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王向明

作品数：4 被引量：7H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇低能离子
  • 2篇低能离子束
  • 1篇单晶
  • 1篇外延法
  • 1篇外延膜
  • 1篇离子束
  • 1篇硅单晶
  • 1篇半导体
  • 1篇SI
  • 1篇FESI
  • 1篇超薄

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇姚振钰
  • 4篇王向明
  • 3篇秦复光
  • 2篇刘志凯
  • 2篇黄大定
  • 1篇林兰英

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇第六届全国电...

年份

  • 1篇1993
  • 1篇1992
  • 2篇1991
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
低能离子束技术在薄膜淀积方面的应用
任治璋王向明姚振钰
关键词：离子束
质量分离低能离子束外延超薄硅单晶的初步研究被引量：1
1993年
采用质量分离的低能离子束外延(MALE-IBE)技术进行超薄硅外延生长,在600C下获得单晶硅外延层,厚度2000A,过渡区宽度小于500A。有较好的电学性质。
黄大定姚振钰壬治璋王向明刘志凯秦复光
关键词：硅单晶
用质量分离的低能离子束外延法生长β-FeSi_2半导体外延膜的初步研究被引量：6
1992年
采用质量分析的低能离子束外延法生长了半导体性质的β-FeSi_2外延薄膜.就我们所知,在用同类方法的研究中,国际上尚属首次.AES测量及RHEED观察肯定了外延的β-FeSi_2的存在;垂直入射的光透射谱又证实了外延膜是具有直接禁带的、禁带宽度为～0.84 eV的半导体性质的薄膜.室温下的霍耳迁移率μH达600 cm^2V^(-1)s^(-1),比文献报道高两个量级.
姚振钰任治璋王向明刘志凯黄大定秦复光林兰英
关键词：半导体
低能离子束在薄膜淀积中的应用
1991年
本文介绍利用已建成的双束低能离子束薄膜淀积系统,制备Si、Ge、GaN低温外延膜,Si/CoSi_2/Si多层结构膜,以及金刚石多晶膜。
任治璋王向明姚振钰刘志剀秦复光
关键词：低能离子束SI
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