李豫东
- 作品数：239 被引量：184H指数：7
- 供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院西部之光基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学核科学技术更多>>
- 质子辐照下正照式和背照式图像传感器的单粒子瞬态效应被引量：5
- 2022年
- CMOS图像传感器应用于空间任务时容易受到质子单粒子效应影响.本文采用商用正照式(FSI)和背照式(BSI)CMOS图像传感器开展了不同能量的质子辐照实验,实验中通过在线测试方法分析质子单粒子效应.其中,质子能量最高为200 MeV,总注量为10^(10) particle/cm^(2),结果未发现外围电路的单粒子效应,但观察到像素阵列出现不同形状的单粒子瞬态亮斑.通过提取瞬态亮斑沉积能量和尺寸大小两个特征参数,比较了不同能量质子对瞬态亮斑特征的影响,以及FSI和BSI中瞬态亮斑特征的差异.最后,结合仿真方法,与实验结果进行比较,预测了质子在CMOS图像传感器像素单元产生瞬态亮斑的能量沉积分布.仿真结果验证了光电二极管耗尽区厚度减小和外延层减薄是导致BSI图像传感器中质子能量沉积分布左移的主要因素.
- 傅婧蔡毓龙李豫东冯婕文林周东郭旗
- 关键词：图像传感器质子辐照单粒子效应
- 一种基于热像素的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法
- 本发明涉及一种基于热像素的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法，该方法通过对在轨暗场测试采集到的其中任一幅图进行计算，得到该幅图的背景信号S<Sub>BG</Sub>和图像饱和信号S<Sub>max</Sub>，然后统计...
- 文林李豫东冯婕王田珲于新周东郭旗
- 文献传递
- 电荷耦合器件的γ辐照剂量率效应研究
- 2016年
- 对电荷耦合器件进行了不同剂量率的γ辐照实验,通过多种参数的测试探讨了剂量率与电荷耦合器件性能退化的关系,并对损伤的物理机理进行分析。辐照和退火结果表明:暗信号和暗信号非均匀性是γ辐照的敏感参数,电荷转移效率和饱和输出电压随剂量累积有缓慢下降的趋势;暗场像素灰度值整体抬升,像元之间的差异显著增加;电荷耦合器件的暗信号增量与剂量率呈负相关性,器件存在潜在的低剂量率损伤增强效应。分析认为,剂量率效应是由界面态和氧化物陷阱电荷竞争导致的。通过电子-空穴对复合模型、质子输运模型和界面态形成对机理进行了解释。
- 武大猷文林汪朝敏何承发郭旗李豫东曾俊哲汪波刘元
- 关键词：电荷耦合器件
- 一种用于电离总剂量辐照后光电成像器件随机电报信号测试方法
- 本发明提供了一种用于电离总剂量辐照后光电成像器件随机电报信号的测试方法。该方法涉及装置是由暗室和样品测试板两部分组成。将样品测试板置于暗室内，将辐照后的CMOS图像传感器固定在样品锁紧座上，盖上遮光盖，接通电源，给样品测...
- 李豫东刘炳凯文林周东冯婕郭旗
- NCP6324B型集成式DC-DC电源变换器总剂量效应研究被引量：1
- 2021年
- 研究了集成式DC-DC电源变换器在不同负载电流、不同输入电压、不同剂量率以及关断模式条件下的电离总剂量效应。实验采用在线测试和原位测试方法,在辐照前后以及辐照过程中,测试和分析了DC-DC电源变换器的关键参数。实验结果表明,大负载电流条件下,输出电压的退化更显著,且退化程度更严重,对这一现象提出了详细解释。输入电流作为关断模式条件下的重要敏感参数,可以用来评估器件的可靠性。此外,由于退火效应,低剂量率下的输出电压退化程度小于高剂量率下的输出电压退化程度。因此,剂量率的选择对分析和评估DC-DC电源变换器的电离总剂量效应非常重要。
- 徐锐周东周东李豫东李豫东刘海涛刘海涛文林
- 关键词：输出电压
- 高能质子辐照导致电荷耦合器件性能退化研究
- 2021年
