姜宏伟
- 作品数：60 被引量：66H指数：4
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- 发文基金：黑龙江省自然科学基金黑龙江省教育厅科学技术研究项目黑龙江省教育厅资助项目更多>>
- 相关领域：理学化学工程一般工业技术环境科学与工程更多>>
- 直流热阴极PCVD法掺氮纳米金刚石薄膜形貌及结构的影响
- 2011年
- 采用直流热阴极等离子体化学气相沉积(PCVD)技术,通过在CH4/H2的混合反应气源中通入不同流量的N2,合成了掺氮纳米金刚石薄膜。结果表明随着氮气流量的增加,金刚石薄膜表面形貌发生明显变化:晶粒细化,晶界和缺陷有所增多,膜层由尺寸较大微晶颗粒转向纳米级菜花状结构,并且薄膜表面粗糙度相应变小。同时薄膜中非金刚石组份相对逐渐增多。氮气的引入可以促进金刚石二次形核,抑制金刚石大颗粒生长,对薄膜的生长取向、形貌及结构都产生一定影响。
- 王明磊彭鸿雁尹龙承祁文涛姜宏伟
- 关键词：PCVD掺氮
- 基于第一性原理研究Y掺杂锐钛矿TiO2的磁光性质被引量：1
- 2020年
- 建立了未掺杂和三种Y掺杂量的锐钛矿TiO2模型,基于第一性原理方法,对各个模型的形成能、磁性、电子结构及吸收光谱进行了计算.结果表明:掺入锐钛矿晶格的不同Y原子之间没有团簇趋势;Y掺杂量越大,实现掺杂所需的能量越高;Y掺杂的锐钛矿体系具有铁磁性,因而晶格中的自旋能级分裂效应能降低锐钛矿的带隙宽度,但当Y掺杂量升高时,这种影响显著减弱;随着Y掺杂量增加,弱束缚的O-2p态电子浓度增加,导致价带顶的O-2p态跨越费米能级,使得带隙值减小,进而提高了改性锐钛矿TiO2对可见光的吸收系数.
- 李聪张冰郑友进付斯年姜宏伟
- 关键词：第一性原理电子结构吸收光谱
- 一种盘电极高压大电流开关及系统
- 本发明公开了一种盘电极高压大电流开关及系统，该开关包括：开关筒体、上电极、下电极和中间电极；其中，所述上电极、下电极为盘式电极，且分别安装在所述开关筒体的相对应的两端；所述中间电极为旋转电极，安装在所述开关筒体内部；所述...
- 彭鸿雁姜宏伟羊大立吕栋栋费红阳潘孟美
- 氨气对热阴极CVD法制备纳米金刚石膜的影响
- 2011年
- 采用直流热阴级化学气相沉积(DC-PACVD)方法,以NH3+CH4+H2混合气体作为气源,通过改变氨气浓度,在单晶硅(111)基片上沉积纳米金刚石膜.采用扫描电子显微镜、原子力显微镜和拉曼光谱仪分析了不同氨气浓度下制备的纳米金刚石膜。结果表明:在基体温度为700℃条件下,随着氨气浓度的增大,纳米金刚石膜中的金刚石相含量增加,非金刚石相含量相对减少;晶粒的平均粒度减小。在一定范围内氨气浓度增加,有助于提高纳米金刚石膜质量;在氨气流量达到8 mL/min时,获得了质量最好的纳米金刚石膜,其平均晶粒尺寸约为64 nm、均方根粗糙度约为27.4 nm。并提出了掺氮纳米金刚石薄膜的生长模型,对相应现象给出了解释。
- 黄海亮马红安王丹刘艳凤左桂红姜宏伟彭鸿雁
- 关键词：氨气浓度
- 含C源AlN陶瓷基片烧结工艺研究
- 2018年
- 采用石墨发热体高温炉,对流延工艺成型的AlN陶瓷基片进行了几种烧结温度、时间的实验,并与金属发热体常压高温烧结炉烧制的AlN陶瓷基片进行了体积密度、硬度、气孔率、表面形貌和晶体结构的对比。实验表明,石墨发热体高温条件下形成的C源,对AlN陶瓷基片烧结影响不大;高温烧结条件下助剂的烧结作用明显,会提升助剂晶相的含量;可以选择性引导AlN晶面的生长;保持低温烧结条件,有利于保持AlN晶相结构。
- 薄睿恬姜宏伟黄海亮付斯年郑友进
- 关键词：常压烧结
- 磁控溅射法制备纳米Cu薄膜及其微结构的研究被引量：2
- 2022年
