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张保国

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：山东大学更多>>
相关领域：经济管理电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇学位论文
  • 3篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇经济管理
  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇自支撑
  • 2篇氮化镓
  • 2篇形貌
  • 2篇水热
  • 2篇氢化
  • 2篇氢化物
  • 2篇热反应
  • 2篇位错
  • 2篇空位
  • 2篇化物
  • 2篇衬底
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶生长
  • 1篇低应力
  • 1篇战略管理
  • 1篇通行
  • 1篇蓝宝
  • 1篇蓝宝石
  • 1篇激光
  • 1篇激光处理

机构

  • 7篇山东大学

作者

  • 7篇张保国
  • 4篇吴拥中
  • 4篇郝霄鹏
  • 4篇霍勤
  • 4篇邵永亮
  • 1篇张雷
  • 1篇戴元滨
  • 1篇田媛

年份

  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 2篇2012
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
聊城公交集团发展战略研究
随着聊城城市化进程的逐步加快,城市交通拥堵和交通污染也日益严重。科学并“优先发展城市公共交通”已成为各级政府重视且必须解决的问题。然而聊城的城市公共交通事业作为国有资源,其事权分割、多家经营、恶意竞争等状况,使唯一具有省...
张保国
文献传递
一种水热腐蚀多孔衬底生长自支撑氮化镓单晶的方法
一种水热腐蚀多孔衬底生长自支撑氮化镓单晶的方法，包括以下步骤：(1)配制水热腐蚀溶液，装入水热釜，将GaN晶体Ga面朝上放入水热釜，封釜；(2)将水热釜加热反应，反应完毕后静置降温；(3)待水热釜降至室温，开釜取出GaN...
郝霄鹏张保国邵永亮吴拥中霍勤胡海啸
文献传递
GaN缓冲衬底的制备及其单晶生长研究
氮化镓(GaN)是第三代半导体的典型代表，在高频、大功率器件方面有着广泛的应用。然而，当前使用的GaN基器件大部分都是依靠异质外延制备的，异质外延由于GaN与衬底之间存在晶格失配和热失配导致生长的GaN晶体具有很高的位错...
张保国
关键词：氮化镓单晶生长
通过生长低温插入层制备自剥离HVPE氮化镓的方法
氢化物气相外延法(HVPE)是最有前景的制备自支撑氮化镓(GaN)的方法,具有生长速度快,成本低,生长的GaN质量好等优点。目前,HVPE法生长GaN主要采用异质衬底,如AlO、SiC和GaAs等。因此,如何将GaN和异...
田媛郝霄鹏吴拥中张雷邵永亮戴元滨霍勤张保国
关键词：氮化镓
文献传递
卿城公交集团发展战略研究
随着聊城城市化进程的逐步加快，城市交通拥堵和交通污染也日益严重。科学并“优先发展城市公共交通”已成为各级政府重视且必须解决的问题。然而聊城的城市公共交通事业作为国有资源，其事权分割、多家经营、恶意竞争等状况，使唯一具有省...
张保国
关键词：公共交通行业战略管理
文献传递
一种利用激光处理衬底生长低应力自支撑GaN单晶的方法
一种利用激光处理衬底生长低应力自支撑GaN单晶的方法，包括以下步骤：(1)在蓝宝石衬底上外延生长一层GaN薄膜，获得MGA衬底；(2)将得到的MGA衬底进行清洗并烘干；(3)将清洗后的MGA衬底放入恒温室，蓝宝石面朝向激...
郝霄鹏胡海啸邵永亮吴拥中霍勤张保国
文献传递
一种水热腐蚀多孔衬底生长自支撑氮化镓单晶的方法
一种水热腐蚀多孔衬底生长自支撑氮化镓单晶的方法，包括以下步骤：(1)配制水热腐蚀溶液，装入水热釜，将GaN晶体Ga面朝上放入水热釜，封釜；(2)将水热釜加热反应，反应完毕后静置降温；(3)待水热釜降至室温，开釜取出GaN...
郝霄鹏张保国邵永亮吴拥中霍勤胡海啸
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