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林隆乾

作品数:9 被引量:2H指数:1
供职机构:杭州电子科技大学电子信息学院教育部射频电路与系统重点实验室更多>>
发文基金:浙江省大学生创新创业孵化资助项目浙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇会议论文
  • 3篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 9篇电子电信

主题

  • 8篇放大器
  • 7篇低噪
  • 7篇低噪声
  • 7篇低噪声放大器
  • 5篇放大器设计
  • 4篇CMOS
  • 3篇低功耗
  • 3篇无线
  • 3篇无线局域
  • 3篇无线局域网
  • 3篇局域
  • 3篇局域网
  • 3篇功耗
  • 2篇电容耦合
  • 2篇宽带低噪声
  • 2篇宽带低噪声放...
  • 2篇CMOS工艺
  • 1篇单端
  • 1篇单端输入
  • 1篇低功耗CMO...

机构

  • 9篇杭州电子科技...

作者

  • 9篇林隆乾
  • 6篇程知群
  • 5篇张铝坡
  • 5篇冯玉洁
  • 4篇周苏萍
  • 1篇孙玲玲
  • 1篇章南
  • 1篇翁寅飞
  • 1篇高海军

传媒

  • 1篇电路与系统学...
  • 1篇电子器件
  • 1篇杭州电子科技...
  • 1篇2010’全...

年份

  • 3篇2012
  • 2篇2011
  • 4篇2010
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
应用于无线局域网CMOS功率放大器设计
设计了应用于WLAN802.11b 2.45GHz功率放大器。详细描述了设计过程,给出了仿真结果,设计基于SMIC0.18μmCMOS工艺和ADS仿真软件。仿真结果显示,采用AB类二级放大结构的功率放大器电路,在1.8V...
冯玉洁程知群张铝坡林隆乾周苏萍
关键词:功率放大器无线局域网CMOS射频集成电路
低功耗单端输入差分输出低噪声放大器被引量:1
2012年
该文设计了应用于无线局域网2.4GHz低噪声放大器(LNA),采用了SMIC0.18μm CMOS工艺技术和单端输入差分输出的电路结构。电路同时采用了双支路的电流复用技术,实现了低功耗、低噪声和高增益的性能;通过在输出级增加一级共栅级放大电路,有效地增加了电路的对称性;共源支路串联电感,解决了差分信号相位偏差问题。仿真结果表明,设计的LNA的噪声系数为1.76dB,增益为20.9dB,在1.8V电源电压下,功耗为8.5mW。
程知群林隆乾
关键词:无线局域网电流复用低噪声放大器
2.4GHz低相位噪声CMOS压控振荡器设计
本文设计了一个适用于无线通信领域的2.4GHz压控振荡器,电路设计中采用了SMIC 0.18um RF CMOS工艺和ADS仿真软件。仿真结果表明,频率变化范围为2.255GHz~2.548GHz(12.4%),振荡的中...
张铝坡程知群冯玉洁章南林隆乾
关键词:CMOS压控振荡器相位噪声可变电容
文献传递
CMOS低噪声放大器的研究
随着社会的发展,无线通信已深入到人类生产、生活的方方面面。作为无线通信系统的关键模块之一——低噪声放大器,它能有效降低后级电路引入的噪声,决定了接收机的灵敏度。与化合物半导体等其他工艺相比,CMOS工艺技术最成熟、成本最...
林隆乾
关键词:CMOS工艺宽带低噪声放大器无线局域网
文献传递
应用于北斗接收机全差分低噪声放大器设计
设计了基于SMIC0.18μm CMOS工艺的应用于北斗二号接收机全差分低噪声放大器,中心频率为1561.098MHz。为减小芯片面积和提高电路性能,改善了输入匹配电路,从而解决了栅极电感的集成问题,同时采用交叉耦合电容...
周苏萍程知群林隆乾冯玉洁张铝坡
关键词:低噪声放大器电容耦合
CMOS低嗓声放大器的研究
随着社会的发展,无线通信已深入到人类生产、生活的方方面面。作为无线通信系统的关键模块之一——低噪声放大器,它能有效降低后级电路引入的噪声,决定了接收机的灵敏度。与化合物半导体等其他工艺相比,CMOS工艺技术最成熟、成本最...
林隆乾
关键词:CMOS低噪声放大器宽带低噪声放大器高增益
文献传递
应用于GPS低功耗CMOS低噪声放大器设计
用SMIC0.18μmCMOS工艺,设计了应用于GPS的低功耗低噪声放大器。在功率约束条件下,为了同时达到共轭匹配与噪声匹配,本文在共源CMOS的栅源之间并联了一个电容Ccx。工作频率为1.58GHz时,仿真结果显示设计...
林隆乾程知群周苏萍张铝坡冯玉洁
关键词:GPS低功耗设计低噪声放大器CMOS工艺
应用于北斗接收机的低噪声放大器设计被引量:1
2012年
该文采用电容交叉耦合技术,设计了基于SMIC0.18μm CMOS工艺的应用于北斗二号接收机全差分低噪声放大器,中心频率为1 561.098MHz。仿真结果表明:该低噪放的噪声系数为2.045dB,功率增益S21为19.684dB,输入反射系数S11和输出反射系数S22分别小于-13dB和-40dB,反向隔离S12小于-40dB,线性度IIP3大于-5.5dBm,在1.8V电压下的总功耗为16mW。
程知群周苏萍林隆乾冯玉洁张铝坡
关键词:电容耦合低噪声放大器
一种低功耗2.4GHz低噪声放大器设计被引量:1
2011年
设计了一个低功耗2.4 GHz低噪声放大器,并详细阐述了电路的噪声匹配理论。该低噪声放大器采用经典的共源共栅结构,为了同时满足共轭匹配与噪声匹配,在输入管的栅源间增加了一个电容Cex。电路设计采用SMIC 65 nm CMOS工艺,并用Cadence进行仿真。仿真结果表明:电路在1.2 V电源电压下的功耗小于7 mW,噪声系数小于0.7 dB,增益大于21dB。电路在所需频率范围内满足绝对稳定条件,芯片版图面积为0.57 mm×0.65 mm。
翁寅飞孙玲玲高海军林隆乾
关键词:CMOS低噪声放大器噪声匹配低功耗
共1页<1>
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