会影响GaN结晶质量,同时降低插入层的应力平衡作用;实验结果表明最佳的LT-A lN插入层的生长温度为680℃左右。
- 冯玉春刘晓峰王文欣彭冬生郭宝平
- 关键词：SI(111)GANAIN
- 预处理蓝宝石衬底上生长高质量GaN显示薄膜(英文)被引量：2
- 2008年
- 采用化学方法腐蚀部分c-面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用LP-MOCVD在此经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜。采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、光致发光光谱(PL)、透射光谱分析GaN薄膜的晶体质量和光学质量。分析结果表明,GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致,即透射率越大,半高宽越小,结晶质量越好;对蓝宝石衬底进行前处理可以大大改善GaN薄膜的晶体质量和光学质量,其(0002)面及(102)面XRD半高宽(FWHM)分别降低到208.80arcsec及320.76arcsec ,而且其光致发光谱中的黄光带几乎可以忽略。
- 彭冬生冯玉春牛憨笨刘晓峰
- 关键词：MOCVD表面处理GAN薄膜
- 超晶格插入层对Si基上GaN薄膜位错密度的影响(英文)被引量：1
- 2008年
- 为了降低MOCVD外延生长Si基GaN的缺陷密度,尝试引入超晶格插入层。界面突变的超晶格插入层能有效地阻挡由缓冲层延伸出来的位错。即使超晶格本身也产生位错,但位错的产生率比阻挡率低,所以超晶格总体起阻挡作用,可以减少后续生长的HT-GaN(高温氮化镓)的位错密度。研究了超晶格厚度对HT-GaN的位错密度的影响,比较了超晶格厚度不同的3个样品,并采用高分辨双晶X射线衍射(DCXRD)对GaN进行结晶质量的分析,分别用H3PO4+H2SO4混合溶液和熔融KOH对样品进行腐蚀并用扫描电子显微镜(SEM)对腐蚀的样品进行观察。用H3PO4+H2SO4腐蚀过的样品比用KOH腐蚀过的样品的位错密度大,进一步验证了之前有报道过的H3PO4+H2SO4溶液同时腐蚀螺位错和混合位错而KOH只腐蚀螺位错。分析结果表明,引入适当厚度的超晶格插入层,可以有效地降低后续生长的GaN的位错密度。
- 刘晓峰冯玉春彭冬生
- 关键词：GANSI(111)超晶格位错密度
- 蓝宝石表面处理对氮化镓薄膜的影响被引量：3
- 2007年
- 采用化学方法腐蚀c-面蓝宝石衬底,以形成一定的图案;利用LP-MOCVD在经过不同腐蚀时间的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射仪、三维视频光学显微镜、扫描电子显微镜和原子力显微镜进行分析.结果表明,对蓝宝石衬底腐蚀50 min情况下,外延生长的GaN薄膜晶体质量最优,其(0002)面上的XRD半峰全宽为202 .68arcsec ,(10-12)面上的XRD半峰全宽为300 .24arcsec ;其均方根粗糙度(RMS)为0 .184 nm.
- 彭冬生冯玉春王文欣刘晓峰施炜牛憨笨
- 关键词：表面处理MOCVDGAN薄膜
- 一种外延生长高质量GaN薄膜的新方法被引量：15
- 2006年
- 采用化学方法腐蚀c-面蓝宝石衬底,以形成一定的图案;利用LP-MOCVD在经过表面处理的蓝宝石衬底上以及常规c-面蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、三维视频光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)进行分析,结果表明,在经过表面处理形成一定图案的蓝宝石衬底上外延生长的GaN薄膜明显优于在常规蓝宝石衬底上外延生长的GaN薄膜,其(0002)面上的XRDFWHM为208.80弧秒,(1012)面上的为320.76弧秒.同时,此方法也克服了传统横向外延生长技术(LEO)工艺复杂和晶向倾斜高的缺点.
- 彭冬生冯玉春王文欣刘晓峰施炜牛憨笨
- 关键词：表面处理MOCVDGAN薄膜
