周心明
- 作品数：20 被引量：14H指数：3
- 供职机构：四川大学材料科学与工程学院材料科学系更多>>
- 发文基金：中国工程物理研究院基金国家自然科学基金中国工程物理研究院院外基金更多>>
- 相关领域：电气工程理学电子电信金属学及工艺更多>>
- Si:H薄膜的微结构及输运性质被引量：3
- 1989年
- 用扫描电镜观察Si:H薄膜的剖面,发现用平板电极沉积的Si:H薄膜呈柱状结构,而用环形电极沉积的膜具有层状结构。喇曼谱和X射线谱表明,这两种结构对应于微晶相的存在。测定薄膜的暗电导与温度间的关系,发现薄膜的电导激话能为各向异性。联系耦合方式讨论了薄膜的生长机制。
- 周心明郑家贵曾家玉黄天荃邱淑蓁蔡亚平徐晓菲冯良桓
- 关键词：微结构输运性质
- 非晶硅太阳电池衰降的机制及特征分析
- 1992年
- 对不同类型的非晶硅电池进行了老化试验,并对性能衰降数据进行了统计、分析、对比和分类,从而归纳出非晶硅太阳电池衰降的基本过程为光诱导效应引起的衰降,非晶硅膜局部薄弱点引起的衰降,环境引起的衰降和扩散引起的衰降。对这些过程的特征进行了分析和讨论.
- 郑家贵冯良桓周心明蔡伟蔡亚平罗昭和
- 关键词：太阳能电池非晶硅
- α-Si:H太阳电池的光照及热处理研究
- 1993年
- 研究了各种光照和热处理对p-i-n型α-Si:H太阳电池性能和稳定性的影响,发现电池性能的衰降主要表现为填充因子的减小,在80—120℃间进行热处理能改善电池的稳定性,并对实验结果进行了分析讨论.
- 郑家贵冯良桓周心明邱上源蔡伟罗昭和蔡亚平
- 关键词：光照稳定性太阳能电池
- 非晶硅光位敏探测器的开发
- 1993年
- 以横向光伏效应为工作模式,采用全非晶硅的Pin结构,研制了一维可见光波段的光位敏探测器(PSD_s).测试结果表明,该探测器的光位敏度可达9.7mV/mm,光讯号—位移的线性探测区占有效探测总面积的65％,而最大有效光敏面积约为2cm^2.
- 杜开瑛杨熹伍红跃冯良桓周心明邱上源
- 关键词：非晶硅探测器
- 有碲化锌复合背接触层的碲化镉太阳电池研究
- 碲化镉太阳电池的流行结构为n-CdS/p-CdTe。采用ZnTe:Cu作背接触层,再在p-CdTe和ZnTe:Cu之间引入不掺杂的ZnTe作过渡层,以改进这种电池的结构特性和载流子收集。从实验上对三种结构的 CdTe太阳...
- 冯良桓蔡伟郑家贵蔡亚平黎兵张静全武莉莉朱居木邵烨周心明
- 关键词：碲化镉太阳电池
- 文献传递
- α-Si:H太阳电池的反偏压和强脉冲光照研究被引量：1
- 1991年
- 研究了各种反向偏压和强脉冲光照对 a-Si:H 太阳电池性能的影响。发现在室温下进行3～5V、30分的反偏压处理能改善电池的性能。证明了经室内光照和室外长期暴露,反偏压处理和强脉冲光照/热退火循环能减少电池的光致衰降,提高电池的稳定性。
- 郑家贵周心明冯良桓
- 关键词：非晶硅太阳能电池偏压光照
- Cr_2O_3涂层对Al_2O_3绝缘瓷二次电子发射特性的影响被引量：3
- 2001年
- 用Ｃｒ２Ｏ３涂复ａ－Ａｌ２Ｏ３绝缘瓷表面，并经热退火处理．观测了它们的二次电子发射系数、ＳＥＭ、ＸＲＤ、ＸＰＳ和ＥＥＬＳ．发现样品在退火后，涂层元素扩散进了Ａｌ２Ｏ３陶瓷基底，生成了新相；根据ＸＰＳ和ＥＥＬＳ的分析结果，表面层能隙减小，能隙中的缺陷态、杂质态及表面态增加，提供了更多可能的复合中心和陷阱中心，有利于非平衡载流子的散射跃迁，从而大大耗散能量，减少二次电子发射．
- 郑家贵蒋立新蔡亚平罗四维周心明
- μc-Si:H/a-Si:H多层膜的制备及性质被引量：1
- 1992年
- 我们通过切换耦合电极的方法制备了μc-si:H/a-Si:H多层膜.这种多层膜的电导率呈各向异性,暗电导温度关系曲线可近似地看成由两条直线组成.随着 μc-Si:H亚层厚度的减小,喇曼谱中晶态峰降低,暗电导温度曲线的弯折点移向高温段.我们用纯电阻模型和单量子阱模型进行了讨论.
- 郑家贵冯良桓蔡伟黄天荃蔡亚平罗昭和周心明
- 关键词：非晶硅半导体多层膜A-SI:H
- 高压绝缘α-Al_2O_3涂层的XPS和EELS表面分析被引量：1
- 2001年
- 用不同配方的Mn,Cr,Ti混合物涂复α－Al2O3绝缘瓷表面，在适当的条件下热处理，利用XPS和EELS测试分析了表面层的电子能态.发现在退火后各涂层成分的含量变化明显，由于配方元素不同程度地扩散、渗透进95Al2O3陶瓷基底内，通过反应生成了新相；根据价带谱和EELS分析，其表面层的价带顶移向真空能级，使能隙减小；能隙中的缺陷态、杂质态及表面态增加，有利于内次级电子的非弹性跃迁和二次电子发射系数的减小.
- 郑家贵蒋立新蔡亚平罗四维周心明
- 关键词：XPSEELS表面层电子能态
- 微波激励氙VUV光源直接光CVD设备及其应用
- 1993年
- 新发展的光CVD(化学汽相淀积)材料,由于具有无辐射损伤,能进行低温、大面积生长,衬底材料选择自由度大,可淀积生长单层的和多层的各种绝缘膜、半导体膜、金属膜,以及能形成非晶、微晶、混晶等各种晶相材料等一系列优势,颇为引人注目,在材料科学领域中占有重要的位置。引用光的能量实现膜材料的光CVD生长,其基本条件是光源发射光子的能量能被反应气体有效吸收,并使其充分分解。分解后的产物通过与衬底表面的相互作用。
- 杜开瑛周心明
- 关键词：氙化学汽相淀积
