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李统藏

作品数：2 被引量：5H指数：2
供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
发文基金：中国科学院知识创新工程重要方向项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇单壁
  • 1篇单壁碳纳米管
  • 1篇电子输运
  • 1篇电子输运特性
  • 1篇电子注
  • 1篇有限长
  • 1篇输运
  • 1篇输运特性
  • 1篇碳纳米管
  • 1篇铁磁
  • 1篇铁磁金属
  • 1篇准周期
  • 1篇自旋
  • 1篇自旋极化
  • 1篇自旋极化电子
  • 1篇无限长
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米管
  • 1篇紧束缚
  • 1篇紧束缚模型

机构

  • 2篇中国科学技术...

作者

  • 2篇李统藏
  • 1篇刘之景
  • 1篇王晓平
  • 1篇王克逸
  • 1篇石勤伟
  • 1篇陈钦

传媒

  • 2篇物理学报

年份

  • 1篇2005
  • 1篇2003
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
开口悬挂端对单壁碳纳米管电子输运特性的影响被引量：2
2005年
采用紧束缚模型研究了悬挂端对单壁碳纳米管电子输运特性的影响.结果表明:有限长悬挂端开口碳纳米管的电导在费米能级附近作周期性振荡.椅型(armchair)碳纳米管的振荡同时具有快、慢两个准周期,而锯齿型(zigzag)碳纳米管的振荡仅有一个周期;碳纳米管电导在费米能级附近的振荡周期随着悬挂端的增长而减小.研究还发现:有限长悬挂端开口碳纳米管的平均电导随探针与碳纳米管间耦合强度的增加而增大,其大小约为无限长悬挂端开口碳纳米管平均电导的两倍.
陈钦李统藏石勤伟王晓平
关键词：电子输运特性单壁碳纳米管紧束缚模型有限长准周期无限长
自旋极化电子从铁磁金属注入半导体时自旋极化的计算被引量：3
2003年
对自旋极化电子从铁磁金属通过绝缘层薄膜注入半导体时的自旋极化率与绝缘层厚度以及所加偏压的关系等作了计算 .所得结果与最新实验结果相符 ,并发现偏压适中、绝缘层较厚时有较大的电流自旋极化率 ,偏压很小时电流自旋极化率几乎为零 .
李统藏刘之景王克逸
关键词：铁磁金属绝缘层厚度
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