杨景超
- 作品数：8 被引量：20H指数：3
- 供职机构：中国科学技术大学工程科学学院精密机械与精密仪器系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重大科学工程更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术一般工业技术政治法律电子电信更多>>
- PZT厚膜的气雾化湿法减薄制备技术被引量：3
- 2008年
- 锆钛酸铅(PZT)厚膜的制备技术是制作基于PZT厚膜的微传感器和微驱动器的关键技术之一.传统的制备方法难以兼顾厚膜制备中对厚度、性能、工艺复杂度以及成本等方面的要求,因此,提出了一种新的利用气雾化湿法减薄体材料制备PZT厚膜的技术.该技术结合传统的PZT湿法化学刻蚀方法和刻蚀雾滴的物理轰击效应,在反应中实时去除化学反应残留物,在减薄前后样品厚度均匀性几乎不变的情况下,平均刻蚀速率可达3.3μm/min,且工艺过程简单,成本低廉.实验结果表明,用该技术制备的PZT厚膜可满足微机电系统(MEMS)领域中微传感器和微致动器对于厚膜具备较高灵敏度和较大驱动能力的性能要求.
- 冯艳许晓慧杨景超吴亚雷褚家如
- 关键词：PZT厚膜
- PECVD氮化硅薄膜内应力试验研究被引量：8
- 2008年
- 研究了等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜的内应力。通过改变沉积工艺参数,研究了射频功率、反应气体流量比、载气体分压比和反应压强对氮化硅薄膜的内应力的影响,并且分析了氮化硅薄膜内应力的形成机制。制备出了应力只有-182.4MPa的低应力氮化硅薄膜。
- 杨景超赵钢邬玉亭许晓慧
- 关键词：氮化硅薄膜内应力PECVD
- PECVD中电子能量状态对氮化硅薄膜应力的影响被引量：5
- 2007年
- 研究了平板电容式PECVD设备中电子能量状态对氮化硅薄膜应力的影响。通过改变沉积工艺参数,研究了射频功率、载气体分压比和反应压强与电子能量状态之间的联系及电子能量状态变化对氮化硅薄膜应力的影响。最终制备出了应力只有-182.4 MPa的低应力氮化硅薄膜。
- 杨景超赵钢邬玉亭
- 关键词：PECVD氮化硅应力电子能量
- 基于PECVD技术的氮化硅薄膜应力优化研究
- 在超大规模集成电路和微机电系统(MEMS)领域中，等离子体辅助化学气相沉积法(PECVD)是一种常用薄膜制备技术，具有淀积温度低、均匀性好、台阶覆盖性强的优点。
然而，由于沉积环境和生长过程的影响，薄膜类材料均...
- 杨景超
- 关键词：氮化硅薄膜微机电系统化学气相沉积法成膜机理
- 文献传递
- 基于ADAMS的一种可伸缩多用途手臂消毒机的运动分析被引量：4
- 2006年
- 介绍一种可伸缩多用途手臂消毒机的机构,重点阐述基于机械动力学分析软件ADAMS的运动学模型的建立过程和运动学仿真过程,仿真分析该机构的运动学特性。
- 李刚邵鹏飞杨景超骆念武
- 关键词：仿真ADAMS
- 并行双回转光纤单元跑合过程中爬行现象浅析
- 2007年
- 并行双回转的爬行现象对高精度光纤定位是十分不利的.为了克服这种爬行现象,首先从动力学角度建立光纤爬行的动力学模型,论证了光纤爬行的实质是一种复杂的摩擦自激振动现象,然后结合实际跑合过程,从机械学的角度进一步分析获得传动齿轮安装偏斜、中心轴支撑同心不良、中心零定位弹簧片安装过紧和偏心消隙弹簧不能正常储能、释能是导致光纤爬行的根本原因,并对此提出了一些可行的解决措施,收到了良好的效果.
- 杨景超邬玉亭干方建胡红专李刚
- 关键词：跑合
- 用现代CAD方法设计一种气固两相激波管系统
- 2007年
- 介绍了现代CAD方法的应用,并通过一种气固两相激波管的设计过程加以说明,最后比较了传统CAD设计方法与现代CAD设计方法。
- 李刚邵鹏飞杨景超骆念武
- 关键词：CADUG
- 用现代CAD方法设计一种气固两相激波管系统
- 2007年
- 介绍了现代CAD方法的应用,并通过一种气固两相激波管的设计过程加以说明,最后比较了传统CAD设计方法与现代CAD设计方法。
- 李刚邵鹏飞杨景超骆念武
- 关键词：CADUG
