您的位置: 专家智库 > >

文献类型

  • 7篇会议论文
  • 4篇专利

领域

  • 4篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇单质硅
  • 2篇氮化
  • 2篇盐水
  • 2篇原位反应
  • 2篇原位反应合成
  • 2篇熔融
  • 2篇熔融石英
  • 2篇烧结法
  • 2篇水泥
  • 2篇酸盐水泥
  • 2篇梯度复合
  • 2篇梯度复合材料
  • 2篇铁沟
  • 2篇涂层
  • 2篇无铝
  • 2篇铝酸盐
  • 2篇铝酸盐水泥
  • 2篇镁碳砖
  • 2篇莫来石
  • 2篇金属铝

机构

  • 11篇武汉科技大学

作者

  • 11篇李维锋
  • 9篇梁永和
  • 9篇聂建华
  • 7篇尹玉成
  • 5篇张寒
  • 4篇吴芸芸
  • 3篇乔婉
  • 2篇葛山
  • 2篇顾华志
  • 2篇崔任渠
  • 2篇谢威
  • 2篇刘志强
  • 2篇逯久昌
  • 2篇胡开艳
  • 2篇张寒

传媒

  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 1篇2013
  • 5篇2012
  • 5篇2010
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
硅源对反应烧结制备氧氮化硅的影响
氧氮化硅(Si2N2O)是一种耐高温陶瓷材料,具有优良的抗热震性能,抗氧化性、高温强度和耐熔融的非铁金属液侵蚀等特性。Si2N2O是一种在高温氧化条件下很有应用前景的结构陶瓷材料。以SiO2与Si3N4为主要原料,并以尖...
乔婉聂建华李维锋梁永和张寒尹玉成
一种镁碳砖无铝抗氧化涂层的制备方法
本发明具体涉及一种镁碳砖无铝抗氧化涂层的制备方法。其技术方案是:先将40~60wt%的硼玻璃、5~20wt%的SiC、20~35wt%的熔融石英、1~5wt%的MgO、5~10wt%的CaO和0.1~0.3wt%的羧甲基...
顾华志胡开艳李维锋
文献传递
一种镁碳砖无铝抗氧化涂层的制备方法
本发明具体涉及一种镁碳砖无铝抗氧化涂层的制备方法。其技术方案是:先将40~60wt%的硼玻璃、5~20wt%的SiC、20~35wt%的熔融石英、1~5wt%的MgO、5~10wt%的CaO和0.1~0.3wt%的羧甲基...
顾华志胡开艳李维锋
氮化物对Al2O3-SiC-C制品性能的影响
研究氮化物对AlO-SiC-C制品性能的影响,可以为AlO-SiC-C-氮化物材料的研发提供理论依据。以氮化硅、氮化钛、氧氮化硅及塞隆为外加剂,将压制成型的试样在埋碳气氛下经1450℃×3h热处理,研究各种外加剂的加入量...
李维锋聂建华乔婉梁永和张寒尹玉成
文献传递
TiO2对反应烧结法合成莫来石的影响
以分析纯Al(OH)(w(Al(OH))≥99%)和SiO(w(SiO)≥99%)为原料,按试样最终组成中的AlO/SiO=2.55进行配料,分别加入质量分数为2%、4%、6%和8%的分析纯TiO(w(TiO)≥99.3...
谢威聂建华张寒李维锋尹玉成梁永和吴芸芸
文献传递
原位反应合成TiN/A12O3梯度复合材料的研究
1和TiO2为原料,在匣钵埋碳保护气氛下铝热还原氮化法原位合成制备了TiN/Al2O3梯度复合材料。采用XRD,SEM,EDS和TEM等分析手段。结合热力学计算研究了该梯度复合材料的原位反应过程和材料的物相组成和微观结构...
李维锋聂建华张寒谢威梁永和吴芸芸
关键词:铝热还原原位反应合成梯度复合材料氮化钛
原位反应合成TiN/Al2O3梯度复合材料的研究
研究了以Al和TiO为原料,在匣钵埋碳保护气氛下铝热还原氮化法原位反应合成制备了TiN/AlO梯度复合材料。采用XRD、SEM和TEM等分析手段,结合热力学计算研究了该梯度复合材料的原位反应过程和材料的物相组成和微观结构...
李维锋聂建华张寒谢威梁永和吴芸芸
文献传递
TiO2对反应烧结法合成莫来石的影响
析纯A1(OH)3,SiO2和TiO2为原料,按质量比Al2O3/SiO2=2.55进行配料。分别加人质量分数为0%,2%,4%,6%,8%和10%的TiO2,以羧甲基纤维素钠溶液作为结合剂成型后,1650℃下保温3h进...
谢威聂建华张寒李维锋尹玉成梁永和吴芸芸
关键词:莫来石显微结构物相组成反应烧结法
一种高炉出铁沟用Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>-SiC-C浇注料及其制备方法
本发明具体涉及一种高炉出铁沟用Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>-SiC-C浇注料及其制备方法。其技术方案是该浇注料的原料及其含量是:致密刚玉为26~50wt%,白刚玉为18~33wt%,碳化硅为10...
尹玉成梁永和葛山刘志强逯久昌聂建华李维锋崔任渠
文献传递
一种高炉出铁沟用Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>-SiC-C浇注料及其制备方法
本发明具体涉及一种高炉出铁沟用Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>-SiC-C浇注料及其制备方法。其技术方案是该浇注料的原料及其含量是:致密刚玉为26~50wt%,白刚玉为18~33wt%,碳化硅为10...
尹玉成梁永和葛山刘志强逯久昌聂建华李维锋崔任渠
共2页<12>
聚类工具0