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沈昌乐

作品数:85 被引量:30H指数:3
供职机构:中国工程物理研究院激光聚变研究中心更多>>
发文基金:中国工程物理研究院发展基金国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 53篇专利
  • 21篇期刊文章
  • 11篇会议论文

领域

  • 30篇电子电信
  • 7篇理学
  • 4篇机械工程
  • 2篇经济管理
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电气工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 32篇激光
  • 26篇太赫兹
  • 24篇激光器
  • 22篇赫兹
  • 21篇光纤
  • 18篇量子级联
  • 18篇量子级联激光...
  • 9篇预制棒
  • 8篇光束
  • 7篇太赫兹量子级...
  • 7篇量子
  • 7篇分子束
  • 6篇太赫兹波
  • 6篇连续波
  • 6篇光纤预制棒
  • 5篇单分子
  • 5篇单分子层
  • 5篇气体流量
  • 5篇全息
  • 5篇激光输出

机构

  • 85篇中国工程物理...
  • 2篇北京应用物理...
  • 2篇四川大学
  • 1篇西南科技大学
  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 85篇沈昌乐
  • 57篇王雪敏
  • 49篇吴卫东
  • 48篇彭丽萍
  • 47篇蒋涛
  • 43篇黎维华
  • 40篇阎大伟
  • 34篇王新明
  • 33篇赵妍
  • 31篇邓青华
  • 22篇高聪
  • 21篇刘念
  • 19篇姜蕾
  • 15篇王建军
  • 15篇肖婷婷
  • 13篇李芳
  • 10篇林宏奂
  • 10篇罗跃川
  • 10篇张颖娟
  • 8篇景峰

传媒

  • 7篇太赫兹科学与...
  • 5篇中国激光
  • 5篇强激光与粒子...
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇功能材料
  • 1篇材料导报
  • 1篇信息与电子工...
  • 1篇第二届全国太...

