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张滨海

作品数:5 被引量:15H指数:3
供职机构:复旦大学材料科学系更多>>
相关领域:电子电信机械工程更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇机械工程

主题

  • 2篇电路
  • 2篇镀钯
  • 2篇金属
  • 2篇金属间化合物
  • 2篇集成电路
  • 2篇键合
  • 1篇引线
  • 1篇引线键合
  • 1篇铜线
  • 1篇气体
  • 1篇微结构
  • 1篇微结构研究
  • 1篇界面金属间化...
  • 1篇抗氧化
  • 1篇扩散
  • 1篇键合工艺
  • 1篇封装
  • 1篇保护气体
  • 1篇CU
  • 1篇CU/AL

机构

  • 5篇复旦大学
  • 1篇日月光封装测...

作者

  • 5篇王家楫
  • 5篇张滨海
  • 2篇方培源
  • 2篇范象泉
  • 1篇刘兴杰

传媒

  • 3篇半导体技术
  • 1篇分析仪器
  • 1篇第五次华北五...

年份

  • 2篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2008
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
红外发光显微镜EMMI及其在集成电路失效分析中的应用
随着超大规模集成电路(VLSI)的发展,半导体芯片中元器件的特征尺寸越来越小,已经进入了深亚微米时代。近几年新发展起来的红外发光显微技术(Emission Microscopy,EMMI)利用了IC器件中大多数缺陷都呈现...
张滨海方培源王家楫
关键词:超大规模集成电路
文献传递
红外发光显微镜及其在集成电路失效分析中的应用被引量:5
2008年
随着超大规模集成电路的发展,半导体芯片中元器件的特征尺寸越来越小,已经进入了深亚微米时代。近几年新发展起来的红外发光显微镜技术,能利用集成电路(IC)器件中大多数缺陷都呈现微弱红外发光的现象,迅速准确地定位失效点,成为对IC进行失效缺陷定位的有力工具。本文介绍了半导体的发光机理,红外发光显微镜的基本结构、主要部件及技术特点。通过对两个IC失效样品的分析实例,介绍红外发光显微镜及其补充技术——激光束诱导电阻率变化测试技术在IC失效分析中的具体应用。
张滨海方培源王家楫
关键词:集成电路
镀Pd Cu线键合工艺中Pd行为研究被引量:3
2010年
由于Cu线热导率高、电性能好、成本低,将逐渐代替传统Au线应用于IC封装。但Cu线键合也存在Cu材料本身固有特性上的局限:易氧化、硬度高及应变强度等。表面镀Pd Cu线材料的应用则提供了一种防止Cu氧化的解决方案。然而,Cu线表面的Pd层很可能会参与到键合界面形成的行为中,带来新的问题,影响到Cu线键合的强度和可靠性。对镀Pd Cu线键合工艺中Pd的行为进行了系统的研究,使用了SEM,EDS等分析手段对Cu线、烧结Cu球(FAB)、键合界面等处Pd的分布状况进行了检测,结果证明Pd的空间分布随着键合工艺的进行发生了很大的变化,同时还对产生Pd分布变化的原因进行了分析和讨论。
张滨海钱开友王德峻从羽奇赵健范象泉王家楫
关键词:封装金属间化合物
铜线键合的抗氧化技术研究被引量:2
2011年
在铜线键合的过程中通入惰性保护气体,或在纯铜线表面涂覆金属钯防氧化层都可以改善铜线键合的抗氧化性能。为了评价上述两种方法对铜线键合抗氧化性能的改进情况,使用先进的材料表征方法分析不同保护气体流量情况下键合形成的金属熔球的形貌,金属熔球表面的氧原子数分数和表面氧化层的厚度。研究表明,保护气体流量为0.51 L/min时,可以在保证成本较低的情况下获得最佳的抗氧化效果。通过XPS和TEM分析发现,铜线表面涂覆金属钯可以延长铜线的存储寿命,降低键合界面的氧含量,提高键合的可靠性。
范象泉王德峻从羽奇张滨海王家楫
关键词:引线键合铜线镀钯保护气体
铜线键合Cu/Al界面金属间化合物微结构研究被引量:5
2011年
由于铜线具有较高的热导率、卓越的电学性能以及较低的成本,被普遍认为将逐渐代替传统的金线而在IC封装的键合工艺中得到广泛的应用。铜线键合工艺中Cu/Al界面金属间化合物(IMC)与金线键合的Au/Al IMC生长情况有很大差别,本文针对球焊键合中键合点的Cu/Al界面,将金属间化合物生长理论与分析手段相结合,研究了Cu/Al界面IMC的生长行为及其微结构。文中采用SEM测试方法,观察了IMC的形貌特点,测量并得到了IMC厚度平方正比于热处理时间的关系,计算得到了生长速率和活化能数值,并采用TEM,EDS等测试手段,进一步研究了IMC界面的微结构、成分分布及其金相结构。
刘兴杰张滨海王德峻从羽奇王家楫
关键词:微结构金属间化合物扩散
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