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李密锋

作品数：21 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇专利
  • 7篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 11篇量子
  • 10篇纳米
  • 10篇纳米线
  • 7篇氧化硅
  • 7篇量子点
  • 7篇二氧化硅
  • 7篇分子束
  • 7篇分子束外延
  • 6篇淀积
  • 6篇势垒
  • 5篇分子束外延生...
  • 5篇半导体
  • 4篇光子
  • 4篇光子源
  • 4篇GAAS
  • 3篇单光子
  • 3篇短脉冲激光
  • 3篇脉冲
  • 3篇脉冲激光
  • 3篇脉冲激光器

机构

  • 21篇中国科学院

作者

  • 21篇牛智川
  • 21篇倪海桥
  • 21篇喻颖
  • 21篇李密锋
  • 14篇尚向军
  • 14篇査国伟
  • 13篇王莉娟
  • 12篇徐建星
  • 11篇贺振宏
  • 7篇查国伟
  • 4篇贺继方
  • 4篇丁颖
  • 3篇徐建新
  • 3篇王国伟
  • 2篇徐应强
  • 1篇邢军亮
  • 1篇任正伟
  • 1篇王娟
  • 1篇向伟
  • 1篇窦秀明

传媒

  • 2篇第十届全国分...
  • 1篇第三届全国纳...
  • 1篇中国真空学会...

年份

  • 3篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 10篇2013
  • 4篇2012
共 21 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
GaInAsSb低维材料分子束外延生长及器件研究1
本文利用分子束外延技术,开展了GaAs、GaSb基GaInAsSb量子点、量子阱、超晶格等多种低维结构的外延生长,及其单光子发射器件、红外激光器和探测器的制备研究.采用GenII分子束外延系统发展了一种原位临界参数控制技...
牛智川尚向军王国伟徐应强任正伟贺振宏倪海桥李密锋喻颖王娟王莉娟查国伟邢军亮徐建星向伟
关键词：超晶格半导体低维材料分子束外延生长元器件
文献传递
一种光纤与光电子器件垂直耦合的方法
本发明公开了一种光纤与光电子器件垂直耦合的方法，该方法包括：在光电子器件表面预涂一层光刻胶；利用光刻技术在光电子器件表面形成对准孔阵列；在光纤的端部剥去涂覆层露出光纤内芯；在显微镜及位移平台的辅助下将光纤端部露出的光纤内...
査国伟牛智川倪海桥李密锋喻颖王莉娟徐建星尚向军贺振宏
文献传递
在GaAs纳米线侧壁利用纳米环作为掩膜生长量子点的方法
本发明公开了一种在GaAs纳米线侧壁利用纳米环作为掩膜生长量子点的方法，包括：取一半导体衬底；在该半导体衬底上生长二氧化硅层；对生长有二氧化硅层的半导体衬底进行清洗；采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长纳米线，该纳米线的...
査国伟李密锋喻颖王莉娟徐建星尚向军倪海桥贺振宏牛智川
文献传递
制备六棱柱纳米微腔中的量子点单光子源的方法
一种制备六棱柱纳米微腔中的量子点单光子源的方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体衬底，在该半导体衬底上生长二氧化硅层，该二氧化硅层上含有氧化孔洞；步骤2：对生长有二氧化硅层的半导体衬底进行清洗；步骤3：采用自催化的方法，...
喻颖査国伟徐建星尚向军李密锋倪海桥贺振宏牛智川
文献传递
GaAs纳米线量子点单光子发射研究
单光子源是量子计算、量子通信、弱信号测试、量子密钥传输等应用的关键器件.以SK(Stranski-Krastanov)模式生长的低密度自组织量子点,具有类二能级体系类原子光谱特性,可在低温下周期性地光泵浦或电注入电子、空...
喻颖李密锋查国伟徐建星倪海桥窦秀明孙宝权牛智川
GaAs/InAs纳米线量子点的单光子发射研究
本文描述了基于GaAs纳米线侧壁InAs量子点的可控分子束外延生长，设计了一种新型分义纳米线腔结构并研究了其单光子发射效应。采用VLS生长机制，在Si基上利用Ga液滴白催化形成的GaAs纳米线，白组织生长的InAs量子点...
喻颖牛智川李密锋查国伟王莉娟徐建星尚向军倪海桥
关键词：化合物半导体分子束外延生长单光子
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基于半导体超短脉冲激光器的太赫兹源设备
本发明公开了一种基于半导体超短脉冲激光器的太赫兹源设备，其包括：半导体超短脉冲激光器，其用于产生超短脉冲激光束；半导体光放大器，其用于放大所述超短脉冲激光束；光电导天线或电光晶体，其用于在收到所述放大后的超短脉冲激光束激...
倪海桥丁颖徐应强李密锋喻颖査国伟徐建新牛智川
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多层量子点隧道结串联的有源区宽带增益结构
一种多层量子点隧道结串联的有源区宽带增益结构，包括：一衬底；一N型掺杂的光学兼载流子限制层，其生长在衬底上；一多周期下量子点层，其制作在N型掺杂的光学兼载流子限制层上；一隧道结中的P型重掺杂层，其生长在多周期下量子点层上...
倪海桥丁颖李密锋喻颖査国伟牛智川
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一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法
本发明公开了一种低密度InAs量子点的生长方法，该方法包括：步骤1：生长InAs有源层量子点前插入InAs牺牲层量子点；步骤2：原位高温退火使InAs牺牲层量子点完全解吸附；步骤3：微调InAs牺牲层量子点二维到三维转化...
李密锋喻颖贺继方査国伟尚向军倪海桥贺振宏牛智川
硅基半导体超短脉冲激光器
一种硅基半导体超短脉冲激光器，包括：一硅衬底、一缓冲层、一下光限制包层、一下势垒、一有源层、一上势垒、一上光限制包层和一欧姆接触层；其中该缓冲层、下光限制包层、下势垒、有源层、上势垒、上光限制包层和欧姆接触层依次制作在硅...
丁颖倪海桥李密锋喻颖查国伟徐建新王莉娟牛智川
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