年份

  • 4篇2024
  • 5篇2023
  • 6篇2022
  • 4篇2021
  • 4篇2020
  • 9篇2019
  • 11篇2018
  • 10篇2017
  • 9篇2016
  • 12篇2015
  • 2篇2014
  • 5篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
85 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
晶体生长安瓿位置调节装置及系统
本发明提供了一种晶体生长安瓿位置调节装置及系统,涉及安瓿位置调节技术领域。一种晶体生长安瓿位置调节装置,包括支撑组件、热电偶和位置调节组件。位置调节组件通过支撑杆与支撑组件连接,用于在水平和竖直方向移动和定位支撑组件。支...
樊龙肖婷婷彭丽萍黎维华阎大伟吴卫东沈昌乐蒋涛湛治强
文献传递
超薄自支撑聚合物薄膜的制备方法
本发明公开了一种超薄自支撑聚合物薄膜的制备方法,利用激光诱导化学气相沉积方式,实现聚合物薄膜单分子层生长,并通过脱膜技术获得超薄自支撑薄膜。该方法通过脉冲进气和气体流量、压力的精确控制,实现了聚合物单体的分子流方式进入真...
彭丽萍吴卫东王雪敏樊笼蒋涛王新明湛治强沈昌乐阎大伟赵妍黎维华邓青华
文献传递
2.5THz量子级联激光器的研制被引量:3
2015年
基于束缚态到连续态跃迁有源区能带结构,实现了2.5 THz量子级联激光器的连续波工作。激光器的输出频率随电流可在2.45-2.47 THz之间可调,在连续波工作模式下的最高输出功率大于6.0mw,最高连续波工作温度为60 K,阈值电流密度为120 A/cm2,经Si透镜整形后的输出光斑为高斯分布。
王雪敏沈昌乐蒋涛湛治强黎维华彭丽萍邓青华樊龙王新明阎大伟赵妍吴卫东唐永建
关键词:太赫兹量子级联激光器连续波高斯分布
(1+1)型泵浦增益一体化光纤实现同带泵浦万瓦激光输出被引量:4
2021年
(N+1)型泵浦增益一体化光纤通常由一根有源信号纤和至少一根无源泵浦纤紧密贴合并共同被包层包覆而成,它是集泵浦注入、增益放大、热管理于一体的复合功能光纤。(N+1)型泵浦增益一体化光纤集中体现了长距离分布式侧面泵浦技术的优势,是万瓦级激光输出的有效技术途径。2004年开始,英国南安普顿大学的研究团队率先开展了泵浦增益一体化光纤的研究工作。
代江云刘念李峰云贺红磊沈昌乐吕嘉坤孙仕豪张立华姜蕾郭超陶汝茂张昊宇刘玙高聪王建军林宏奂景峰
关键词:激光输出侧面泵浦源信号增益放大研究团队包层
太赫兹QCL技术研究进展
2013年
综述了太赫兹QCL(THz QCL)有源区结构设计与制备、波导结构设计和频率控制3方面的基本原理及研究进展。THz QCL有源区薄膜厚度、组分和掺杂浓度的精确控制是材料制备过程的关键。通过提高注入电流和器件温度的稳定性可以有效减小THz QCL线宽和提高频率稳定性。随着器件功率和频率特性的提升,THz QCL将在通讯、成像和谱分析等技术领域获得广泛的应用。
沈昌乐王雪敏黎维华阎大伟赵妍罗跃川彭丽萍吴卫东唐永建
关键词:太赫兹波导频率稳定性
高电子迁移率晶体管材料结构的制备及分析被引量:1
2013年
针对高电子迁移率晶体管(HEMT)器件,分析了双δ掺杂GaAs HEMT的结构组成,基于固源分子束外延方法制备了双δ掺杂GaAs HEMT的缓冲层、沟道层、平面掺杂层和隔离层等多层材料结构。采用X-ray射线衍射、透射电镜研究了多层材料的结构。范德堡霍尔测试结果表明,HEMT的2DEG测试浓度为1.82×1012cm-3,电子迁移率大于6 520 cm2·V-1·s-1。
王雪敏阎大伟沈昌乐赵妍黎维华周民杰罗跃川彭丽萍吴卫东唐永建
关键词:高电子迁移率晶体管多层结构
多铁性材料HoMnO3的低温热输运性质
我们通过测量多铁性材料HoMnO3单晶的低温热输运性质来探测其磁结构以及磁场诱导磁结构的转变。研究结果表明低温热导率与磁场表现出强烈的依赖关系,与零场相比,热导率受到接近90%的最强抑制以及20倍的最大增长。特别是在实践...
王新明王雪敏彭丽萍沈昌乐
文献传递
ZnO/ZnCdO和ZnO/ZnMgO超晶格的子带研究被引量:1
2013年
ZnO是具有3.37 eV的宽禁带半导体材料,近年来引起了众多研究者的兴趣。Zn1-xCdxO和Zn1-xMgxO很好地实现了对ZnO能带的减小和增大。采用较为简单的一维K P势模型结合有效质量理论得到了ZnO/Zn1-xCdxO及ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱的能量色散关系,以及子带的MeV跃迁与超晶格带阶、阱垒宽度之间的关系。将该多量子阱应用于太赫兹量子级联激光器(THz QCL)有源区,对粒子数反转和跃迁矩阵进行了相关讨论。
雷红文张红王雪敏赵妍阎大伟沈昌乐吴卫东
关键词:ZNMGO量子级联激光器粒子数反转
一种预制棒加工系统及方法
本申请提供一种预制棒加工系统及方法,涉及光纤预制棒加工技术领域,该系统包括:腐蚀液储存装置、腐蚀装置、测量装置以及连接管。腐蚀液储存装置与腐蚀装置通过连接管连接,测量装置安装在腐蚀装置上。腐蚀液储存装置用于通过连接管向腐...
贺红磊高聪代江云刘念沈昌乐吕嘉坤张立华王建军景峰
文献传递
一种用于夹持半导体器件的夹具
本发明涉及一种用于夹持半导体器件的夹具,属于半导体光学电子技术领域,包括基座、支撑件、夹持件、拉杆、挡板及弹性件;支撑件固定设置于基座且设置有用于放置样品的工作端面,工作端面相对于基座的端面倾斜,工作端面设置有用于支撑样...
湛治强沈昌乐王雪敏蒋涛邓青华彭丽萍阎大伟王新明黎维华赵妍肖婷婷
文献传递
共9页<123456789>
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