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尹超
作品数:
23
被引量:4
H指数:1
供职机构:
电子科技大学
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发文基金:
中国博士后科学基金
教育部“新世纪优秀人才支持计划”
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
自动化与计算机技术
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合作作者
罗小蓉
电子科技大学微电子与固体电子学...
魏杰
电子科技大学
周坤
电子科技大学微电子与固体电子学...
张彦辉
电子科技大学
张波
电子科技大学微电子与固体电子学...
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机构
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电子科技大学
作者
23篇
尹超
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罗小蓉
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魏杰
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周坤
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一种功率MOS器件
本发明属于功率半导体器件技术领域,涉及一种功率MOS器件。本发明包括具有高K介质延伸栅结构的元胞结构、漏延伸区和介质槽终端,且多个元胞结构并联排布,使得器件具有以下特点:兼顾VDMOS可并联产生大电流以及LDMOS易集成...
罗小蓉
尹超
谭桥
张彦辉
刘建平
周坤
魏杰
马达
吴俊峰
文献传递
一种具有三栅结构的HK SOI LDMOS器件
本发明属于半导体技术领域,具体涉及一种具有三栅结构的HK SOI LDMOS器件。本发明具有以下几个特点:一、具有三个分离的栅结构,包括一个平面栅和两个沟槽栅,在开态时,三栅结构可以形成包括横向和纵向在内的多个沟道,增大...
罗小蓉
吕孟山
尹超
魏杰
谭桥
周坤
葛薇薇
何清源
文献传递
一种横向SOI功率半导体器件
一种横向SOI功率半导体器件,属于功率半导体器件技术领域。器件元胞结构包括衬底、绝缘介质层及绝缘介质层上方的器件有源层,器件有源层包括源区、漏区、栅和漂移区;其中源区和漏区之间的漂移区由两个平行于器件横向方向的第一半导体...
罗小蓉
王骁玮
范叶
范远航
尹超
魏杰
蔡金勇
周坤
张彦辉
张波
李肇基
文献传递
一种LDMOS器件的制造方法
本发明属于半导体技术,具体的说是涉及一种LDMOS器件的制造方法。本发明LDMOS器件制造方法的主要步骤为:在第二导电类型半导体衬底上表面生成第一导电类型半导体有源层;在第一导电类型半导体有源层上层键合剥离形成介质隔离层...
罗小蓉
张彦辉
刘建平
谭桥
尹超
魏杰
周坤
吕孟山
田瑞超
张波
文献传递
一种横向MOSFET器件的制造方法
本发明属于半导体技术,具体的说是涉及一种槽型横向MOSFET器件的制造方法。本发明的方法主要为:通过刻蚀深槽、倾斜离子注入、高温退火、外延等工艺步骤,使注入的离子与硅反应形成U型介质层,同时在介质层表面仍保留有单晶硅层,...
罗小蓉
刘建平
张彦辉
谭桥
尹超
周坤
魏杰
阮新亮
李鹏程
张波
文献传递
一种LDMOS器件的制造方法
本发明属于半导体技术,具体的说是涉及一种LDMOS器件的制造方法。本发明LDMOS器件制造方法的主要步骤为:在第二导电类型半导体衬底上表面生成第一导电类型半导体有源层;在第一导电类型半导体有源层上层注入离子形成介质隔离层...
罗小蓉
张彦辉
刘建平
谭桥
尹超
魏杰
周坤
马达
徐青
张波
文献传递
一种槽栅功率MOSFET器件
本发明属于功率半导体技术领域,特别涉及一种槽栅功率MOSFET器件。本发明有以下特点:一、采用横向重掺杂半导体漏区和纵向漏延伸区,从而使器件同时具有VDMOS可并联产生大电流和LDMOS易集成的优点;二、采用分段沟槽栅结...
罗小蓉
吕孟山
尹超
张彦辉
马达
吴俊峰
阮新亮
葛薇薇
文献传递
一种LDMOS器件的制造方法
本发明属于半导体技术,具体的说是涉及一种LDMOS器件的制造方法。本发明LDMOS器件制造方法的主要步骤为:在第二导电类型半导体衬底上表面生成第一导电类型半导体有源层;在第一导电类型半导体有源层上层键合剥离形成介质隔离层...
罗小蓉
张彦辉
刘建平
谭桥
尹超
魏杰
周坤
吕孟山
田瑞超
张波
文献传递
一种横向MOSFET器件的制造方法
本发明属于半导体技术,具体的说是涉及一种槽型横向MOSFET器件的制造方法。本发明的方法主要为:通过刻蚀深槽、倾斜离子注入、高温退火、外延等工艺步骤,使注入的离子与硅反应形成U型介质层,同时在介质层表面仍保留有单晶硅层,...
罗小蓉
刘建平
张彦辉
谭桥
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周坤
魏杰
阮新亮
李鹏程
张波
易集成的槽型低阻功率MOSFET研究
随着耐压(BV)的增加,功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Filed-Effect Transistor)需要长的漂移区和低的漂移区掺杂浓度,这使得功率MOSFET的耐压和比导通电阻(...
尹超
关键词:
比导通电阻
击穿电压
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