林广庆
- 作品数:17 被引量:14H指数:3
- 供职机构:合肥工业大学更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域:电子电信理学更多>>
- 表面修饰聚合物绝缘层制备高性能柔性薄膜晶体管
- 林广庆李鹏邱龙臻
- 关键词:并五苯聚苯乙烯
- 去润湿图案化制备TIPS-并五苯有机薄膜晶体管
- 2013年
- 利用润湿/去润湿的方法配合旋涂工艺制备了图案化的TIPS-并五苯有机半导体薄膜,制备了顶接触有机薄膜晶体管(OTFTs)。金相显微镜观察发现,转速的选择对TIPS-并五苯薄膜结晶形貌的影响较大。在1 000~2 000r/min转速下制备的薄膜完整性好,结晶区域较大;而转速增加到3 000r/min后,难以获得完整的薄膜且晶粒尺寸变小。电学性能研究得到器件的输出曲线、转移曲线、开关电流比、阈值电压、场效应迁移率,发现结晶形貌好的器件具有更好的电学性能。1 000r/min转速下制备OTFT器件最大场效应迁移率为5.16×10-2 cm·V-1·s-1,电流开关比为8×103。
- 冯翔林广庆张俊李曼菲邱龙臻
- 关键词:有机薄膜晶体管电性能
- 一步实现图案化和自修饰界面的有机薄膜晶体管制备方法
- 一种一步实现图案化和自修饰界面的有机薄膜晶体管的制备方法,包括硅基片的表面处理、有机半导体薄膜的形成和电极的配置,其特征在于:所述的有机半导体薄膜的形成是将有机半导体材料Tips-并五苯和高分子聚合物按4∶1-1∶1的质...
- 邱龙臻冯翔林广庆吕国强
- 表面修饰聚合物绝缘层制备高性能柔性薄膜晶体管
- <正>分别采用六甲基二硅胺(HMDS,Hexamethyldisilazane)和聚苯乙烯/氯硅烷复合材料修饰聚乙烯基苯酚(PVP)绝缘层制备了底接触的有机薄膜晶体管并研究了其半导体层的表面形貌和器件的电学性能。原子力显...
- 林广庆李鹏邱龙臻
- 关键词:并五苯聚苯乙烯
- 文献传递
- 一种有机薄膜晶体管及其制备方法
- 本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制备方法,其特征在于:晶体管是在设置有栅电极的基板上覆盖有绝缘层,在绝缘层上覆盖有表面修饰层,表面修饰层经紫外光照射后发生交联反应,在发生交联反应后的表面修饰层上设置有有机半导体层和与有...
- 邱龙臻林广庆李鹏朱闵陈梦婕王迎陆红波吕国强
- 文献传递
- 用于喷墨打印有机薄膜晶体管的绝缘层修饰方法
- 本发明公开了一种用于喷墨打印有机薄膜晶体管的绝缘层修饰方法,包括:在基片的栅绝缘层上形成亲水区域;将聚合物绝缘材料溶液旋涂在基片的栅绝缘层上;并用紫外光照使聚合物层内部发生交联反应,通过改变紫外光照时长,不同程度的改善聚...
- 邱龙臻陈梦婕王迎林广庆陆红波王晓鸿吕国强
- 文献传递
- 基于聚(4-乙烯基苯酚)衬底修饰层喷墨打印的小分子有机半导体薄膜制备和表征被引量:5
- 2014年
- 采用旋涂法预先在SiO2衬底表面形成一层聚(4-乙烯基苯酚)(PVP)作为表面修饰层,以喷墨打印的6,13-双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯(TIPS并五苯)作为有源层制作有机薄膜晶体管,有效改善了有机半导体薄膜的形貌。采用真空热蒸镀工艺制备源漏电极,形成底栅顶接触结构的有机薄膜晶体管(OTFT)器件。作为对比,在未经过表面修饰的SiO2衬底上采用相同条件打印TIPS并五苯薄膜晶体管,发现在经过PVP修饰的SiO2衬底上打印的单点厚度更均匀,咖啡环效应被抑制或被消除;而通过多点交叠打印形成的矩形薄膜的晶粒尺寸更大,相应的OTFT器件具有更高的场效应迁移率。在有PVP修饰层的衬底上制作的OTFT,器件在饱和区的平均场效应迁移率达到了0.065 cm2·V-1·s-1;而直接在SiO2衬底上制作的器件,相应的平均场效应迁移率仅为0.02 cm2·V-1·s-1。
- 熊贤风元淼林广庆王向华吕国强
- 关键词:有机半导体有机薄膜晶体管喷墨打印表面修饰
- 一步实现图案化和自修饰界面的有机薄膜晶体管制备方法
- 一种一步实现图案化和自修饰界面的有机薄膜晶体管的制备方法,包括硅基片的表面处理、有机半导体薄膜的形成和电极的配置,其特征在于:所述的有机半导体薄膜的形成是将有机半导体材料Tips-并五苯和高分子聚合物按4∶1-1∶1的质...
- 邱龙臻冯翔林广庆吕国强
- 文献传递
- 表面修饰制备高性能薄膜晶体管被引量:6
- 2013年
- 应用聚苯乙烯/氯硅烷复合材料作为栅绝缘层的界面修饰层制备了高性能的并五苯场效应晶体管。原子力显微镜观察发现,界面修饰对并五苯半导体薄膜的生长形貌产生了很大影响。在空白二氧化硅上沉积的并五苯晶粒尺寸都小于150nm,而在修饰过后二氧化硅的表面生长的并五苯晶粒尺寸多在200~400nm。大的晶粒尺寸能够减小晶粒间的界面,从而有效提高电学性能。表面改性的并五苯场效应晶体管的关态电流约为10-10 A,电流的开关比超过106,最大场效应迁移率约可达1.23cm2.V-1·s-1,而未处理的晶体管的场效应迁移率仅有0.011 8cm2.V-1·s-1。
- 林广庆李鹏王明晖冯翔张俊熊贤风邱龙臻吕国强
- 关键词:有机薄膜晶体管电性能
- 用于喷墨打印有机薄膜晶体管的绝缘层修饰方法
- 本发明公开了一种用于喷墨打印有机薄膜晶体管的绝缘层修饰方法,包括:在基片的栅绝缘层上形成亲水区域;将聚合物绝缘材料溶液旋涂在基片的栅绝缘层上;并用紫外光照使聚合物层内部发生交联反应,通过改变紫外光照时长,不同程度的改善聚...
- 邱龙臻陈梦婕王迎林广庆陆红波王晓鸿吕国强
- 文献传递