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尹超

作品数：23 被引量：4H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：中国博士后科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 20篇专利
  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 16篇半导体
  • 10篇导通
  • 9篇导通电阻
  • 9篇电阻
  • 9篇比导通电阻
  • 8篇LDMOS器...
  • 6篇导电类型
  • 6篇有源层
  • 6篇半导体技术
  • 4篇介质
  • 4篇金属
  • 4篇功率半导体
  • 4篇功率半导体器...
  • 4篇半导体器件
  • 4篇SOI
  • 4篇槽栅
  • 3篇栅结构
  • 3篇功率MOS器...
  • 3篇功率器件
  • 3篇SOI_LD...

机构

  • 23篇电子科技大学

作者

  • 23篇尹超
  • 20篇罗小蓉
  • 16篇魏杰
  • 15篇周坤
  • 15篇张彦辉
  • 13篇张波
  • 9篇刘建平
  • 7篇马达
  • 6篇徐青
  • 5篇王骁玮
  • 5篇范远航
  • 5篇范叶
  • 5篇李肇基
  • 4篇李鹏程
  • 4篇吴俊峰
  • 4篇葛薇薇
  • 3篇罗尹春
  • 3篇蔡金勇
  • 2篇何清源
  • 1篇杨波

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 2篇2017
  • 6篇2016
  • 4篇2015
  • 1篇2014
  • 4篇2013
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种功率MOS器件
本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种功率MOS器件。本发明包括具有高K介质延伸栅结构的元胞结构、漏延伸区和介质槽终端，且多个元胞结构并联排布，使得器件具有以下特点：兼顾VDMOS可并联产生大电流以及LDMOS易集成...
罗小蓉尹超谭桥张彦辉刘建平周坤魏杰马达吴俊峰
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一种具有三栅结构的HK SOI LDMOS器件
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种具有三栅结构的HK SOI LDMOS器件。本发明具有以下几个特点：一、具有三个分离的栅结构，包括一个平面栅和两个沟槽栅，在开态时，三栅结构可以形成包括横向和纵向在内的多个沟道，增大...
罗小蓉吕孟山尹超魏杰谭桥周坤葛薇薇何清源
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一种横向SOI功率半导体器件
一种横向SOI功率半导体器件，属于功率半导体器件技术领域。器件元胞结构包括衬底、绝缘介质层及绝缘介质层上方的器件有源层，器件有源层包括源区、漏区、栅和漂移区；其中源区和漏区之间的漂移区由两个平行于器件横向方向的第一半导体...
罗小蓉王骁玮范叶范远航尹超魏杰蔡金勇周坤张彦辉张波李肇基
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一种LDMOS器件的制造方法
本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种LDMOS器件的制造方法。本发明LDMOS器件制造方法的主要步骤为：在第二导电类型半导体衬底上表面生成第一导电类型半导体有源层；在第一导电类型半导体有源层上层键合剥离形成介质隔离层...
罗小蓉张彦辉刘建平谭桥尹超魏杰周坤吕孟山田瑞超张波
文献传递
一种横向MOSFET器件的制造方法
本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种槽型横向MOSFET器件的制造方法。本发明的方法主要为：通过刻蚀深槽、倾斜离子注入、高温退火、外延等工艺步骤，使注入的离子与硅反应形成U型介质层，同时在介质层表面仍保留有单晶硅层，...
罗小蓉刘建平张彦辉谭桥尹超周坤魏杰阮新亮李鹏程张波
文献传递
一种LDMOS器件的制造方法
本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种LDMOS器件的制造方法。本发明LDMOS器件制造方法的主要步骤为：在第二导电类型半导体衬底上表面生成第一导电类型半导体有源层；在第一导电类型半导体有源层上层注入离子形成介质隔离层...
罗小蓉张彦辉刘建平谭桥尹超魏杰周坤马达徐青张波
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一种槽栅功率MOSFET器件
本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种槽栅功率MOSFET器件。本发明有以下特点：一、采用横向重掺杂半导体漏区和纵向漏延伸区，从而使器件同时具有VDMOS可并联产生大电流和LDMOS易集成的优点；二、采用分段沟槽栅结...
罗小蓉吕孟山尹超张彦辉马达吴俊峰阮新亮葛薇薇
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一种LDMOS器件的制造方法
本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种LDMOS器件的制造方法。本发明LDMOS器件制造方法的主要步骤为：在第二导电类型半导体衬底上表面生成第一导电类型半导体有源层；在第一导电类型半导体有源层上层键合剥离形成介质隔离层...
罗小蓉张彦辉刘建平谭桥尹超魏杰周坤吕孟山田瑞超张波
文献传递
一种横向MOSFET器件的制造方法
本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种槽型横向MOSFET器件的制造方法。本发明的方法主要为：通过刻蚀深槽、倾斜离子注入、高温退火、外延等工艺步骤，使注入的离子与硅反应形成U型介质层，同时在介质层表面仍保留有单晶硅层，...
罗小蓉刘建平张彦辉谭桥尹超周坤魏杰阮新亮李鹏程张波
易集成的槽型低阻功率MOSFET研究
随着耐压（BV）的增加，功率MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Filed-Effect Transistor）需要长的漂移区和低的漂移区掺杂浓度，这使得功率MOSFET的耐压和比导通电阻（...
尹超
关键词：比导通电阻击穿电压
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