孙仁涛
- 作品数：20 被引量：49H指数：2
- 供职机构：沈阳仪表科学研究院有限公司更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电气工程电子电信机械工程更多>>
- 高性能InSb霍尔元件的设计被引量：2
- 1995年
- 本文主要介绍了薄膜型InSb霍尔元件的芯片图形设计和磁路结构设计,并给出了设计取值范围.元件性能已得到实验验证,其主要参数指标达到了国外同类产品先进水平.
- 孙仁涛于成民孔海霞
- 关键词：霍尔元件敏感膜
- 薄膜低功耗强磁体磁阻传感器件
- 薄膜低功耗强磁体磁阻传感器件，是利用微机械加工技术和半导体平面工艺技术加工成的磁性薄膜芯片，其特征是在磁阻芯片的磁性薄膜上制作出等效电路：与直流电源相连电路中串连两个薄膜磁敏电阻，总电阻值为500～800KΩ，在两个薄膜...
- 孙仁涛王晓雯李绍恒
- 文献传递
- 30纳米磁性薄膜的制造方法
- 30纳米磁性薄膜的制造方法，利用真空蒸镀的方法和无氧化结晶处理工艺，其特征是选取高纯度的Ni、Co，按重量比1∶2.3的比例混合备用，用真空蒸镀的方法进行薄膜蒸镀：当真空度达到1.0×10<Sup>-6</Sup>乇时，...
- 孙仁涛王晓雯吴东阁李绍恒李洪儒
- 文献传递
- 低功耗磁敏电阻的研制及其应用
- 低功耗强磁体磁阻器件研制的主要技术难点:铁磁性薄膜的蒸镀工艺技术、结晶化处理技术、薄膜刻蚀技术、元件表面钝化技术、批量生产工艺技术。低功耗强磁体磁阻器件的主要特点:适用于测量磁场方向的变化;具有倍频输出特性,对在速度控制...
- 孙仁涛吴东阁孔海霞王晓雯李绍恒刘佩瑶李鸿儒
- 文献传递
- 锑化铟霍尔元件的电极及其制造方法
- 一种锑化铟霍尔元件的电极包括有“十”字形敏感膜和电极，电极一端与“十”字形敏感膜呈欧姆接触，另一端附着在基底上，这种电极依次经过一次刻蚀、蒸镀电极、二次刻蚀、合金化工艺制得，这种电极的电极焊点对敏感膜无损伤，焊点牢固度好...
- 于成民孙仁涛冯桂华刘佩瑶王晓雯关杰孔海霞
- 文献传递
- 高性能InSb霍尔元件及中试生产技术
- 于成民孙仁涛刘佩瑶冯桂华王晓雯
- 1.所属科技领域属于仪器、仪表科学技术领域的传感器项目。高性能锑化铟霍尔元件是用化合物半导体锑化铟材料，根据霍尔效应原理，通过半导体工艺制成的一种高灵敏度磁敏传感元件。主要用于无刷电机和各种磁敏传感器的制造中。国际市场年...
- 关键词：
- 关键词：霍尔元件中试生产
- 锑化铟薄膜的制造方法
- 一种锑化铟薄膜的制造方法首先用电阻加热蒸发In源，在预先已加热到一定温度的基底上真空蒸镀一层In层，再用电阻加热蒸发InSb+Sb源，在其上再真空蒸镀一层InSb层，随后用电阻加热蒸发In源，在基底表面再真空蒸镀一层In...
- 于成民刘佩瑶孙仁涛冯桂华王晓雯关杰曾永宁王晶
- 文献传递
- 基于X射线仪器的高压电源设计被引量：4
- 2008年
- 在X射线衍射仪和X射线晶体分析仪器的设计中,高稳定高压电源是获得稳定X射线的关键因素。考虑到不同晶体材料在衍射成像过程中,所需要的射线强度不同,因此,对高压电源不仅要求有很高的稳定性,而且射线管高压和管电流应该线性可调。文中介绍了一种基于单片机控制的高压电源,由于采用了先进的D/A转换技术实现高压及管电流基准,因此电源的稳定性得到大幅度提高。实验和测试证明:高压的稳定性在连续8 h时间内,可达到0.03%。
- 孙世君高友孙仁涛
- 关键词：X射线衍射D/A转换单片机
- 新型倾斜角度传感器及其应用
- 介绍了一种采用液体为平衡面，当传感器倾斜时，液体浸泡电极高度不同而引起电极间阻值发生变化为基本原理，制做的一种倾斜角度传感器。通过合理布置电极位置和数量，在判断出倾斜角度的同时，可判断出倾斜的方向。最后介绍了传感器应用中...
- 孙仁涛于成民
- 关键词：微流量传感器信号处理线性化
- 双霍尔元件磁敏电流传感器的研究被引量：2
- 1992年
- 采用双元件双气隙的方法制做的电流传感器大幅度降低了传感器的非线性度和位置误差,提高了传感器的抗干扰能力与量程范围。本文还建立了双元件电流传感器输出霍尔电压的理论计算模型。
- 于成民曾永宁孙仁涛冯桂华刘佩瑶关杰
- 关键词：电流传感器
