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张孝文

作品数:114 被引量:229H指数:8
供职机构:清华大学材料科学与工程系更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国博士后科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程化学工程理学更多>>

文献类型

  • 68篇期刊文章
  • 29篇会议论文
  • 16篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 44篇一般工业技术
  • 38篇电气工程
  • 32篇化学工程
  • 13篇理学
  • 6篇电子电信
  • 2篇天文地球
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 52篇陶瓷
  • 48篇铁电
  • 27篇压电
  • 22篇铁电体
  • 22篇弛豫
  • 20篇压电陶瓷
  • 19篇铁电陶瓷
  • 16篇介电
  • 12篇电性能
  • 11篇准同型相界
  • 11篇弛豫铁电体
  • 10篇陶瓷材料
  • 10篇介电性
  • 10篇PB
  • 9篇无铅
  • 8篇钛酸铅
  • 8篇铌镁酸铅
  • 8篇无铅压电
  • 7篇烧成
  • 7篇锆钛酸铅

机构

  • 113篇清华大学
  • 3篇华北电力大学
  • 1篇北京交通大学
  • 1篇天津大学
  • 1篇香港科技大学
  • 1篇红河学院
  • 1篇山东建材学院

作者

  • 114篇张孝文
  • 63篇李龙土
  • 43篇桂治轮
  • 15篇顾秉林
  • 8篇董蜀湘
  • 8篇阎培渝
  • 8篇王强
  • 7篇陈克丕
  • 7篇周世平
  • 7篇王新荣
  • 5篇方菲
  • 5篇刘玉顺
  • 5篇王雨
  • 5篇高素华
  • 5篇周济
  • 5篇周铁英
  • 4篇孙红飞
  • 4篇王强
  • 4篇邓维体
  • 4篇戴叶婧

传媒

  • 10篇稀有金属材料...
  • 10篇硅酸盐学报
  • 7篇功能材料
  • 6篇物理学报
  • 5篇材料研究学报
  • 4篇无机材料学报
  • 3篇科学通报
  • 3篇中国科学(A...
  • 3篇高技术通讯
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  • 2篇94’全国结...
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇陶瓷学报
  • 1篇声学学报
  • 1篇清华大学学报...
  • 1篇物理
  • 1篇材料导报

