李海峰
- 作品数：4 被引量：5H指数：1
- 供职机构：北京科技大学材料科学与工程学院材料物理与化学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术金属学及工艺电子电信更多>>
- 一种各向异性磁电阻坡莫合金薄膜的制备方法
- 一种各向异性磁电阻坡莫合金薄膜的制备方法，涉及功能材料薄膜的制备，特别是涉及制备磁电阻薄膜。本方法是在清洗干净的玻璃基片上或单晶硅基片上沉积镍铁Ni<Sub>0.81</Sub>Fe<Sub>0.19</Sub>薄膜，将...
- 朱逢吾于广华李海峰杨涛滕胶
- 文献传递
- (Ni<,0.81>Fe<,0.19>)<,1-x>Cr<,x>种子层对Ni<,0.81>Fe<,0.19>薄膜各向异性磁电阻和微结构的影响
- 本文研究了(Ni<,0.81>Fe<,0.19>)<,1-x>Cr<,x>种子层的成分和厚度对Ni<,0.81>Fe<,0.19>薄膜各向异性磁电阻及微结构的影响.结果表明:当种子层(Ni<,0.81>Fe<,0.19>...
- 李海峰马纪东张辉于广华朱逢吾
- 关键词：各向异性磁电阻
- 文献传递
- 种子层(Ni_(0.81)Fe_(0.19))_(1-x)Cr_x成分及厚度对Ni_(0.81)Fe_(0.19)薄膜磁性和微结构的影响被引量：1
- 2003年
- 用直流磁控溅射方法制备了性能优良的以(Ni0.81Fe0.19)1-xCrx为种子层的Ni0.81Fe0.19薄膜,研究了种子层成分 及厚度对薄膜磁性和微结构的影响,结果表明:当种子层(Ni0.81Fe0.19)0.63Cr0.37厚度为5.5 nm时,Ni0.81Fe0.19(20.0 nm) 薄膜的各向异性磁电阻(AMR)值为(2.53±0.06)％;当Cr的含量为0.36时, Ni0.81Fe0.19(60.0 nm)薄膜的AMR值为 (3.35±0.06)％.AFM及XRD研究表明:不同厚度缓冲层(厚度分别为2.8,5.5和8.3 nm)的Ni0.81Fe0.19(20.0 nm)薄 膜表面平均晶粒尺寸基本都为35.2 nm,但其111织构相差很大,AMR值最大时,对应的111衍射峰最强;不同Cr含量(分 别为0.28,0.36和0.41)的Ni0.81Fe0.19(60.0 nm)薄膜表面平均晶粒尺寸和111衍射峰相差都很明显,AMR值最大时, 对应地薄膜表面平均晶粒尺寸最大, Ni0.81 Fe0.19 111衍射峰也最强.
- 李海峰马纪东张辉于广华朱逢吾
- 关键词：各向异性磁电阻
- (Ni_(0.81)Fe_(0.19))_(1-x)Cr_x缓冲层上生长高各向异性磁电阻Ni_(0.81)Fe_(0.19)薄膜的研究被引量：4
- 2003年
- 用直流磁控溅射方法制备了以(Ni0.81Fe0.19)1-xCrx为缓冲层的Ni0.81Fe0.19薄膜,研究结果表明:当缓)中层厚度约为4.4 nm,Cr的浓度约为36(原子百分数)时,Ni0.81Fe0.19薄膜的各向异性磁电阻(AMR)值较大,其最大值达3.35％.原子力显微镜(AFM)及x射线衍射(XRD)研究表明:Ni0.81Fe0.19薄膜AMR值最大时,其表面平均晶粒尺寸最大,Ni0.81Fe0.19(111)衍射峰最强.
- 李海峰马纪东于广华龙世兵赵洪辰朱逢吾
- 关键词：直流磁控溅射法各向异性磁电阻
