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安振峰

作品数：70 被引量：155H指数：7
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所更多>>
发文基金：河北省自然科学基金河北省科技攻关计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 49篇期刊文章
  • 15篇专利
  • 5篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 56篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 63篇激光
  • 59篇激光器
  • 45篇半导体
  • 40篇半导体激光
  • 40篇半导体激光器
  • 13篇激光器阵列
  • 12篇阵列
  • 10篇功率
  • 9篇功率半导体
  • 8篇大功率半导体
  • 7篇封装
  • 6篇二极管
  • 6篇半导体激光器...
  • 6篇MOCVD
  • 6篇大功率
  • 5篇淀积
  • 5篇气相淀积
  • 5篇芯片
  • 5篇金属有机化合...
  • 5篇激光二极管

机构

  • 63篇中国电子科技...
  • 27篇河北工业大学
  • 5篇中国电子科技...
  • 1篇石家庄信息工...
  • 1篇天津商学院
  • 1篇信息产业部电...
  • 1篇国家知识产权...
  • 1篇中华人民共和...

作者

  • 70篇安振峰
  • 30篇徐会武
  • 19篇陈国鹰
  • 16篇闫立华
  • 15篇陈宏泰
  • 15篇任浩
  • 13篇花吉珍
  • 13篇王晓燕
  • 12篇任永学
  • 12篇王伟
  • 10篇王媛媛
  • 9篇林琳
  • 9篇杨红伟
  • 9篇辛国锋
  • 8篇赵润
  • 8篇康志龙
  • 8篇张世祖
  • 7篇刘会民
  • 7篇车相辉
  • 6篇冯荣珠

传媒

  • 13篇微纳电子技术
  • 10篇半导体技术
  • 5篇中国激光
  • 3篇光电子．激光
  • 2篇Journa...
  • 2篇强激光与粒子...
  • 2篇世界有色金属
  • 2篇半导体光电
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇半导体情报
  • 1篇物理学报
  • 1篇光子学报
  • 1篇激光技术
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇电子产品可靠...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇激光与红外
  • 1篇中国航空学会...
  • 1篇强激光材料与...

