张峰燚
- 作品数：16 被引量：24H指数：4
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程更多>>
- 一种用于砷化镓单晶生长的光学测径装置
- 本实用新型公开了一种用于砷化镓单晶生长的光学测径装置，它包括图像采集部分、图像选择部分、图像处理部分及测量结果输出部分，各部分间通过数据传输线缆联接。图像采集部分为一架设在砷化镓单晶生长炉室观察窗外的数码摄像机；图像选择...
- 屠海令张峰燚石瑛郑杰周新民朱力马庆祥王钺
- 文献传递
- VGF法生长6英寸GaAs单晶生长速率的优化被引量：3
- 2011年
- 晶体的生长速率关系着晶体质量和生产效率,保证晶体质量的同时,实现较高的生产效率是晶体生长速率优化的主要目标。VGF技术生长晶体时,晶体的生长速率主要取决于控温点的温度及降温速率。在保持加热器控温点不变的情况下,利用数值模拟方法研究了0.9,1.8,3.6mm.h-13个速率下6英寸VGF GaAs单晶的生长,通过对比不同生长速率下温度梯度(均为界面附近晶体中的温度梯度)和固-液界面形状的变化及热应力的分布,得出以下结果:随着晶体生长速率的增加,轴向温度梯度增大的同时,沿径向增加也较快;但由于受氮化硼坩埚轴向较大热导率的影响,晶体边缘轴向温度梯度迅速减小;径向温度梯度在晶体半径70mm处受埚壁的影响均变为负值,晶体中大量的热沿埚壁流失,导致生长边角上翘;生长速率的增加使得界面形状由凸变平转凹,"边界效应"逐渐增强,坩埚与固-液界面的夹角逐渐减小,孪晶和多晶产生的几率增加;通过对比,1.8 mm.h-1生长时晶体界面平坦、中心及边缘处热应力均较小、生长速率较大,确定为此时刻优化的生长速率。
- 丁国强屠海令苏小平张峰燚涂凡王思爱
- 关键词：砷化镓生长速率数值模拟
- 蒸汽压控制直拉单晶生长装置
- 本实用新型公开了一种蒸汽压控制直拉单晶生长装置,属于半导体晶体生长设备技术领域。该装置包括单晶炉、加热装置、机械传动装置和气体调节装置,在单晶炉体中装有热密封容器,热密封容器由上、下容器体组成,上、下容器体之间装有密封连...
- 屠海令王永鸿钱嘉裕宋萍张峰燚
- 文献传递
- 单晶炉三维热场分布全自动测试系统及其测试方法
- 本发明公开了一种单晶炉三维热场分布全自动测试系统及其测试方法，该测试系统主要由数据采集单元、信号汇集转发单元、模/数转换单元、数据分析处理单元和数据显示输出单元组成，各单元之间按照上述排列顺序通过信号线进行连接；使用本发...
- 屠海令张峰燚石瑛郑杰周新民朱力马庆祥王钺
- 文献传递
- 单晶炉三维热场分布全自动测试系统及其测试方法
- 本发明公开了一种单晶炉三维热场分布全自动测试系统及其测试方法，该测试系统主要由数据采集单元、信号汇集转发单元、模/数转换单元、数据分析处理单元和数据显示输出单元组成，各单元之间通过信号线进行连接；使用本发明提供的测试系统...
