朱兴国
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
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- 亚稳态γ-Mn与GaAs(100)界面的形成:扩散和化学反应
- 1995年
- 利用低能电子衍射、电子能量损失谱和X射线电子能谱,对亚稳态了γ-Mn在清洁、有序的GaAs(100)表面的淀积过程进行了研究.研究结果表明,淀积初期锰的生长是层状的.在生长过程中界面发生互混井伴随着Mn与衬底间的化学反应.我们用一简单的模型对上述过程进行了理论计算,得到的结果与实验基本吻合.这对于进一步理解亚稳态γ-Mn的形成机理具有重要意义.
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- 关键词：扩散化学反应
- GaAs(001)表面外延生长Mn薄膜的XPS研究
- 1996年
- 利用x射线光电子能谱的深度剖面技术,对不同衬底温度下分子束外延生长的Mn薄膜及其与GaAs(001)衬底间的界面进行了元素组分和化学结合状态随深度变化的研究。实验发现衬底温度等于400K时制备的fcc-Mn/GaAs(001)体系中,fcc-Mn层与GaAs衬底之间存在一层较厚的Mn-Ga-As的缓冲层;衬底温度等于300K(室温)时制备的a-Mn/GaAs(001)体系中也存在类似的缓冲层,但它的厚度与fcc-Mn的情形相比要小得多;而当衬底温度等于450K时制备的体系在GaAs衬底之上全部是Mn-Ga-As的合金,并不存在Mn占绝对优势的区域。结果表明生长中保持一定的衬底温度(约400K),以获得适当厚度的缓冲层,对于制备Fcc-Mn是一个必不可少的条件。
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- 关键词：砷化镓锰
- Mn/GaAs(100)界面的形成和化学反应的研究
- 1993年
- 利用低能电子衍射(LEED)、X射线光电子能谱(XPS)、电子能量损失谱(EELS)、紫外光电子能谱(UPS),对室温下Mn在GaAs(100)4×1表面的淀积过程进行了研究。研究结果表明,当锰的覆盖度θ≥0.25nm时,LEED图案完全消失,表明Mn没有生长成单晶。LEED,EELS的结果都表明淀积初期是层状生长的。对XPS的Ga2p_(3/2),As2p_(3/2)的峰形、强度进行分析,可以知道在很小的覆盖度下,Mn就与衬底反应。置换出的Ga被局限在离原来的界面约3nm以内的区域内;而As以As-Mn化合物的形式偏析在Mn层的表面。在淀积的后期,Mn在GaAs表面也是层状生长的。UPS的结果直观地支持了XPS的结论。
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- 关键词：锰砷化镓化学反应