- 采用磁控溅射法制备出以ITO为基底的纯Cu薄膜,考察溅射时间和基底温度等工艺条件对生长Cu薄膜的影响。用电子扫描显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)对薄膜的形貌、厚度和结构进行表征。实验结果表明:在一定范围内调控衬底温度和溅射时间,可获得不同形貌、尺寸和厚度的Cu薄膜,所得薄膜的晶体结构为面心立方结构,均沿(111)方向择优生长。时间是控制晶粒尺寸的重要因素,溅射时间为40 min,所得薄膜粒子较小,结晶度好,且薄膜致密均匀,随着镀膜时间的增加,膜厚与之成线性关系增加,沉积速率为0.242μm/min;温度对薄膜形貌影响显著,100℃时可获得由小粒子堆积成的类柱状结构组成的薄膜,200℃时可获得由小粒子堆积成的球形团簇组成的薄膜,随着镀膜温度的增加,膜厚与之不呈线性关系,沉积速率随温度的增加而增大;该方法所制备铜薄膜在催化、传感器等领域有潜在的应用价值。
- 朱云龙孙芳姜宏伟肖事成
- 关键词：CU磁控溅射微观形貌
- N掺杂Mg_xZn_(1-x)O薄膜结构和光学性质研究
- 2016年
- 采用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上制备了N掺杂Mg_xZn_(1-x)O薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射光谱、光致发光(PL)谱对N掺杂Mg_xZn_(1-x)O薄膜样品的晶体结构、表面形貌和光学性能进行了研究。XRD结果表明所有样品均形成了Mg Zn O合金薄膜,没有观察到其它氧化物的衍射峰。样品的结晶质量越差,样品的表面形貌越不规则,但样品在可见光的透射率越强,甚至达到了95%。样品的禁带宽度随Mg含量的增加而增加,随N含量的增加而减小。所有样品的光致发光谱均观察到强的400 nm发光和弱的可见发光。400 nm的发光强度随Mg含量的增加而减弱,随N含量的增加而增强,认为薄膜在400 nm的发光来源Zn O的激子复合。
- 贾相华左桂鸿郑友进姜宏伟张辉霞黄海亮
- 关键词：溶胶-凝胶光致发光
- 直流热阴极PCVD法间歇生长模式制备金刚石膜
- 2012年
- 采用直流热阴极PCVD(Plasma chemical vapor deposition)法间歇生长模式制备金刚石膜,通过加入周期性的刻蚀阶段清除金刚石膜在一定生长期中形成的石墨和非晶碳等杂质,实现了金刚石膜生长的质量调控。间歇式生长过程分为沉积阶段和刻蚀阶段,两个阶段交替进行。采用Raman光谱、SEM和XRD对所制金刚石膜的品质进行了表征,并与同样生长条件下连续生长模式制备的金刚石膜样品进行了比较。结果表明,当单个生长周期为30 min(沉积时间为20 min、刻蚀时间为10 min)时,直流热阴极PCVD法间歇生长模式制备的金刚石膜中的非金刚石相杂质含量低于连续间歇生长模式制备的金刚石膜。
- 姜宏伟黄海亮贾相华尹龙承陈玉强彭鸿雁
- 关键词：CVD金刚石膜
- 一种高压大电流单脉冲放电开关及高能准分子激光器
- 本发明公开了一种高压大电流单脉冲放电开关及高能准分子激光器，所述开关为密闭结构，充有气压恒定的高压气体；所述开关包括壳体、第一电极、第二电极、旋转电极和旋转轴；所述旋转轴贯通于所述壳体；所述旋转电极设置于所述旋转轴上；所...
- 彭鸿雁姜宏伟王继红张铁民
- 文献传递
- 氩气、氮气对纳米金刚石膜形貌及结构的影响研究被引量：4
- 2010年
- 采用热阴极PCVD法,在CH4/H2的混合反应气源中通入不同气体(氩气、氮气)在P型(100)硅衬底上,合成了纳米金刚石膜。结果表明:Ar-90%时,金刚石薄膜表面晶粒尺寸达到纳米量级,在表面出现二次形核现象;N2-1%时,金刚石薄膜表面晶粒细化,晶界和缺陷增多,出现纳米级"菜花状"结构,氮气对金刚石晶粒有一定刻蚀作用出现凹陷生长现象。
- 王明磊薛长山姜宏伟彭鸿雁
- 关键词：氩气氮气