- 屠海令张峰燚石瑛郑杰周新民朱力马庆祥王钺
- 文献传递
- 6英寸砷化镓单晶VGF法生长中坩埚-埚托间隙对晶体生长过程影响被引量：6
- 2011年
- 在VGF法生长6英寸GaAs单晶的实际生长过程中,坩埚与坩埚托之间难以实现完全的理想贴合。坩埚与埚托之间的空隙对晶体生长过程中的温场和固液界面形状影响较大。通过模拟计算5种不同的空隙形状时的温场与热应力分布,发现随着空隙面积的增大,固液界面在轴向上的位置逐渐下降。在锥形空隙情况下,得到一个平坦的固液界面。设计了两种不同的空隙填充方案,模拟计算的结果表明,液态Ga完全填充时,在晶体轴向上热应力的分布较为平缓,有利于生长低位错、高质量的GaAs单晶。
- 涂凡苏小平张峰燚黎建明丁国强
- 关键词：固液界面
- 10cm VGF法GaAs单晶生长过程中热应力的数值模拟被引量：2
- 2010年
- 采用数值模拟技术模拟了10cm(4in)VGF法GaAs单晶生长过程中的温场分布、固液界面形貌以及热应力分布。推导得到了固液界面形状与轴向温度梯度和径向温度梯度之间的关系,定义了一个固液界面形状函数,用以表征固液界面偏离度。固液界面偏离度可定义为晶体边缘和晶体中心轴向位置的差值。计算得到固液界面凹(凸)度的临界值,小于该值时,固液界面附近的热应力低于临界分解剪切应力(CRSS)。模拟计算了两个时刻的晶体中的热应力分布:当偏离度大于临界值时,晶体中的热应力大于CRSS,反之,晶体中的热应力小于CRSS,验证了理论推导的结果。
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- 关键词：数值模拟VGFGAAS固液界面热应力
- 一种用于砷化镓单晶生长光学测径的方法
- 本发明公开了一种用于砷化镓单晶生长光学测径的方法，采用数码摄像机、数字滤波器、计算机及显示输出设备由传输线缆相连接组成，实现步骤包括：A.采集砷化镓单晶不连续弯月面的图像信息；B.对采集到的不连续弯月面边界上的测量点进行...
- 屠海令张峰燚石瑛郑杰周新民朱力马庆祥王钺
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- VGF法生长6英寸Ge单晶中热应力的数值模拟优化被引量：3
- 2011年
- VGF技术生长单晶时温度梯度较低,生长速率较小,目前已成为生长大直径、低位错密度晶体的主流技术之一。采用数值模拟研究了VGF法6英寸低位错Ge单晶的生长,结果表明在采用自主研发的VGF炉生长6英寸Ge单晶时,晶体生长过程中晶体与熔体中均具有较低的温度梯度(这里的温度梯度是指的界面附近的温度梯度),尤其当晶体生长进入等径生长阶段后,晶体中的轴向温度梯度在2～3 K.cm-1之间,熔体中的轴向温度梯度0.8～1.0 K.cm-1之间;晶体中的热应力除边缘外均在(2～9)×104 Pa之间,低于Ge单晶的临剪切应力,且晶体生长界面较平整;坩埚与坩埚托之间的间隙对于晶体生长中的"边界效应"影响显著,将8 mm间隙减小至2 mm后,埚壁外侧的径向热流增加,使得晶体边缘的最大热应力减小至0.21 MPa和Ge单晶的临剪切应力相当,实现了热场的优化。
- 丁国强苏小平张峰燚黎建明冯德伸
- 关键词：锗单晶数值模拟
- 数字模拟法研究坩埚锥角对VGF法GaAs单晶生长的影响被引量：4
- 2011年
- 坩埚锥角是诱发VGF法GaAs单晶出现孪晶与多晶的重要因素之一,应用数值模拟的方法对其进行了研究与探讨,研究发现,在晶体生长的放肩阶段,坩埚锥角为60°,90°,120°3种情况下,晶体生长的固液界面均凹向熔体,随坩埚锥角α的增大,接触角θ变小,非均匀形核几率增加,易诱发孪晶和多晶。根据热量传输分析,在晶体生长的转肩阶段,随坩埚锥角α的增大,沿轴向传走的热量减小,径向传走的热量增加,增大了径向的温度梯度,造成凹的生长界面,导致三相点处过冷度的增加,也增大了孪晶及多晶产生的几率。而在等径生长部分由于远离了坩埚直径增加的区域,坩埚锥角对成晶率的影响较小。考虑到晶体生长的效率,为获得较长的等径部分,需要设计合适的坩埚锥角。选取了90°的坩埚锥角,模拟及实验均证实这一角度即能有效提高单晶成晶率,又能保证一定的晶体生长效率,并生长出直径4英寸的VGF GaAs单晶。
- 王思爱苏小平张峰燚丁国强涂凡
- 关键词：GAAS单晶
