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崔晓锐

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

领域

  • 2篇一般工业技术

主题

  • 4篇纳米
  • 4篇晶体管
  • 4篇晶体管结构
  • 2篇导电
  • 2篇导电材料
  • 2篇电极
  • 2篇电路
  • 2篇引出电极
  • 2篇石墨烯晶体管
  • 2篇碳基
  • 2篇碳基纳米材料
  • 2篇碳结构
  • 2篇碳纳米管
  • 2篇纳米材料
  • 2篇纳米管
  • 2篇金属性
  • 2篇互连
  • 2篇互连结构
  • 2篇集成电路
  • 2篇沟道

机构

  • 6篇北京大学

作者

  • 6篇魏子钧
  • 6篇赵华波
  • 6篇曹宇
  • 6篇崔晓锐
  • 6篇黄如
  • 6篇傅云义
  • 6篇张兴
  • 6篇尹金泽
  • 6篇魏芹芹

年份

  • 2篇2013
  • 4篇2012
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种碳基纳米材料晶体管的制备方法
本发明公开了一种由碳纳米管和石墨烯组成的碳基纳米材料晶体管的制备方法。该方法首先在基底上排列金属性碳纳米管和半导体性碳纳米管，并用导电材料将碳纳米管两端引出电极。在碳纳米管上方沉积一层介质材料，然后将石墨烯转移到淀积有介...
魏芹芹崔晓锐尹金泽曹宇魏子钧赵华波傅云义黄如张兴
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一种石墨烯晶体管的制备方法
本发明公开了一种石墨烯晶体管的制备方法，该方法将置于纳米尺度沟槽内的碳纳米管作为栅电极，利用空气作栅介质，将机械剥离、CVD技术或用其它生长方法制备的石墨烯转移至碳纳米管所在沟槽的上方，则可制得沟道长度接近碳纳米管直径的...
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一种石墨烯晶体管的制备方法
本发明公开了一种石墨烯晶体管的制备方法，该方法将置于纳米尺度沟槽内的碳纳米管作为栅电极，利用空气作栅介质，将机械剥离、CVD技术或用其它生长方法制备的石墨烯转移至碳纳米管所在沟槽的上方，则可制得沟道长度接近碳纳米管直径的...
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一种集成电路金属互连结构及其制备方法
本发明公开了一种集成电路金属互连结构及其制备方法，本发明利用石墨烯的碳原子是按六边形晶格整齐排布而成的碳单质，将石墨烯用做集成电路铜互连中的扩散阻挡层。其中石墨烯的所有sp<Sup>2</Sup>杂化的碳原子均饱和成键，...
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一种碳基纳米材料晶体管的制备方法
本发明公开了一种由碳纳米管和石墨烯组成的碳基纳米材料晶体管的制备方法。该方法首先在基底上排列金属性碳纳米管和半导体性碳纳米管，并用导电材料将碳纳米管两端引出电极。在碳纳米管上方沉积一层介质材料，然后将石墨烯转移到淀积有介...
魏芹芹崔晓锐尹金泽曹宇魏子钧赵华波傅云义黄如张兴
一种集成电路金属互连结构及其制备方法
本发明公开了一种集成电路金属互连结构及其制备方法。本发明利用石墨烯本身独特的分子结构和电学特性，在集成电路金属互连结构的上层金属连线上表面包覆石墨烯覆盖层。由于石墨烯的抗电迁移电流密度可以达到10<Sup>9</Sup>...
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