年份

  • 3篇2017
  • 4篇2016
  • 3篇2015
  • 4篇2014
  • 6篇2013
  • 3篇2012
  • 6篇2011
  • 6篇2010
  • 7篇2009
  • 7篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 7篇2004
  • 6篇2003
  • 3篇2002
  • 1篇1999
  • 1篇1991
共 70 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
941nm连续波高功率半导体激光器线阵列被引量：4
2004年
用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成了半导体激光器线阵列,连续波工作条件下的中心激射波长、为940.5nm,输出功率高达37.7W(45A、2.0V),斜率效率可达0.99W/A(外微分量子效率为77％),最高转换效率超过45％,阈值电流密度为117A/cm^2,该波长的半导体激光器是Yb:YAG固体激光器的理想泵浦源。
辛国锋花吉珍陈国鹰康志龙安振峰冯荣珠
关键词：高功率金属有机化合物气相淀积半导体激光器阵列单量子阱
大功率半导体光放大器的耦合工艺研究
2009年
针对高速大功率半导体激光器,设计了主振激光器与半导体光放大器分立集成的高速大功率半导体激光器组件,并对其中半导体光放大器(SOA)的光纤耦合技术进行了研究,采用单模光纤耦合技术以及光路可逆原理设计了SOA的注入端耦合光路,实现了主振激光器到SOA的高效注入,耦合效率大于50%,采用微透镜组技术设计了SOA输出端的耦合光路,实现了Φ62.5μm的光纤耦合输出238mW。同时针对光纤耦合工艺,利用Ansys软件对耦合结构进行了激光焊接耦合工艺的热应力分析,得到了优化的焊接工艺条件,并对耦合中存在的应力进行了释放处理,有效提高了输出功率的稳定性。
任浩王伟刘会民王晓燕安振峰
关键词：半导体光放大器光纤耦合激光器焊接应力
采用MOCVD生长方法制备量子级联激光器研究进展
量子级联激光器(QCL)是一种基于子带间电子跃迁的中、远红外波段单极光源。由于MOCVD较MBE具有更快的生长速率,高质量的磷化物生长、低缺陷密度等优势更适合工业化生产,越来越多的量子级联激光器采用这种方法制备,并实现了...
林琳陈宏泰杨红伟刘英斌安振峰
关键词：量子级联激光器MOCVD
文献传递
半导体侧泵模块激光晶体内吸收光场分析被引量：4
2014年
建立了半导体侧面泵浦模块中激光晶体的吸收光场分布模型,利用Matlab软件计算了吸收光场的归一化分布形貌,提出了两个重要参数：阵列切向位移量与径向角度偏离度。结果表明：当阵列切向位移量为0~0.5 mm时,晶体相对吸收强度、光场均匀性等参数基本不变;当该数值大于0.5 mm时,吸收强度急剧下降、光场不均匀性急剧增加;相比而言,径向角度偏移对晶体吸收光场分布的影响较小,总体上呈现随着该数值的增加,吸收强度减小、光场不均匀性增加。以上研究结论为目前半导体侧泵模块的研制生产提供了理论指导。
闫立华任浩刘小文袁春生王媛媛房玉锁任永学王英顺徐会武安振峰
关键词：侧面泵浦
实现大角度均匀照射的半导体激光器及光场拼接方法
本发明公开了一种实现大角度均匀照射的半导体激光器及其光场拼接的方法。所述半导体激光器包括上表面为弧面的底座和至少一组激光器阵列单元组；所述激光器阵列单元组至少包括一个激光器阵列单元。所述激光器阵列单元包括三角楔形管座、位...
王晓燕闫立华赵润常会增徐会武陈宏泰安振峰
半圆形半导体激光器阵列准直工艺方法研究
2008年
通过试验,分析并验证了半圆形半导体激光器阵列准直后光束指向发生偏移的原因,证明了烧结过程对准直光束指向性的影响。为避免烧结过程对准直工艺的影响,设计了一种的新的半圆形半导体激光器阵列的准直工艺方法,并设计了半圆形半导体激光器阵列准直工艺平台,实现了对半圆形半导体激光器在组装、烧结后进行阵列准直;同时采用两点一线的原理,设计了用于半圆形半导体激光器阵列准直的双屏监测方法,有效提高了准直的指向准确性和工作效率。通过一对半圆形器件对Ф3mm的固体棒进行泵浦试验,工艺改进后的泵浦增益有了明显提高,泵浦功率为2.3kW时,增益提高了大约15%。
任浩王伟刘会民徐会武王晓燕安振峰
关键词：半导体激光器准直光束质量
光发射模块的研究与发展
介绍了光发射模块的工作原理,发展现状;详细分析了光发射模块在电路设计,封装,及总体设计上的关键技术,给出了当前光发射模块的研究发展方向。
郭艳菊安振峰高丽艳陈国鹰
关键词：光发射模块封装
文献传递
4 mm腔长高功率单管半导体激光器封装应力的研究被引量：4
2014年
为了减小长腔长高功率单管半导体激光器在封装过程中引入的热应力,根据应力改变禁带宽度的原理,理论上推导了应力与波长漂移的关系,提出了一种通过测量激光器脉冲条件下的光谱来定量计算激光器应力的方法。利用这种方法得到的研究结果表明,焊接质量直接决定着应力的大小,由焊接质量的不同引起的应力差值超过了300MPa,提出了优化焊接回流曲线的方法,使激光器的应力由原来129.7 MPa降低到53.4MPa,该方法还有效的解决了封装应力随储存时间变化的问题。实验表明,激光器光谱图的测量分析是研究高功率单管半导体激光器封装应力的有效方法,也是检测分析烧结工艺的有效手段。
张勇杨瑞霞安振峰刘小文徐会武
关键词：光谱
半导体泵浦固体激光模块
本实用新型公开了一种半导体泵浦固体激光模块，涉及半导体激光器结构设计技术领域，本设计中对激光模块中的核心腔体进行改进，将核心腔体上的进水口和出水口向两侧挪移，使进水口和出水口均和分水腔连通，使得进水口的水在经进水口后直达...
闫立华刘小文王伟任浩安振峰
文献传递
二极管侧泵浦激光器的光斑优化研究被引量：2
2013年
随着激光加工市场的逐步扩大,二极管泵浦的固体激光器需求越来越广泛,而晶体热效应所导致的光斑质量问题也越来越不可忽视。介绍了激光二极管侧泵浦激光器的基本结构和制造方法,并详细分析了热效应的起因。提出了调整芯片轴心距和芯片长度等优化光斑质量的技术手段。针对相同泵浦总功率,3.7,4.2,4.7和5.7 mm 4种轴心距及10,15,20和25mm 4种二极管阵列芯片长度,进行温升的模拟,得到了实测光斑效果。通过理论分析与实验对比,最终得到了增加芯片轴心距、增加芯片长度等手段有助于改善模块的光斑质量这一基本结论,为高端模块研发提供了技术思路。
闫立华任浩房玉锁王媛媛任永学徐会武安振峰
关键词：激光二极管热效应激光光斑二极管阵列
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