张书玉
- 作品数：8 被引量：41H指数：3
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>
- TMAH腐蚀液腐蚀硅杯的研究与分析
- TMAH是一种新型的性能优异的各向异性腐蚀液,本文给出了TMAH腐蚀硅杯的原理通过实验研究了硅片被TMAH溶液腐蚀后的粗糙度以及腐蚀速率,并讨论了在腐蚀过程中由凸角结构产生的削角现象.
- 张书玉张维连索开南张生才姚素英
- 关键词：TMAH腐蚀速率
- 文献传递
- SOI高温压力传感器的研究现状被引量：10
- 2005年
- SOI(silicononinsulator)高温压力传感器是一种新型的半导体高温压力传感器,具有耐高温、抗辐射、稳定性好等优点,能够解决石油、汽车、航空、航天等领域对高温压力传感器的迫切需求,在高温领域有很大的潜力.本文论述了SOI材料的制备方法-特别是硅片直接键合技术(SDB),简单介绍了SOI压力传感器的优势、制作工艺以及SOI压力传感器的发展现状.
- 张书玉张维连张生才姚素英
- 关键词：压力传感器SOI各向异性腐蚀硅片直接键合硅单晶片
- SOI高温压力传感器的研究
- 本文研制出了压力满量程为0～1MPa、工作温度范围在0～220℃的SOI高温压力传感器。 分析了SOI材料的结构、制备方法及SOI材料的特性。利用有限元分析法对不同形状不同条件下C型、E型、双岛型压力传感器应力膜片表面应...
- 张书玉
- 关键词：压力传感器高温SOI有限元TMAH灵敏度
- 文献传递
- 掺锗对直拉硅单晶的红外吸收光谱的影响
- 采用傅立叶红外光谱(FTIR)测试技术,研究了掺锗CZSi的常温和低温红外吸收光谱.发现高浓度Ge的掺入在Si中引起了710cm<'-1>和800cm<'-1>等新吸收峰的出现,随Ge含量的增加这些峰的吸收强度也逐渐增强...
- 蒋中伟张维连牛新环张书玉
- 关键词：直拉法掺锗红外光谱
- 文献传递
- SOI高温压力传感器的研究被引量：27
- 2006年
- 介绍了SOI压力传感器的制作工艺,并且通过有限元软件对传感器输出特性进行模拟,模拟结果与实际测得结果是相符的。对SOI压力传感器测量结果表明,当温度增加到220℃传感器仍然能保持很好线性。另外对SOI压力传感器和多晶硅压力传感器进行比较,发现单晶硅SOI高温压力传感器灵敏度比多晶硅高温压力传感器灵敏度有较大提高。
- 张书玉张维连索开南牛新环张生才姚素英
- 关键词：压力传感器SOI灵敏度有限元
- CZSiGe单晶的FTIR光谱研究
- 2005年
- 利用傅立叶红外光谱(FTIR)测试技术,研究了掺锗CZSi的低温和常温红外吸收光谱。发现高浓度Ge掺入CZSi在红外吸收光谱中引起的波数为1118cm-1、710cm-1和800cm-1的新红外吸收峰,这些峰的吸收强度随Ge含量的增加也逐渐增强;碳的红外吸收峰(607cm-1)则向低频方向移动。同时利用X射线单晶衍射技术(SCXRD)测定了SiGe(Ge:10wt%)单晶的晶格常数,结果表明晶格常数由Si单晶的0.54305nm变为0.5446nm。
- 蒋中伟张维连牛新环张书玉
- 关键词：红外光谱
- SixGe1-x合金材料热电转换性能的研究
- 本文以Si、Ge单晶作比较样品系统地研究了300-900K温度(T)范围内不同Ge含量(x)SiGe单晶和多晶的Seebeck系数、热导率.比较了SiGe合金温差电优值Z在300-900K的温度范围内随x和T的变化.讨论...
- 索开南张维连蒋中伟张书玉
- 关键词：热导率SEEBECK系数SI单晶
- 文献传递
- SOI材料的发展动态
- 由于SOI材料具有自隔离,体漏电小,寄生电容小,抗辐射,无体硅闩锁效应等特点,被公认是21世纪替代体硅的新型信息材料。本文主要简要地介绍了SOI材料的主要性能特点以及国内外SOI材料制备的几种主要方法。并指出Smart-...
- 张书玉张维连索开南张生才姚素英
- 关键词：SOISMART-CUTSIMOXSDB
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