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张燕辉

作品数：60 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
相关领域：一般工业技术金属学及工艺电子电信理学更多>>

合作作者

题名
作者

文献类型

  • 57篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 9篇一般工业技术
  • 4篇金属学及工艺
  • 3篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 40篇石墨
  • 39篇石墨烯
  • 19篇衬底
  • 13篇金属
  • 10篇气相沉积
  • 10篇化学气相
  • 10篇化学气相沉积
  • 7篇光学显微镜
  • 5篇堆垛
  • 5篇微电子
  • 5篇纳米
  • 5篇刻蚀
  • 5篇CVD
  • 4篇铜表面
  • 4篇气体
  • 4篇氢气
  • 4篇籽晶
  • 4篇含碳
  • 4篇合金
  • 4篇干法

机构

  • 60篇中国科学院
  • 1篇大连理工大学

作者

  • 60篇于广辉
  • 60篇张燕辉
  • 58篇陈志蓥
  • 39篇隋妍萍
  • 32篇张浩然
  • 15篇葛晓明
  • 13篇王彬
  • 13篇王斌
  • 10篇李晓良
  • 7篇徐伟
  • 4篇吴渊文
  • 4篇朱博
  • 2篇赵志德
  • 2篇师小萍
  • 2篇陈吉
  • 2篇吴天如
  • 2篇谢晓明
  • 1篇王彬

传媒

  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇第十届全国分...
  • 1篇第二届海峡两...

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 4篇2022
  • 1篇2021
  • 3篇2020
  • 6篇2019
  • 2篇2018
  • 13篇2017
  • 4篇2016
  • 7篇2015
  • 9篇2014
  • 6篇2013
  • 2篇2012
共 60 条 记 录，以下是 1-10
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MoX<Sub>2</Sub>/WX<Sub>2</Sub>横向异质结的制备方法
本发明提供一种MoX<Sub>2</Sub>/WX<Sub>2</Sub>横向异质结的制备方法，通过将两种金属源配置成前驱体溶液，在将前驱体溶液涂覆在衬底表面后，采用CVD法，即可获得界面锐利的MoX<Sub>2</Su...
王爽于广辉张燕辉陈志蓥
一种提高石墨烯表面洁净度的湿法腐蚀化学转移法
本发明涉及一种提高石墨烯表面洁净度的湿法腐蚀化学转移法，其特征在于包括先在金属衬底和石墨烯的结合体上沉积一层金属，在金属上表面涂一层有机胶体，然后放到腐蚀液中，得到有机胶体、金属层和石墨烯层的结合体，再将三者的结合体转移...
陈志蓥于广辉张燕辉隋妍萍张浩然张亚欠汤春苗朱博李晓良
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一种增强泡沫铜抗氧化能力的方法
本发明涉及一种增强泡沫铜抗氧化能力的方法，包括以下步骤：将泡沫铜放入镍盐溶液中，并连接电源阴极；另取一导电材料作为阳极；在阴阳两极之间加上一定电压，一段时间后切断电压；得到的泡沫铜表面会覆盖一层镍薄膜，使得泡沫铜抗氧化性...
张燕辉于广辉陈志蓥王彬张浩然
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一种石墨烯玻璃
本实用新型提供一种石墨烯玻璃，所述石墨烯玻璃包括：第一玻璃；石墨烯薄膜，形成于所述第一玻璃表面；第二玻璃，覆盖于所述石墨烯薄膜上，使得所述石墨烯薄膜夹在所述第一玻璃及第二玻璃之间，所述石墨烯薄膜的尺寸小于所述第一玻璃及第...
张燕辉于广辉陈志蓥隋妍萍葛晓明邓荣轩梁逸俭胡诗珂
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一种修饰石墨烯薄膜的方法
本发明提供一种修饰石墨烯薄膜的方法，先利用在石墨烯薄膜的晶畴边界和缺陷处暴露的金属衬底对金属离子溶液中的金属离子进行还原，生成金属纳米粒子，对石墨烯薄膜实现选择性掺杂修饰；再通过腐蚀和转移工艺对掺杂修饰好的石墨烯薄膜实现...
陈志蓥于广辉王斌张燕辉王彬赵智德吴渊文张浩然
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一种过渡金属硫族化合物二维材料—石墨烯异质结构及其原位生长方法
本发明提供一种过渡金属硫族化合物二维材料—石墨烯异质结构及其原位生长方法。方法包括：步骤A：分别提供衬底、源物质Ⅰ、源物质Ⅱ、以及碳源，将衬底升温，在保护气氛下使碳源溶解到衬底的表面，源物质Ⅰ与源物质Ⅱ分别受热挥发，进一...
于广辉吴天如谢晓明时志远陈吉张燕辉隋妍萍陈志蓥
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一种用于HVPE生长GaN单晶的复合籽晶模板及方法
本发明提供一种用于HVPE生长氮化镓单晶的复合掩膜籽晶模板及方法，包括复合掩膜的结构、复合掩膜窗口区的刻蚀工艺。其特征在于所述的复合掩膜由双层材料沉积而成，外层掩膜起到确保窗口形状和隔离GaN外延层的作用，内层掩膜起到保...
王斌于广辉赵智德徐伟隋妍萍张燕辉
一种石墨烯的表征方法
本发明提供一种石墨烯的表征方法，至少包括以下步骤：提供一形成于衬底上的石墨烯，将所述石墨烯连同其下的衬底一起放入腐蚀性溶液中浸泡预设时间，然后取出所述石墨烯及所述衬底，将所述衬底放置于显微镜下，观测所述衬底上石墨烯的表面...
张燕辉于广辉陈志蓥王斌隋妍萍张浩然张亚欠李晓良
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一种GaN单晶自支撑衬底的制备方法
本发明涉及一种氮化镓单晶自支撑衬底的制备方法，所述的方法包括应力释放的GaN籽晶模板制备和背部刻蚀剥离蓝宝石的方法。所述的应力释放的GaN籽晶模板是在蓝宝石上生长GaN籽晶，通过控制GaN籽晶的厚度和降温的条件，实现控制...
王斌于广辉赵志德徐伟张燕辉陈志蓥隋妍萍
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直观显示金属衬底上CVD石墨烯表面缺陷分布的方法
本发明涉及一种直观显示金属衬底上CVD石墨烯表面缺陷分布的方法，包括：将未转移的CVD石墨烯连同金属衬底一起放入氧化性溶液中，石墨烯褶皱以及其他缺陷处的金属衬底会被氧化，然后将氧化后的CVD石墨烯连同金属衬底置于光学显微...
张燕辉于广辉陈志蓥王彬张浩然
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