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方兴: 作品数：16 被引量：9H指数：2; 供职机构：中国科学院近代物理研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金中国科学院科研装备研制项目更多>>; 相关领域：理学核科学技术电子电信机械工程更多>>

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ADS强流质子加速器低能传输段发射度匹配研究: 研制了一套强流质子源及低能传输线(LEBT)注入器用于ADS质子直线加速器.质子源产生35 keV强流束经过低能传输段聚焦进入射频四极(RFQ)入口.低能传输段不匹配是强流RFQ中引起束流丢失的主要原因.不同加速段的束流...; 武启何源赵红卫贾欢马鸿义张文慧方兴杨尧马保华王辉孙良亭; 关键词：质子直线加速器强流束发射度; 文献传递

高电荷态电子回旋共振离子源难熔金属高温炉研制: 2018年; 高电荷态电子回旋共振(Electron Cyclotron Resonance,ECR)离子源产生金属离子束的方法有炉子加热法、溅射法、MIVOC(Metallic Ion from Volatile Compounds)等,其中炉子加热法具有产生的束流强度高、稳定性好的特点。炉子加热法的技术核心是加热炉,按其工作温区主要分为低温炉、高温炉两大类。高温炉主要针对熔点1 500°C以上的金属钴、钛、钒、铂、铀等。通过ANSYS仿真模拟分析了高温炉钽坩埚的温度分布、高温下因膨胀所受热应力及其在ECR离子源工作环境的强磁场中所受的安培力作用。根据模拟分析结果研制了电阻式加热高温炉,并对其进行了离线测试,实验中钽坩埚在1 800°C以上发生的形变与ANSYS模拟结果相符,并根据模拟分析给出了改进方案。改进后的电阻式加热高温炉离线测试能在1 500°C稳定维持48 h以上,而在1 846°C时可稳定维持达6 h以上,结果表明:研制的电阻式加热高温炉可应用于ECR离子源产生强流高电荷态难熔金属离子束。; 黄维钱程钱程孙良亭张雪珍曹云卢旺冯玉成郭俊伟方兴李锡霞; 关键词：ECR离子源电阻加热高温炉

类氢O、N离子入射Al表面俘获电子布居几率的理论与实验研究: 2022年; 利用“二态矢量模型”详细研究了高电荷态O^(7+),N^(6+)离子入射Al表面时中间里德伯态的形成过程,给出了电子被俘获至不同量子数(n A=2-7)的几率,以及电子俘获至里德伯态最可能的离子-表面距离.计算结果表明,较大的主量子数nA对应较小的里德伯态几率,因此O^(7+),N^(6+)离子入射Al表面时辐射的X射线主要来源于较小的n A至基态的退激.为了验证计算结果,测量了O^(7+),N^(6+)离子入射Al表面的X射线发射谱,并运用FAC程序计算了不同高里德伯态退激到基态的跃迁能(np–1s).实验测量到O,N的K-X射线峰,其特征峰的中心值接近主量子数n=2至n=1的跃迁能,说明发射的X射线主要来源于2p–1s的跃迁,与“二态矢量模型”理论计算的几率一致.; 张秉章宋张勇张明武张明武钱程方兴钱程王伟方兴朱志超邵曹杰于得洋; 关键词：高电荷态离子里德伯态 X射线

ECR离子源束流发射度测量系统设计: 2017年; 为了实现ECR离子源束流发射度的精确、可靠测量,同时实现将系统中不同设备的控制测量数据统一显示到操作界面,基于EPICS软件系统,开发完成了双狭缝电机运动控制和PXI板卡的数据采集的发射度测量系统。采用LabVIEW软件的DSC模块实现对束流流强的PV变量发布;基于StreamDevice开发了电机运动控制IOC程序。整套系统运行稳定可靠、使用方便,满足离子源束流发射度的测量要求。; 李姣赛郭玉辉刘海涛尹俊方兴郑洋德白晓王彦瑜; 关键词：EPICS CSS STREAM

一种低能脉冲离子束产生装置: 本实用新型涉及一种低能脉冲离子束产生装置，其包括：偏转电极，设置在加速器的离子传输管线法兰上，位于所述加速器离子传输管线内部；二维可调狭缝，与所述偏转电极平行设置在同一所述法兰上；偏转电极电源连接端，穿设在所述法兰上，位...; 刘会平李锦钰方兴康龙张桐民

ADS强流质子加速器低能传输段发射度匹配研究被引量：3: 2015年; 研制了一套强流质子源及低能传输线(LEBT)注入器用于ADS质子直线加速器。质子源产生35 ke V强流束经过低能传输段聚焦进入射频四极(RFQ)入口。低能传输段不匹配是强流RFQ中引起束流丢失的主要原因。不同加速段的束流匹配是减少束流损失与抑制发射度增长的重要手段。束流损失导致RFQ电极表面受热变形进而引起高频打火,降低RFQ长期运行的稳定性。针对以上问题,研究LEBT发射度在不同的实验条件下如何实现加速器更好的匹配。研究结果表明,LEBT出口束流在35 ke V,10 m A下,束流发射度小于0.2πmm·mrad,当LEBT螺线管电流为210和270 A时,束流在RFQ入口满足匹配条件。; 武启贾欢马鸿义张文慧方兴杨尧马保华王辉孙良亭何源赵红卫; 关键词：发射度

一种低能脉冲离子束产生装置及方法: 本发明涉及一种低能脉冲离子束产生装置及方法，其包括：偏转电极，设置在加速器的离子传输管线法兰上，位于所述加速器离子传输管线内部；二维可调狭缝，与所述偏转电极平行设置在同一所述法兰上；偏转电极电源连接端，穿设在所述法兰上，...; 刘会平李锦钰方兴康龙张桐民; 文献传递

同位素富集靶装置和同位素富集方法: 本发明的实施例公开了一种同位素富集靶装置和一种同位素富集方法。同位素富集靶装置包括：支架；可转动地安装于支架的主动靶轴；用于驱动主动靶轴旋转的驱动装置；以及收集靶薄膜，所述收集靶薄膜连接于主动靶轴，以在同位素富集时进行了...; 孙良亭刘建立贾泽华杨伟顺方兴张金泉卢征天

带有质量分析系统的强流质子束低能传输线研究被引量：2: 2018年; 强流质子源与低能传输线(LEBT)是作为CIADS注入器的超导强流质子直线加速器的关键前端系统。目前LEBT采用双螺线管匹配结构设计,并安装有限制锥,但仍然不能避免少量H+2和H+3进入后端加速装置,这对直线加速器长期运行稳定性与可靠性会产生一定影响。为此,在LEBT加入分析磁铁对混合束(H+,H+2,H+3)进行分离再注入后端加速器腔体,将是一个有效的方案。本研究对经过带有30度分析磁铁的LEBT的强流质子束的束流品质进行了模拟与实验测量。结果表明,分析磁铁高阶磁场的影响使经过分析磁铁的强流质子束束流品质变差,并且该影响随着束流包络的增大而增大。这些结果为CIADS注入器的低能传输线设计提供了参考依据。; 黄韬武启杨尧刘建立方兴钱程孙良亭赵红卫; 关键词：强流质子束分析磁铁

同位素富集靶装置和同位素富集方法: 本发明的实施例公开了一种同位素富集靶装置和一种同位素富集方法。同位素富集靶装置包括：支架；可转动地安装于支架的主动靶轴；用于驱动主动靶轴旋转的驱动装置；以及收集靶薄膜，所述收集靶薄膜连接于主动靶轴，以在同位素富集时进行了...; 孙良亭刘建立贾泽华杨伟顺方兴张金泉卢征天; 文献传递