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李军

作品数:2 被引量:13H指数:2
供职机构:北京工业大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金北京市自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇氧化锌
  • 1篇透明导电
  • 1篇透明导电氧化...
  • 1篇面粗糙度
  • 1篇TCO
  • 1篇表面粗糙度
  • 1篇场发射
  • 1篇衬底
  • 1篇衬底温度
  • 1篇粗糙度
  • 1篇ZNO薄膜

机构

  • 2篇北京工业大学

作者

  • 2篇严辉
  • 2篇李军
  • 1篇兰伟
  • 1篇张铭
  • 1篇董国波
  • 1篇王如志
  • 1篇王波

传媒

  • 1篇材料导报
  • 1篇液晶与显示

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
衬底温度对氧化锌薄膜场发射性能的影响被引量:2
2008年
利用射频磁控溅射法制备了不同衬底温度的氧化锌(ZnO)薄膜。研究了其场发射特性,分析了场发射特性和衬底温度的变化关系。实验结果表明,开启电场随着衬底温度的增加呈先增大后减小的趋势,场发射特性的变化是由于衬底温度的改变引起表面形貌的变化所致。衬底温度为300℃时沉积的ZnO薄膜样品粗糙度最小,场发射性能最差,其开启场强为1.7V/μm,场强为3.8V/μm时电流密度仅为0.00197A/cm2;衬底温度为400℃时沉积的ZnO薄膜样品表面粗糙度最大,场发射特性也优于其他薄膜;开启场强为0.82V/μm,场强为3.8V/μm时电流密度稳定在0.03A/cm2。Fowler-Nordheim(F-N)曲线为直线表明,电子是在外加电场的作用下隧穿表面势垒束缚发射到真空的。
李军王如志王波严辉
关键词:ZNO薄膜场发射衬底温度表面粗糙度
p型透明导电氧化物CuAlO_2薄膜的研究进展被引量:11
2007年
透明导电氧化物(TCO)的出现开拓了光电子器件研究的新领域。但p型TCO的相对匮乏严重制约了透明氧化物半导体(TOS)相关器件的开发与应用。CuAlO2作为一种天然的p型TCO成为近年来p型TCO的研究热点。介绍了p型TCO的研究现状,综述了不同制备方法制备p型CuAlO2薄膜的研究进展,以及在器件方面的应用,并对其前景进行了展望。
李军兰伟张铭董国波严辉
共1页<1>
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