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 4篇2008
  • 4篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2005
  • 4篇2004
  • 1篇2003
  • 2篇2002
  • 1篇1999
  • 2篇1998
  • 6篇1997
  • 7篇1996
  • 11篇1995
  • 16篇1994
  • 4篇1993
114 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
PLZT陶瓷的介电弛豫行为与A位有序被引量:3
1995年
用传统粉末工艺合成了(Pb_(0.865)La_(0.09))(Zr_(0.65)Ti_(0.35))O_3陶瓷(PLZT9/65/35)。X射线研究表明:试样中存在着A位准体心立方有序超结构,有序畴的平均尺寸为10~20nm。测定了10个频率下介电常数与温度的关系,并将介电常数最大值的温度T_m与对应的频率f用Vogel-Fulcher公式拟合,得到物理上合理的激活能及指数前项值,这表明试样的介电弛豫行为与自旋玻璃态类似。基于A位有序超结构及类似于自旋玻璃态的极化行为,对试样的极化全过程进行了探讨。
方菲桂红张孝文
关键词:驰豫铁电体陶瓷
PMN-PZN-PT系弛豫铁电陶瓷的介电老化
1994年
对一种满足25U电容标准的PMZN陶瓷的个电老化行为特卢、进行了研究,并分析了材料组成、外电场及温度等因素对其老化行为的影响。研究发现,材料老化是由掺杂(MnO2、MgO)所诱导,其老化行为与正常铁电体有一定差异。
王雨桂治轮李龙土张孝文
关键词:弛豫铁电陶瓷介电性
PZT/Si薄膜的扩散反应研究被引量:3
1996年
运用XPS和AES研究了PZT薄膜/Si在热处理过程中的薄膜及界面化学反应:在热处理过程中,气氛中的氧气通过PZT的缺陷通道扩散到PZT/Si界面上,并与界面上的硅发生氧化反应形成SiO2界面层。同时基底上的硅通过PZT的缺陷扩散到样品表面形成SiO2表面层。此外,在PZT/Si界面上,Ti的氧化物和Si发生还原反应,形成了TISix金属硅化物,并残留在PZT膜层和SiO2界面层中。在PZT膜层内,有机结碳和钛的氧化物发生还原反应形成了TiCx物种,并存在于PZT膜层中。
朱永法曹立礼阎培渝李龙土张孝文
关键词:固态反应锆钛酸铅铁电体
Pt扩散阻挡层对PZT/Si薄膜化学结构和性能的影响被引量:2
1996年
运用XPS和AES研究了Pt扩散阻挡层对PZT薄膜/Si界面化学结构和性能的影响:在PZT薄膜和Si基底间增加Pt扩散阻挡层,可以抑制TiCx物种和TiSix物种的形成,促进PZT薄膜的形成反应。Pt扩散阻挡层的存在阻断了氧和Si的相互扩散反应,促进PZT物种形成钙钛矿型晶体结构,使得形成的PZT薄膜具有和体相材料相近的高介电常数和铁电性能。
朱永法曹立礼阎培渝李龙土张孝文
关键词:锆钛酸铅扩散阻挡层铁电体
超低温烧结PNN压电陶瓷及其制造工艺
一种超低温烧结PNN压电陶瓷及其制造工艺。本发明属于压电陶瓷及其制造领域。本发明采用铌镍锆酞酸铅压电陶瓷,以镉取代部分铅并添加二氧化硅、二氧化锰,加过量氧化铅而实现超低温烧结,烧结温度840°~1000℃。既可以密闭烧结...
桂治轮高素华李龙土张孝文
文献传递
Pb[(Mg1/3Nb2/3)0.536(Ni1/3Nb2/3)0.128Ti0.336]O3陶瓷的结构和电学性能被引量:1
2005年
通过铌铁矿预产物法制备出了Pb[(Mgq/3Nb2/3)0.536(Ni1/3Nb2/3)0.128Ti0.336]O3铁电陶瓷,并对其结构和电学性能进行了研究.结果表明,该三元体系组成处在准同型相界区域,1kHz时的介电常数极值达到45540,剩余极化强度为37uC/gm2,压电系数d33也达到780pC/N.烧结时有效地抑制PbO的挥发对于获得高性能的铅系铁电陶瓷有决定性的影响.
潘劲松陈宇陈克丕张孝文
关键词:铌镁酸铅准同型相界电学性能钙钛矿相
PMN-PZN-PT铁电陶瓷的准同型相界及其电学性能
本文以准同型相界(简称MPB)的线性组合规律为研究方法,将该系统的两个子二元系MPB组分0.67PMN–0.33PT及0.91PZN–0.09PT相连,即在(1–x)(0.67PMN–0.33PT)–x(0.91PZN–...
陈焱张孝文
文献传递
高性能压电陶瓷掺杂效应的研究
探讨了不同添加物对低温烧结高性能压电陶瓷PMN—PNN—PZT的影响。ZnO与LiCO复合添加剂可以兼顾低烧结温度与高性能。Zn+Li复合添加的压电陶瓷烧结温度940℃—1000℃压电性能为Kp=0.63—0.74,d=...
桂治轮胡红钢李龙土张孝文
文献传递
A(B′_(1/2)B″_(1/2)O_3系统有序参数的相互关系被引量:2
1993年
自Setter等人报道了Pb(Sc_(1/2)Ta_(1/2)O_3材料中有序度对铁电体弛豫特性的影响以来,复合钙钛矿A(B′_(1/2)B″_(1/2))O_3系统中的有序畴的研究受到了人们广泛的重视。在A(B′_(1/2),B″_(1/2))O_3系统中一般形成B′∶B″=1∶1的有序畴,即沿<111>方向B′和B″离子相间呈层状排列。与具有简单立方点阵的无序区相比,有序畴的晶胞常数大一倍,具有面心立方点阵,在X光衍射分析(XRD)图样上将要多出一些衍射线。根据Cullity的推导,当材料内部有序均匀一致时。
吴仲林桂治轮李龙土张孝文
关键词:XRD
复合钙钛矿型弛豫铁电体的介电机理研究被引量:1
1997年
通过分析复合钙钛矿型弛豫铁电体中极化微区之间相互作用的性质,建立了等效相互作用参数服从Gauss分布的物理模型.利用平衡态和准平衡态中的Monte Carlo模拟,研究了这类材料介电特性产生的机理.通过计算偶极子翻转的弛豫时间分布,提出了冻结偶极子和慢偶极子的概念,系统地解释了弥散相变、频率色散和极化行为等现象,提出由晶体结构不均匀性导致的连续遍历性破缺,是这类材料弛豫特性产生的根本原因.
桂红张孝文顾秉林
关键词:弛豫铁电体介电性相变极化
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