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徐文彬

作品数：15 被引量：18H指数：2
供职机构：集美大学信息工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金福建省教育厅资助项目更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇电气工程
  • 1篇环境科学与工...

主题

  • 4篇电容
  • 4篇氧空位
  • 4篇栅介质
  • 4篇溅射
  • 3篇等离子
  • 3篇等离子处理
  • 3篇TIO
  • 3篇XN
  • 2篇氮氧化物
  • 2篇铁电
  • 2篇绝缘强度
  • 2篇反应溅射
  • 2篇高K栅介质
  • 2篇薄膜电容
  • 2篇SIO
  • 2篇氩
  • 2篇叉指电极
  • 1篇氮化
  • 1篇氮氧化硅
  • 1篇等离子体

机构

  • 11篇浙江大学
  • 10篇集美大学

作者

  • 14篇徐文彬
  • 8篇王德苗
  • 3篇任高潮
  • 3篇董树荣
  • 1篇庄铭杰

传媒

  • 3篇集美大学学报...
  • 3篇电子元件与材...
  • 2篇材料导报
  • 2篇科技创新导报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇真空
  • 1篇真空电子技术

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 3篇2013
  • 3篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2007
  • 1篇2005
  • 1篇2004
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
氧空位对ZrSiO基MIM结构电容电学性能的影响被引量：2
2013年
研究了磁控溅射法制备得到的MIM结构ZrSiO薄膜电容,ZrSiO薄膜的制备以沉积时和沉积后退火过程中的氧气流量为主要工艺参数,重点讨论了由不同工艺条件导致的不同氧空位密度对漏电特性和电容-电压非线性等电学性能的影响.
徐文彬任高潮
关键词：氧空位
铁电薄膜应用研究进展被引量：2
2004年
简要综述了铁电薄膜在铁电存储器、MEMS系统、微波器件、光电器件等几个方面的典型应用,并对国内铁电薄膜的研究及发展作了概述。
徐文彬王德苗董树荣
关键词：铁电薄膜微波器件光电器件MEMS典型应用铁电存储器
基于叉指结构的平面分形电容研究被引量：4
2010年
以基于叉指结构的平面分形电容为研究对象,电容由激光刻蚀法制得,在测得其S参数后,利用ADS仿真工具进行了一阶等效电路参数提取及分析.结果表明,随着共面叉指电极间距的相对减小,电极间的耦合增大,相应的寄生电感也增大;而分形设计可以在保证电极间距不变的情况下,改善电容的工作稳定性.最后制得的分形平面电容的电容值在1~7 pF之间,电容稳定工作频率可达2.5 GHz以上,显示了较好的可调性和稳定性.
徐文彬庄铭杰王德苗
关键词：叉指电极分形
一种基于叉指电极结构的新型三维电容被引量：1
2013年
针对电容发展所面临的电容密度、绝缘强度和高频特性等方面问题,利用兼具横向、纵向电通量的叉指电极结构提出一种新型三维电容。电容测试及分析结果表明采用该设计结构能将电容最高击穿电压增大到40V,最高工作频率提升到10 GHz以上,电容值可调范围比平面电容扩大了2～3倍,有助于解决电容发展中面临的相关问题。
徐文彬
关键词：叉指电极绝缘强度电容值
TiO_2/SiO_xN_y/SiO_2层叠结构栅介质的电容-电压特性研究
2013年
本文讨论了以射频磁控溅射为主要工艺制备的TiO2/SiOxNy/SiO2结构高k栅介质。文中重点讨论了不同成分界面SiOxNy薄膜作用下,栅介质整体电容-电压特性的异同,并论述了SiO2界面层在保证栅介质良好电学性能方面的作用。
徐文彬
关键词：TIO2
TiO_2/SiO_2和TiO_2/SiO_xN_y层叠结构高k栅介质比较研究被引量：2
2010年
以射频磁控溅射为主要工艺,制备了TiO2/SiO2和TiO2/SiOxNy两种层叠结构栅介质。对C-V特性和漏电特性的测试表明,SiO2和SiOxNy等界面层的引入有效地降低了TiO2栅介质电荷密度及漏电流,而不同层叠结构的影响主要通过界面电学性能的差异体现出来。对漏电特性的进一步分析显示,TiO2/SiO2结构中的缺陷体分布和TiO2/SiOxNy结构中的缺陷界面分布是导致电学性能差异的主要原因。综合比较来看,TiO2/SiOxNy结构栅介质在提高MOS栅介质性能方面有更大的优势及更好的前景,有助于拓展TiO2薄膜在高k栅介质领域的应用。
徐文彬王德苗
关键词：栅介质射频磁控溅射
反应溅射SiO_xN_y栅介质薄膜的成分及C-V特性研究
2009年
在前期工作基础上,研究了不同反应气体组合条件下SiOxNy栅介质薄膜的反应溅射制备。反应气体的不同组合首先导致薄膜氮氧比以及沉积速率的不同,并进一步导致薄膜电学性能的差异。对薄膜电容-电压特性的分析表明,沉积速率降低会使薄膜体缺陷密度减小,而氮含量的减少则有助于提高薄膜界面质量。最终结果显示,采用合适的反应气体组合(QN2=1.0sccm,QO2=1.0sccm)制得的SiOxNy薄膜具有较低的体缺陷密度和较好的界面质量,适合于MOS栅介质领域的应用。
徐文彬王德苗
关键词：氮氧化硅C-V特性栅介质
TiO_(x)薄膜阻变特性的氩等离子处理影响探讨
2021年
本文探讨了氩气等离子处理对TiO_(x)薄膜阻变性能的影响,并根据阻变性能的变化,提出了改变等离子处理条件来优化阻变性能的思路。实验显示,随着等离子处理范围的增大,阻变forming-free特征出现的可能性在增大。而处理功率增长的影响主要体现在阻变层中氧空位含量的增加(XPS测定)和等离子处理电流的增大,但在面积较小试样中则逐渐趋于饱和。面积较大试样中没有出现伴随功率增长的饱和趋势,但阻变失效的可能性也同时增大。根据离子电流的测试结果,处理面积变化带来的影响归因于等离子功率的匹配条件不同,并引入了3个小单元并列处理的优化方式。最终结果显示,三单元处理方式在阻变值稳定性、氧空位调整和避免阻变失效等方面有突出的综合优势,有助于阻变性能的进一步提升研究。
徐文彬任高潮
关键词：等离子氧空位
铁电阴极的发射机理及相关问题探讨
2005年
铁电阴极具有能耗小、响应速度快、真空要求低、制备简单等优点,本文重点讨论了对铁电阴极两种不同发射的解释———极化反转和等离子体发射,并对铁电阴极的制备、工作强度、典型应用等问题作了简要分析。
徐文彬王德苗董树荣
关键词：铁电阴极等离子体极化反转
氧气等离子处理对MIM结构ZrAlO薄膜电容性能的影响
2017年
探讨了氧气等离子处理法对基于Zr Al O薄膜的MIM结构电容电学性能的低温工艺优化。Zr Al O薄膜用射频磁控溅射法制得,之后在不改变真空条件的情况下进行Zr Al O薄膜的氧气等离子处理。氧空位是影响薄膜电容性能的主要因素,通过改变氧气流量和等离子功率等处理条件可以影响氧空位的分布状态。通过分析受氧空位影响的电容电学性能,最终确定的等离子处理工艺可以使薄膜漏电流降低三个数量级以上,同时非线性电压系数减小约60%。
徐文彬任高潮
关键词：氧空位等离子溅射漏电流
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