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孙玉秀

作品数：11 被引量：3H指数：1
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术冶金工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 4篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇冶金工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇铬
  • 5篇钴
  • 3篇显微形貌
  • 3篇SOI
  • 3篇MOSFET
  • 2篇全耗尽
  • 2篇薄膜全耗尽
  • 2篇SIMOX
  • 2篇磁化
  • 2篇磁结构
  • 1篇淀积
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅薄膜
  • 1篇形貌
  • 1篇微磁学
  • 1篇微结构
  • 1篇系统保护
  • 1篇显微技术
  • 1篇介质

机构

  • 11篇北京大学
  • 2篇中国科学院

作者

  • 11篇孙玉秀
  • 6篇潘国宏
  • 5篇张小平
  • 5篇孙允希
  • 4篇武国英
  • 4篇王阳元
  • 3篇魏丽琼
  • 3篇李映雪
  • 3篇阎桂珍
  • 3篇王勤堂
  • 3篇程玉华
  • 2篇田芳
  • 2篇张国炳
  • 1篇刘诗美
  • 1篇阮慎康
  • 1篇雷晓均
  • 1篇张晓萍
  • 1篇李静
  • 1篇郝一龙
  • 1篇田芳

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇电子学报
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇信息记录材料
  • 1篇第1届全国磁...
  • 1篇第十一次全国...
  • 1篇第十一次全国...

年份

  • 2篇2001
  • 2篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 4篇1995
  • 1篇1991
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
薄膜全耗尽SOI　MOSFET单晶体管Latch效应被引量：1
1995年
本文在详细分析各种不同条件下全耗尽ＭＯＳＦＥＴ单晶体管Ｌａｔｃｈ效应测试结果的基础上，较为详细地讨论了单晶体管Ｌａｔｃｈ效应的物理机理，发现单管Ｌａｔｃｈ效应与ＭＯＳＦＥＴ的寄生双极晶体管有着极其密切的关系，最后还给出了相应的改进措施。
魏丽琼程玉华孙玉秀阎桂珍李映雪武国英王阳元
关键词：场效应晶体管SOI
钴铬垂直磁化膜的显微形貌和磁畴结构
张小平潘国宏孙允希王勤堂雷晓钧孙玉秀田芳
文献传递
钴铬垂直磁化膜的显微形貌和磁畴结构
2000年
张小平潘国宏孙允希王勤堂雷晓钧孙玉秀田芳
关键词：显微形貌
钴铬垂直磁化膜的高分辨显微学研究
钴铬薄膜是垂直磁化薄膜的基本品种。国内外研究多限于宏观测试和某些典型的微观分析。结晶结构则认为是非磁铬在磁性钴晶粒间界析出隔离形成钴单畴颗粒的观点。对薄膜结晶结构与磁畴结构关系及其机理的高分辨显微学研究则极少见。本文正是...
潘国宏张小平孙允希王勤堂孙玉秀
关键词：磁化强度微磁学
文献传递
硅膜厚度和背栅对SIMOX／SOI薄膜全耗尽MOSFET特性影响的研究被引量：1
1995年
本文报道了薄膜ＳＩＭＯＸ／ＳＯＩ材料上全耗尽ＭＯＳＦＥＴ的制备情况，并对不同硅膜厚度和不同背面栅压下的器件特性进行了分析和比较．实验结果表明，全耗尽器件完全消除了＂Ｋｉｎｋ＂效应，低场电子迁移率典型值为６２０ｃｍ２／Ｖ·ｓ，空穴迁移率为２１０ｃｍ２／Ｖ·ｓ，泄漏电流低于１０－１２Ａ；随着硅膜厚度的减簿，器件的驱动电流明显增加，亚阈值特性得到改善；全耗尽器件正、背栅之间有强烈的耦合作用，背表面状况可以对器件特性产生明显影响．该工作为以后薄膜全耗尽ＳＩＭＯＸ／ＳＯＩ电路的研制与分析奠定了基础．
魏丽琼程玉华孙玉秀阎桂珍李映雪武国英王阳元
关键词：MOSFETSIMOXSOI背栅
用高分辨显微技术对钴铬垂直磁化薄膜作微、磁结构研究
用电子束蒸镀和二极直流溅射方法分别制作了钴铬垂直磁化薄膜：1.用VSM等方法作了磁性等测量。证明蒸镀和溅射两种方法都能制备出优质钴铬垂直磁化薄膜；2.用高分辨透射电镜作了晶粒形貌、选区衍射和能谱分析，揭示了Co-Cr垂直...
潘国宏张小平雷晓均王勤堂孙允希孙玉秀田芳
关键词：磁结构微结构
文献传递网络资源链接
钴铬垂直磁化膜的显磁化膜显微形貌和磁畴结构
张小平潘国宏雷晓钧孙玉秀
关键词：显微形貌
文献传递
复合镀膜磁介质研究是磁记录的重要前沿方向
1995年
近年国外磁记录密度有惊人发展。IBM[1]和日立[2]先后分别超过1和2Gbpi2，都远超过光盘密度[3]。在多种技术改进中最基本的是磁介质。IBM用Cr＼CoCrPt＼C，日立用Cr＼CoCrPtsi＼CoCrPt＼C，都是复合镀膜磁介质。本文主要从复合镀膜介质微、磁结构和复合镀膜磁介质新材料这两个重要前沿研究方面来说明它们是复合镀膜磁介质研究的。
潘国宏孙允希王勤堂蔡一坤孙玉秀阮慎康张晓萍汪裕华
关键词：磁介质磁各向异性磁结构磁晶各向异性
应用于硅化物自对准技术的CoSi_2薄膜特性及形貌研究
1991年
本文应用炉退火和快速退火(RTA)两种方法,使Co和Si热反应制备界面较平整、电阻率低(～16μΩ·cm)的CoSi_2薄膜。采用XRD、AES、TEM(横截面)、SEM、四探针等分析测试手段,详细研究了Co和Si、SiO_2之间的反应,CoSi_2薄膜的电学特性及CoSi_2/Si,CoSi_2,SiO_2界面形貌。结果表明,CoSi_2是除TiSi_2外另一个可用于MOS自对准技术的硅化物。
陶江武国英张国炳孙玉秀王阳元都安彦
关键词：硅化物形貌
在线淀积LPCVD多晶硅石英系统保护层装置
一种在线淀积LPCVD多晶硅石英系统保护层装置,属于半导体集成电路制造工艺中的低压化学汽相淀积技术。现有淀积技术在石英管管壁上未淀积保护层,当管壁上所淀多晶硅薄膜的厚度大于5.5μ时,在遇上较大的温度变化时(如断电)石英...
孙玉秀刘诗美李静郝一龙张国炳
文献传递
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