您的位置： 专家智库 > >

李勇

作品数：5 被引量：18H指数：2
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇单片
  • 2篇电路
  • 2篇电路性能
  • 2篇噪声系数
  • 2篇匹配网络
  • 2篇工作温度
  • 2篇工作温度范围
  • 2篇航空电子
  • 1篇电阻网络
  • 1篇调理电路
  • 1篇信号调理
  • 1篇信号调理电路
  • 1篇振荡器
  • 1篇正弦波
  • 1篇正弦波振荡器
  • 1篇转换器
  • 1篇离子刻蚀
  • 1篇刻蚀
  • 1篇反应离子
  • 1篇反应离子刻蚀

机构

  • 5篇中国电子科技...

作者

  • 5篇李勇
  • 2篇王国强
  • 2篇罗璞
  • 2篇张俊安
  • 2篇刘伦才
  • 2篇何峥嵘
  • 2篇邓江
  • 1篇赵伟
  • 1篇张加斌
  • 1篇高煜寒
  • 1篇黄兴发

传媒

  • 3篇微电子学

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇1994
共 5 条 记 录，以下是 1-5
全选 清除 导出
排序方式：
一种单片高增益低噪声放大器
本发明公开了一种单片高增益低噪声放大器，它包括：第一级放大电路、第二级放大电路、一个电阻反馈网络、一个输入匹配网络、一个输出匹配网络。本发明的低噪声放大器工作在10MHz～550MHz频带内，无须外部输入输出匹配，电路简...
王国强刘伦才李勇何峥嵘罗璞邓江
文献传递
一种带双极性基准的双R-2R电阻网络结构被引量：3
2007年
介绍了一种带双极性基准(±10 V)的双R-2R电阻网络结构。该结构充分利用双极性基准的优势,减少了双极性输出所需运算放大器的数量,提高了D/A转换器的精度;同时又降低了电路对工艺绝对精度的要求。经过理论推算和电路模拟仿真,在相同工艺精度条件下,采用该结构的12位D/A转换器,其精度优于其他两种采用常规双极性输出结构的D/A转换器。
张俊安李勇张加斌高煜寒黄兴发
关键词：D/A转换器
一种LVDT信号调理电路的研究被引量：13
2007年
介绍了一种LVDT信号调理电路的工作原理及其线路设计。该电路是单片式线性位移差分变压器(LVDT)信号调理电路,与LVDT配合,能够高精确性和高再现性地将LVDT的机械位移转换成单极性或双极性的直流电压。该电路内部设计有一个驱动LVDT的低失真正弦波振荡器,电路外围线路简单,使用方便。
李勇张俊安
关键词：信号调理电路正弦波振荡器
深槽隔离技术中硅的反应离子刻蚀被引量：2
1994年
本文叙述了在反应离子刻蚀（ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏｎＥｔｃｈｉｎｇ）系统中采用无碳含氟原子刻蚀气体（ＳＦ＿６，ＮＦ＿３）对硅的深槽刻蚀；分析了真空压力、射频功率、气体组合及其流量和电极温度对刻蚀速率、刻蚀剖面的影响；并根据实验结果，绘出了刻蚀速率与以上物理变量的函数关系曲线；得到刻蚀速率０．５～０．７μｍ／ｍｉｎ，糟宽≤５．０μｍ，深度大于６．０μｍ，横向腐蚀小于１．５μｍ的各向异性刻蚀剖面。本研究技术将应用于超高速ＥＣＬ分频器电路，双极高可靠抗辐射加固稳压器件和ＢｉＣＭＯＳ模拟电路的实际制作中。
赵伟李勇
关键词：反应离子刻蚀硅
一种单片高增益低噪声放大器
本发明公开了一种单片高增益低噪声放大器，它包括：第一级放大电路、第二级放大电路、一个电阻反馈网络、一个输入匹配网络、一个输出匹配网络。本发明的低噪声放大器工作在10MHz～550MHz频带内，无须外部输入输出匹配，电路简...
王国强刘伦才李勇何峥嵘罗璞邓江
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0