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用于制备二维光子晶体的双光束全息干涉多次曝光方法: 本发明公开了一种用于制备二维光子晶体的双光束全息干涉多次曝光方法，该方法包括：半导体衬底的清洗；旋涂光刻胶；光刻胶的前烘焙；在双光束全息系统中多次交叉曝光；显影；光刻胶的后烘焙；半导体衬底的各向同性腐蚀；除去光刻胶。本发...; 陆全勇张伟王利军刘峰奇; 文献传递

量子级联激光器表面等离子波导的优化设计: 本文介绍了中红外波段的量子级联激光器表面等离子体波导的波导损耗、限制因了以及远场分布的优化计算。通过适当改变有源层和金属电极层之间的InGaAs接触层的厚度和掺杂浓度,使其折射率的实部和虚部同时达到最优值,可以有效地减小...; 陆全勇张伟王立军高瑜尹文张全德刘万峰刘峰奇王占国; 文献传递网络资源链接

垂直发射量子级联激光器结构: 本发明提供一种垂直发射量子级联激光器结构，包括：一衬底，在该衬底上依次生长有波导层、有源层和接触层；金属光栅层，该金属光栅层位于接触层的上面，并且该金属光栅层具有二级布拉格周期。; 郭万红刘俊岐陆全勇张伟江宇超李路王利军刘峰奇王占国

GaAsGa基长波长(In)NAs材料系的分子束外延生长: 潘钟李联合王海张伟林耀望周增圻; 关键词：GAAS基长波长分子束外延生长

GaInNAs/GaAs量子阱激光器的发展与未来被引量：2: 2000年; ＧａＩｎＮＡｓ是一种直接带隙半导体材料，在长彼长（１．３０和１．５５μｍ）光通信系统中具有广阔的应用前景．通过调节Ｉｎ和Ｎ的组分，既可获得应变ＧａＩｎＮＡｓ外延材料，也可制备ＧａＩｎＮＡｓ与ＧａＡｓ匹配的异质结构，其波长覆盖范围为０．９－Ｎ２．０μｍ．ＧａＩｎＮＡｓ／ＧａＡｓ量子阱激光器的特征温度为２００Ｋ，远大于现行ＧａＩｎＮＡｓＰ／ＩｎＰ激光器的特征温度（Ｔ０＝５０Ｋ）．ＧａＩｎＮＡｓ光电子器件的此优异特性，对于提高光纤通信系统的稳定性、可靠寿命具有特别重要的意义．由于ＧａＩｎＮＡｓ和具有高反射率（高达９９％）ＡＩ（Ｇａ）Ａｓ／ＧａＡｓ的分布布拉格反射镜（ＤＢＲ）可生长在同－ＧａＡｓ衬底上，因此它是长波长（１．３０和１．５５ μｍ）垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）的理想材料．垂直腔面发射激光器是光纤通信、互联网和光信号处理的关键器件．ＧａＡｓ基的超高速集成电路（ＩＣ）已有相当成熟的工艺．如果ＧａＩｎＮＡｓ－ＶＣＳＥＬ与ＧａＡｓ－ＩＣ相结合，将使光电集成电路（ＯＥＩＣ）开拓出崭新的局面．本文还报道我们课题组研制高质量ＧａＮＡｓ／ＧａＡｓ超晶格和大应变; 林耀望潘钟李联合张伟王学宇; 关键词：GAINNAS GAAS 量子阱激光器半导体激光器

锥形光子晶体量子级联激光器及其制作方法: 本发明公开了一种近衍射极限光束输出的锥形光子晶体量子级联激光器及其制作方法。该激光器包括：衬底，及其在衬底上依次生长的下波导层、有源区、上波导层、上覆盖层、上接触层、欧姆接触层、电绝缘层、正面电极和衬底背面电极。该激光器...; 张伟王利军刘俊岐李路张全德陆全勇高瑜刘峰奇王占国; 文献传递

边发射二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法: 一种边发射二维光子晶体分布反馈量子级联激光器，包括：一衬底；一下波导层，该下波导层生长在衬底的中间部位，在下波导层上依次生长有有源层、上波导层和盖层；一高掺杂层，该高掺杂层生长在盖层的上面，该高掺杂层为二维正方圆孔点阵结...; 陆全勇张伟王利军高瑜尹雯张全德刘万峰刘峰奇王占国; 文献传递

锥形光子晶体量子级联激光器及其制作方法: 本发明公开了一种近衍射极限光束输出的锥形光子晶体量子级联激光器及其制作方法。该激光器包括：衬底，及其在衬底上依次生长的下波导层、有源区、上波导层、上覆盖层、上接触层、欧姆接触层、电绝缘层、正面电极和衬底背面电极。该激光器...; 张伟王利军刘俊岐李路张全德陆全勇高瑜刘峰奇王占国

带有准光子晶体波导阵列的量子级联激光器及其制作方法: 一种带有准光子晶体波导阵列的量子级联激光器，包括：一衬底；一下波导层生长在衬底之上，且中间有一凸台，凸台的两侧形成脊型双沟台面结构；一量子级联有源区结构生长在下波导层的凸台之上；一上波导层生长在量子级联有源区结构之上；一...; 尹雯陆全勇张伟刘峰奇张全德刘万峰江宇超李路刘俊岐王利军王占国; 文献传递

斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法: 一种斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法，其中斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器，包括：一InP衬底；一InP波导限制层制作在InP衬底上；一InGaAs下波导层制作在InP波导限制层上；一应变补偿有...; 陆全勇张伟王利军刘俊岐李路刘峰奇王占国

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张伟

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机构

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