李海林
- 作品数：47 被引量：9H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第二十六研究所更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程一般工业技术更多>>
- 一种单晶光纤生长方法和系统
- 本发明公开了一种单晶光纤生长方法和系统，所述单晶光纤生长方法采用竖直设置的多级激光加热系统，一步实现了单晶光纤多次缩径的越级生长。采用本发明光纤生长方法，在制备小尺寸单晶光纤时，无需在每一级光纤生长前都进行光路调节、籽晶...
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- 一种用于晶体生长的坩埚装置及使用方法
- 本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种用于晶体生长的坩埚装置及使用方法；该装置包括：坩埚体以及至少两根导料管；所有的导料管均匀的设置在坩埚体的侧面；所述坩埚体的侧面设置有与导料管数量相同的坩埚通孔；导料管的下端管口与坩...
- 李海林李金武欢何晔佘建军任科静
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- 高压导模法晶体生长装置
- 本实用新型公开了高压导模法晶体生长装置，包括机架和设于机架上的晶体生长炉，晶体生长炉内设有坩埚、毛细管导模和加热机构，晶体生长炉上方设有第一罩体，第一罩体与晶体生长炉顶板密封连接，从而在晶体生长炉上方形成上腔室，晶体生长...
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- 一种直接生长蓝宝石整流罩的设备
- 本发明公开了一种直接生长蓝宝石整流罩的设备，包括机架、炉体、坩埚、以及毛细管导模，在机架的下方设有一旋转组件，所述旋转组件包括固定架、旋转电机以及传动杆，通过该旋转电机能够带动坩埚转动；在炉体上方设有一支架，在支架上设有...
- 何晔佘建军李金何根华陈川贵刘建军付昌禄武欢李海林宋晓佳母江东邓力许华胜王璐
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- 一种用于生长板状晶体的坩埚
- 本实用新型涉及一种用于生长板状晶体的坩埚，包括上方敞口的坩埚本体，坩埚本体具有籽晶夹持口、放肩生长段和等宽生长段，在坩埚本体上表面设有盖板，所述盖板将坩埚本体放肩生长段全段和等宽生长段除尾部外的其余区域上方敞口封盖，等宽...
- 李海林丁雨憧张月张灵田野刘荣荣
- 直接生长蓝宝石整流罩的方法研究被引量：1
- 2014年
- 基于人工晶体的导模法生长技术,设计了提拉位移法和坩埚旋转法两种生长方法,分析了直接生长蓝宝石整流罩的生长原理,建立了晶体生长高度和生长半径的状态方程。结果表明,通过理论参数和实际采样值之间的对比调整,这两种方法均可实现蓝宝石整流罩的直接生长。
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- 关键词：导模法
- 一种直接生长蓝宝石整流罩的方法
- 本发明公开了一种直接生长蓝宝石整流罩的方法，其具体生长步骤如下：1)在坩埚内加入蓝宝石晶体原料；2)使籽晶杆的轴心线与毛细管导模的轴心线重合，籽晶杆的下端与毛细管导模的上端具有30—50mm的间隙；3)控制炉体进行加热，...
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- 多用途文物展陈修复系统
- 本实用新型公开了一种多用途文物展陈修复系统，包括台面和位于台面两端并将台面支撑的控制柜和工具柜；所述台面的中部为不锈钢面板，所述不锈钢面板上开始有若干透气孔，在不锈钢面板上方设有一旋转台；在不锈钢面板上方设有一下方敞口的...
- 付昌禄周萍赵强王璐李海林李金许华胜李军蒲雪松王波曾轶哲
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- 铈掺杂稀土卤化物单晶的处理方法被引量：1
- 2019年
- 为了解决铈掺杂稀土卤化物单晶中内部热应力大、难于加工的技术难题,该文提供了一种针对铈掺杂稀土卤化物单晶的原位退火处理方法。利用该方法对尺寸为φ25.4 mm×25.4 mm和φ76.2 mm×76.2 mm的Ce∶LaBr3晶体进行退火处理,晶体经过切割、滚圆、研磨、抛光、封装等工艺过程后,均未出现开裂的现象。通过测试以上两种Ce∶LaBr3器件能量谱图,其能量分辨率分别为2.92%和3.02%,该工艺未对晶体的闪烁性能造成影响。实验结果表明,该文提出的铈掺杂稀土卤化物单晶原位退火处理方法,可有效地消除晶体内部的热应力,并改善其机械性能,这对提高晶体加工成品率具有重要意义。
- 刘建军李海林王瑞王佳丁雨憧
- 关键词：铈掺杂卤化物单晶退火处理热应力
- 一种直接生长蓝宝石整流罩的设备
- 本发明公开了一种直接生长蓝宝石整流罩的设备，包括机架、炉体、坩埚、以及毛细管导模，在机架的下方设有一旋转组件，所述旋转组件包括固定架、旋转电机以及传动杆，通过该旋转电机能够带动坩埚转动；在炉体上方设有一支架，在支架上设有...
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