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王勉

作品数:10 被引量:8H指数:2
供职机构:河南师范大学物理与信息工程学院更多>>
发文基金:河南省教委自然科学基金更多>>
相关领域:理学天文地球电子电信更多>>

文献类型

  • 10篇中文期刊文章

领域

  • 6篇理学
  • 3篇天文地球
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇原子
  • 2篇相互作用
  • 2篇相互作用能
  • 2篇金属
  • 2篇NI(100...
  • 2篇H
  • 1篇电子态
  • 1篇宇宙
  • 1篇宇宙波函数
  • 1篇宇宙学
  • 1篇杂质对
  • 1篇探测器
  • 1篇子群
  • 1篇吸附原子
  • 1篇相对论
  • 1篇相对论性
  • 1篇粒子探测器
  • 1篇量子
  • 1篇量子宇宙学
  • 1篇卤素

机构

  • 10篇河南师范大学
  • 1篇山东大学
  • 1篇滑铁卢大学

作者

  • 10篇王勉
  • 5篇张涛
  • 3篇刘自信
  • 2篇杨宗献
  • 1篇戴宪起
  • 1篇王福合
  • 1篇蔡政亭
  • 1篇陈晓嘉
  • 1篇关大任
  • 1篇熊永建
  • 1篇陶金河
  • 1篇张瑞勤

传媒

  • 7篇河南师范大学...
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇Chines...

年份

  • 1篇2002
  • 2篇1994
  • 1篇1991
  • 1篇1990
  • 5篇1989
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Sine-Gordon模型和辫子群表示
1994年
本文通过Sinc-Gordon模型的精确S矩阵构造了一个辫子群的表示,讨论了表示中出现的参数的意义,当参数取特定值时,结果与二态顶角模型的辫子群表示相似.
陶金河鞠国鑫王勉
关键词:S矩阵辫子群Y-B方程
热响应与Rindler响应的区别和联系
1991年
本文讨论了热响应和Rindler响应之间的区别和联系,并就它们之间可能存在的弱对应原理进行了分析与讨论。
刘自信王勉熊永建
关键词:粒子探测器
H在含杂过渡金属表面化学吸附的DV—X_α方法研究
1989年
本文把量子化学中的DV—X_α方法运用于掺杂过渡金属表面化学吸附的研究。用此方法计算了H在含杂W(100)面顶位吸附的电子结构、吸附体系的分子轨道能级和电子态密度以及杂质原子Re和Ta对化学吸附的影响。
戴宪起张涛王勉关大任张瑞勤蔡政亭
绕超导宇宙弦的广义相对论性冲击波
1990年
本文讨论了超导宇宙弦的引力场对相对论性流体的影响,给出了一种激波方程的解。分析表明,引力效应仅提供高阶修正。
刘自信王勉
关键词:冲击波
具有指数势的量子宇宙学暴涨模型
1994年
本文讨论了微超空间中具有最小耦合标量场的暴涨宇宙的量子宇宙学模型,暴涨势为运用Hartle-Harking边界条件提案,我们得到了宇宙极早期时标度因子和标量场随时间的演化关系,以及为克服视界和平性问题所满足的约束条件.而且发现Hartle-Hawking波函数可以预言导致暴涨的初态.
陈晓嘉刘自信王勉熊永建
关键词:量子宇宙学宇宙波函数
H在无序二元合金表面上的化学吸附能研究被引量:1
1989年
本文采用Sulston等人所发展的一维紧束缚半无限无序二元合金模型和格林函数方法,分别利用相关势近似(CPA)和平均T矩阵近似(ATA)计算了氢原子在无序二元合金Ni_xCu_(1-x)、Au_xPt_(1-X)和Ni_xP_(1-x)表面上的化学吸附能。给出了化学吸附能与合金的浓度百分比之间的关系曲线。结果表明:(1)H在Ni_xCu_(1-x)合金表面上的化学吸附随合金中Ni的含量的增加愈加稳定;(2)H在Au_xPt_(1-x)合金表面上的化学吸附在Au的含量为25%(Pt的含量为75%)时最稳定;(3)H在Ni_xPt_(1-x)合金表面上的化学吸附在Ni与Pt的含量比例为2:8时最不稳定。计算还表明,采用相关势近似和采用平均T矩阵近似所得的结果吻合得相当好。因此用非自洽的平均T矩阵近似也能正确处理无序二元合金表面上化学吸附能的计算问题。
王福合杨宗献王勉张涛廖永祺
关键词:H
卤素原子在Ni(100)面上的相互作用
1989年
本文用只考虑最近邻相互作用的紧束缚模型研究了卤素吸附原子在Ni(100)面上的相互作用能。利用相互作用能随吸附原子相对位置的变化,解释了吸附的二维层结构。讨论杂质的影响,发现杂质的存在有时可以改变吸附层结构。另外发现:相互作用能随耦合强度的减小呈振荡衰减趋势。
路文昌王勉张涛
关键词:相互作用能卤素原子
标量张量暴胀宇宙学
2002年
王勉
杂质对金属-半导体界面电子态的影响被引量:5
1989年
本文用一线紧束缚模型(1DTB)和格林函数(GF)方法研究了杂质对金属-半导体界面电子态的影响。该模型包括一个一维半无限金属(含有单个杂质,用Koster-Slater模型描述)和一个一维半无限的半导休(用Bose和Foo的s、p轨道交替排列的模型描述).并以Ni-ZnO系统为例,对不同的杂质及其处于不同的位置时分别计算了界面处半导体一边的电子态密度和界面态能级,以此来观察杂质对界面电子态的影响.
杨宗献张涛王勉
关键词:金属半导体界面电子态
Ni(100)面上吸附原子的间接相互作用能被引量:2
1989年
本文用紧束缚模型和单电子理论研究吸附原子间的间接相互作用能。讨论杂质的影响,发现掺杂Cu使相互作用能的峰值增大,峰的位置向耦合强度较大的方向移动;而掺杂Co情况则正好相反。利用相互作用能随吸附原子相对位置的变化,很好地解释了H和O在Ni(100)面上吸附时的层结构。还发现相互作用随耦合强度的减少呈现振荡衰减的趋势。
路文昌张涛王勉
关键词:吸附原子NI(100)
共1页<1>
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