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周华杰
作品数:
62
被引量:3
H指数:1
供职机构:
中国科学院微电子研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
国家重点基础研究发展计划
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相关领域:
电子电信
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合作作者
徐秋霞
中国科学院微电子研究所
宋毅
中国科学院微电子研究所
朱慧珑
中国科学院微电子研究所
许高博
中国科学院微电子研究所
陈大鹏
中国科学院微电子研究所
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机构
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中国科学院微...
作者
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周华杰
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徐秋霞
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宋毅
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朱慧珑
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一种调节全硅化金属栅的栅功函数的方法
本发明公开了一种调节全硅化金属栅的栅功函数的方法,包括:局部氧化隔离或浅槽隔离,进行注入前氧化,然后注入<Sup>14</Sup>N<Sup>+</Sup>;漂净注入前氧化膜,栅氧化,并沉积多晶硅;光刻、刻蚀形成多晶硅栅...
周华杰
徐秋霞
文献传递
一种全硅化金属栅的制备方法
一种全硅化金属栅电极的制备方法,包括:局部氧化隔离或浅槽隔离,进行注入前氧化,然后注入<Sup>14</Sup>N<Sup>+</Sup>;漂净注入前氧化膜,栅氧化,并沉积多晶硅;光刻、刻蚀形成多晶硅栅电极;注入杂质,并...
周华杰
徐秋霞
文献传递
一种场效应晶体管的制备方法
本申请公开了一种场效应晶体管的制造方法,包括:在半导体衬底上形成鳍片;在所述鳍片的顶部和侧面形成栅堆叠结构;在所述栅堆叠结构两侧的鳍片中形成源/漏结构;其中,所述鳍片下方的半导体衬底中包括隔离介质层。本发明在体硅衬底上制...
周华杰
宋毅
徐秋霞
文献传递
一种制备极短栅长体硅围栅MOSFETs的方法
一种制备体硅围栅纳米线MOSFETs的方法:局部氧化隔离或浅槽隔离,在体硅上垫积三层介质膜(缓冲SiO<Sub>2</Sub>氧化层/SiN/氧化物介质层),电子束曝光,刻蚀凹槽和fin,垫积SiN侧墙,各向同性刻蚀Si...
宋毅
徐秋霞
周华杰
N型MOSFET的制造方法
公开了一种N型MOSFET的制造方法,该方法包括:在半导体衬底上形成MOSFET的一部分,包括位于半导体衬底中的源/漏区、在半导体衬底上方位于源/漏区之间的假栅叠层、以及围绕假栅叠层的栅极侧墙;去除MOSFET的假栅叠层...
徐秋霞
朱慧珑
许高博
周华杰
文献传递
半导体器件制造方法
本发明提供了一种半导体器件制造方法,用于叠层晶体管的制造,基于多层Si材料层和多层SiGe材料层交替堆叠组成的叠层结构而形成鳍片,并通过选择性地去除其中的SiGe材料层、形成栅极堆栈,非常方便地形成了以多层Si材料层为沟...
徐唯佳
马小龙
殷华湘
周华杰
徐秋霞
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一种鳍型场效应晶体管的制备方法
本发明公开了一种鳍型场效应晶体管的制造方法,包括:在半导体衬底上形成Ω形鳍片;在所述Ω形鳍片的顶部及侧面形成栅堆叠结构;在所述栅堆叠结构两侧的Ω形鳍片中形成源/漏结构;金属化。其中,除所述Ω形鳍片底部通过较窄的硅条与半导...
周华杰
徐秋霞
宋毅
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电子束正性光刻胶Zep 520掩蔽介质刻蚀的方法
一种电子束正性光刻胶Zep 520掩蔽介质刻蚀的方法,在介质瞙上沉积一层α-Si薄膜,然后将电子束直写光刻技术得到的高分辨率Zep 520胶图形作为掩瞙,用氯(Cl)基等离子刻蚀α-Si,将高分辨率Zep 520胶图形转...
徐秋霞
周华杰
文献传递
一种半导体场效应晶体管的制备方法
本申请公开了一种半导体场效应晶体管的制造方法,包括:形成具有局部埋层隔离介质层的局部绝缘体上硅(SOI)结构的半导体衬底;在所述局部埋层隔离介质层上方的硅衬底上形成鳍片;在所述鳍片顶部和侧面形成栅堆叠结构;在所述栅堆叠结...
周华杰
徐秋霞
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P型MOSFET的制造方法
公开了一种P型MOSFET的制造方法,该方法包括:在半导体衬底上形成MOSFET的一部分,包括位于半导体衬底中的源/漏区、在半导体衬底上方位于源/漏区之间的假栅叠层、以及围绕假栅叠层的栅极侧墙;去除MOSFET的假栅叠层...
徐秋霞
朱慧珑
周华杰
许高博
梁擎擎
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