- 针对空间环境中高能质子辐射导致电荷耦合器件(CCD)性能退化评估问题,开展能量高于60 MeV的质子辐照试验,考察了CCD的重要性能参数暗电流和电荷转移效率受质子辐照的退化情况及质子辐照后CCD的热像素产生情况。研究表明:高能质子辐照导致CCD性能退化的敏感参数包括暗电流、电荷转移效率和热像素;对于60 MeV和100 MeV的质子能量,当辐照注量达到5×10^(10) cm^(-2)时,暗电流和电荷转移效率出现了一定的退化,更加显著的退化表现在热像素的产生。分析发现,60 MeV和100 MeV质子辐照导致暗电流和电荷转移效率的退化可通过NIEL进行等效,而热像素产生则不能等效。因此,在进行高能质子辐照导致CCD性能退化评估时,需重点考察热像素产生情况,且应针对实际应用的辐射环境,使用合适的质子能量进行更具针对性的辐照试验。
- 李钰文林周东李豫东郭旗
- 关键词：高能质子电荷耦合器件
- CMOS图像传感器在质子辐照下热像素的产生和变化规律被引量：2
- 2018年
- 应用于空间的图像传感器在辐射影响下产生的热像素严重影响空间光电探测性能,本文通过质子辐照试验研究了热像素的产生和变化规律。首先,使用3MeV和10MeV两种能量的质子对图像传感器进行辐照,分析不同能量、不同注量的质子辐照产生热像素的性质;其次,再对辐照后的器件进行退火试验,分析热像素的退火规律。对于相同注量辐照,3MeV质子辐照下热像素产生率大约是10MeV质子辐照下的2.3倍,但是10MeV质子辐照产生热像素的灰度值高于3MeV质子;辐照过程中热像素的数量都是随着注量的增加线性增加。退火过程中,热像素数量都不断减少,而3MeV质子辐照产生的热像素相比于10MeV质子,退火更为显著。结果表明,质子辐照下每个质子与器件之间的作用过程及产生缺陷的机制是相对独立的,不同质子的作用过程之间没有相关性。不同能量的质子辐照产生缺陷的类型不同,导致热像素具有不同特性。
- 王田珲李豫东文林冯婕蔡毓龙马林东张翔郭旗
- 关键词：CMOS图像传感器质子辐照
- 一种大角度抗辐射LED的照明灯具
- 一种大角度抗辐射LED照明灯具，解决了目前在核辐射环境中灯具的发光效率低，功耗大，寿命短的问题。本发明中灯具包括连接器、连接器安装座、锥形罩、上连接板、散热器、下连接板、底灯板、侧灯板和串联PCB板；连接器通过长线缆与感...
- 李豫东刘海涛于钢施炜雷张巍阚永葭陈亚文冯婕郭旗
- 磷化铟高电子迁移率晶体管外延结构材料抗电子辐照加固设计被引量：2
- 2022年
- 为研究磷化铟高电子迁移率晶体管(InP HEMT)外延结构材料的抗电子辐照加固设计的效果,本文采用气态源分子束外延法制备了系列InP HEMT外延结构材料.针对不同外延结构材料开展了1.5 MeV电子束辐照试验,在辐照注量为2×10^(15)cm^(-2)条件下,并测试了InP HEMT外延结构材料二维电子气辐照前后的电学特性,获得了辐照前后不同外延结构InP HEMT材料二维电子气归一化浓度和电子迁移率随外延参数的变化规律,分析了InP HEMT二维电子气辐射损伤与Si-δ掺杂浓度、InGaAs沟道厚度和沟道In组分以及隔离层厚度等结构参数的关系.结果表明:Si-δ掺杂浓度越大,隔离层厚度较薄,InGaAs沟道厚度较大,沟道In组分低的InP HEMT外延结构二维电子气辐射损伤相对较低,具有更强的抗电子辐照能力.经分析原因如下:1)电子束与材料晶格发生能量传递,破坏晶格完整性,且在沟道异质界面引入辐射诱导缺陷,增加复合中心密度,散射增强导致二维电子气迁移率和浓度降低;2)高浓度Si-δ掺杂和薄隔离层有利于提高量子阱二维电子气浓度,降低二维电子气受辐射损伤的影响;3)高In组分应变沟道有利于提高二维电子气迁移率,但辐照后更容易应变弛豫产生位错缺陷,导致二维电子气迁移率显著下降.
- 周书星方仁凤魏彦锋陈传亮曹文彧张欣艾立鹍李豫东郭旗
- 关键词：二维电子气电子束辐照
- 一种用于辐照后光电成像器件暗电流激活能测试方法
- 本发明提供了一种用于辐照后光电成像器件暗电流激活能测试方法。该方法涉及装置是由高低温箱和样品测试板两部分组成。将置于高低温箱中的样品测试板接通电源，然后调节高低温箱内的温度调节模块，达到目标温度后，保证测试样品与高低温箱...
- 文林刘炳凯李豫东周东冯婕郭旗
