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张亚民

作品数：58 被引量：19H指数：2
供职机构：北京工业大学更多>>
发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金博士研究生创新基金更多>>
相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 43篇专利
  • 12篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 23篇电子电信
  • 4篇电气工程
  • 4篇自动化与计算...
  • 4篇文化科学
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇医药卫生

主题

  • 23篇热阻
  • 10篇电流
  • 10篇瞬态
  • 8篇时间常数
  • 8篇半导体
  • 8篇半导体器件
  • 7篇肖特基
  • 7篇晶体管
  • 6篇肖特基结
  • 5篇电学
  • 5篇电子迁移率
  • 5篇迁移率
  • 5篇温度
  • 5篇芯片
  • 5篇漏极
  • 5篇漏极电流
  • 5篇漏源电压
  • 4篇电压
  • 4篇电子器件
  • 4篇应力

机构

  • 58篇北京工业大学

作者

  • 58篇张亚民
  • 55篇冯士维
  • 20篇何鑫
  • 19篇郭春生
  • 15篇朱慧
  • 10篇李轩
  • 10篇郑翔
  • 6篇史冬
  • 4篇马琳
  • 4篇王勋
  • 4篇杨芳
  • 4篇石磊
  • 4篇陈宇峥
  • 3篇孟庆辉
  • 2篇彭飞
  • 2篇王跃
  • 2篇岳元
  • 2篇李浩
  • 2篇杨洁
  • 2篇闫鑫

传媒

  • 3篇半导体技术
  • 2篇微纳电子与智...
  • 1篇物理学报
  • 1篇电工技术学报
  • 1篇照明工程学报
  • 1篇激光与红外
  • 1篇微电子学
  • 1篇电源学报
  • 1篇齐齐哈尔高等...

年份

  • 8篇2024
  • 7篇2023
  • 4篇2022
  • 2篇2021
  • 4篇2020
  • 7篇2019
  • 8篇2018
  • 4篇2017
  • 4篇2016
  • 6篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2013
共 58 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种实时测量耗尽型场效应晶体管瞬态温升和热阻方法
一种实时测量耗尽型场效应晶体管瞬态温升和热阻方法涉及半导体器件测试领域。包括如下步骤：将被测器件放置于一温度为T0恒温平台；被测器件的栅电极不进行任何外部连接；漏电极接电压源，电压源产生低电平V<Sub>L</Sub>，...
冯士维张亚民马琳郭春生朱慧
文献传递
瞬态时间常数谱值化分析技术及在GaN基HEMT中的应用被引量：3
2019年
GaN HEMT作为功率、射频器件,是5G通信中核心关键器件。然而,目前其应用可靠性方面仍受到陷阱效应和自热效应的制约。提出了瞬态时间常数谱峰值谱技术的表征技术,有效并定量获取GaN基器件中存在的陷阱及温升构成,主要包括应用瞬态电流法表征器件的深能级陷阱和利用结构函数法提取器件纵向热阻构成的谱值化技术。结合国内外相关研究工作,对这种分析表征手段进行了相关的归纳和总结。给出高达50 V工作电压下HEMT器件的热阻测量结果,对其纵向热阻构成进行了详细地分析。
冯士维郑翔张亚民李轩
基于多应力加速实验快速提取加速系数的方法
本发明公开了基于多应力加速实验快速提取加速系数的方法，本发明利用多应力水平加速芯片退化(包括温度应力、电应力、温度梯度、湿度应力但不仅限于此)，但仅改变其中一个应力，用于该应力对应加速系数的快速提取；其它应力保持不变，仅...
郭春生杜昊婧冯士维朱慧张亚民
一种采用源漏短接减少HEMT热阻测量自激振荡的方法和装置
一种采用源漏短接减少HEMT热阻测量自激振荡的方法和装置，属于半导体器件电学和热学测量技术领域。所述装置包括：HEMT热阻测试仪、防自激电路、测试平台和被测HEMT器件。所述方法包括：将被测HEMT安装于防自激电路中，固...
冯士维李轩高一夫白昆肖宇轩张亚民
文献传递
一种短路工况下功率器件的实时结温无损测量方法
本发明公开了一种测量功率器件在短路工况下大电流工作时的实时结温测量方法，避免了在短路大电流的工况下，功率器件产生自升温，导致功率器件校温曲线库建立不准确的问题。首先，在给功率器件施加长脉宽的大电流，使其稳定地工作在大电流...
郭春生李浩王跃杜昊婧冯士维朱慧张亚民
一种检测行波管收集极散热特性的方法和装置
本发明公开了一种检测行波管收集极散热特性的方法和装置，属于微波真空电子器件检测技术领域。装置包括热阻测试仪、加热探头、测试探头和被测行波管收集极。将测试探头放在被测行波管收集极两侧的对称位置，加热探头放置在行波管收集极上...
冯士维何鑫张亚民杨芳于文娟
文献传递
一种逐层推移测量多层材料热阻的方法
一种逐层推移测量多层材料热阻的方法属于电子器件电学和热学测量技术领域。装置包括被测材料，热源，温度采集设备和计算机。所述方法测量了热源温度随时间变化的曲线，即瞬态热响应曲线；然后，根据传统结构函数方法得到的热阻信息，进一...
冯士维何鑫白昆郑翔胡朝旭李轩张亚民
文献传递
一种功率MOS器件在线测温的方法
一种功率MOS器件在线测温的方法属于功率半导体器件以及电力电子应用技术领域。使功率MOS器件处于工作状态下，在功率MOS器件栅极施加测试脉冲电压信号，检测栅极测试脉冲电压信号与对应漏极电流变化的开启延迟时间；测量功率MO...
冯士维石帮兵史冬张亚民王勋
一种具有栅介质保护区的新型碳化硅平面型IGBT
本发明公开了一种具有栅介质保护区的碳化硅平面型IGBT，包括P+集电极、位于P+集电极背面的金属集电极和位于P+集电极正面的N型缓冲层；N型缓冲层正面是N－漂移区；N－漂移区正面中间注入一系列重掺杂P+岛、两侧分别具有一...
张蒙李腾黄艺张亚民孟宪伟温茜郭春生冯士维
一种无损测量电子功能模块内部温度和热阻构成的方法及装置
本发明公开了一种无损测量电子功能模块内部温度和热阻构成的方法及装置，涉及功率电子器件检测技术领域。装置包括热阻测试仪，加热和测试探头和被测模块。将被测模块放置在恒温平台上，加热探头紧贴于被测模块上表面并保持良好接触，加热...
冯士维何鑫张亚民杨芳于文娟
文献传递
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